經濟部國營事業聯合招考|專業科目(113年以前)|歷屆題庫(113年以前)|111年|1.電路學2.電子學 -鼎文題庫網

1. 一台額定功率3000瓦特（W）的電熱器，連續使用30分鐘，若以每1度電收費2.5元，應繳交電費多少元？　

(A)3.25元　

(B)3.75元　

(C)4.00元　

(D)4.25元。

2. 某電路如圖所示，請問電阻R_A及R_B分別為多少歐姆（Ω）？
　

(A)R_A為4Ω，R_B為11Ω　

(B)R_A為4Ω，R_B為22Ω　

(C)R_A為8Ω，R_B為11Ω　

(D)R_A為8Ω，R_B為22Ω。

3. 某電路如圖所示，電流I為多少安培(A)？
　

(A)24 A　

(B)34 A　

(C)37 A　

(D)54 A　

4. 某電路如圖所示，已知10μF電容器充電電壓為300伏特，請問電源電壓E為多少伏特（V）？
　

(A)250 V　

(B)500 V　

(C)750 V　

(D)1500 V。

5. 有一台電動機接於100sin（1000t）之電源，產生P＝4kW，Q_L＝8kvar。若希望將其PF提高至0.8，則需要並聯多少法拉（F）之電容器？　

(A)50 μF　

(B)100 μF　

(C)250 μF　

(D)500 μF。

6. 有關拉氏轉換之性質，下列何者有誤？　

(A)￡[k₁f₁(t)＋k₂f₂(t)]＝k₁￡[f₁(t)]＋k₂￡[f₂(t)]　

(B)￡[e^atf(t)]＝F(s－a)　

(C)￡[f(t－a)u(t－a)]＝e^－^asF(s)　

(D)￡

＝sF(s)。

7. 某含相依電源之電路如圖所示，試求等效電路之戴維寧電阻（R_AB）為多少歐姆（Ω）？
　

(A)10Ω　

(B)25Ω　

(C)50Ω　

(D)100Ω。

8. 有一個1φ3W供電系統如圖所示，請問若中性線斷裂造成開路時，下列何者負載會燒損？
　

(A)負載A燒損　

(B)負載B燒損　

(C)負載A及負載B皆燒損　

(D)負載A及負載B皆不會燒損。

9. 如圖之串並聯電路，試求i為多少安培(A)？
　

(A)1 A　

(B)2 A　

(C)3 A　

(D)9 A　

10. 有一10 mH電感器通過之電流為5sin（200t）mA，試求此電感器的端電壓v_L(t)為？　

(A)10sin（200t）mV　

(B)100sin（200t）mV　

(C)10cos（200t）mV　

(D)100cos（200t）mV。

11. 某電路如圖，若v₁（0^－）＝6V，i₁（0^－）＝1A，且開關在t＝0時打開，下列何者正確？
　

(A)v₁（0^＋）＝12 V　

(B)v₂（0^＋）＝－18 V　

(C)i₁（0^＋）＝－1 A　

(D)i₂（0^＋）＝1 A。

12. 試求圖電路R_AB為多少歐姆（Ω）？
　

(A)－4Ω　

(B)4＋4

Ω　

(C)12Ω　

(D)14Ω。

13. 下圖電路已知v(0)＝12 V，求t＞0時之i(t)為何？
　

(A)－9e^－^6t A　

(B)－12e^－^6t A　

(C)9e^－^6t A　

(D)12e^－^6t A。

14. 試求圖電路RAB為多少歐姆（Ω）？
　

(A)1Ω　

(B)2Ω　

(C)4Ω　

(D)6Ω。

15. 有一個RLC串聯電路，輸入電源v(t)為10sin(2t)V，R＝3Ω，L＝3H，C＝0.25F，有關RLC串聯電路之功率因數，下列何者正確？　

(A)0.6超前　

(B)0.8超前　

(C)0.6落後　

(D)0.8落後。

16. 試求圖電路i為多少安培(A)？
　

(A)3 A　

(B)4 A　

(C)5 A　

(D)6 A　

17. RLC並聯電路中R＝100 kΩ，L＝10 mH，C＝10 nF，請問此電路諧振頻率為多少赫（Hz）？　

(A)15.9 Hz　

(B)159 Hz　

(C)1.59 kHz　

(D)15.9 kHz。

18. 有關電容器與電感器之儲存能量表示式，下列何者正確？　

(A)W_C(t)＝

Cv(t)　

(B)W_C(t)＝q(t)v(t)　

(C)W_L(t)＝

Li(t)　

(D)W_L(t)＝

Li²(t)。

19. 如圖所示，有一發電機（內阻為300Ω）供給負載Z_L（阻抗為30＋j40Ω），現以一X_L及X_C匹配電路使負載Z_L獲得最大功率，請問此匹配電路X_L及X_C分別為多少歐姆（Ω）？
　

(A)X_L＝50Ω、X_C＝50Ω　

(B)X_L＝50Ω、X_C＝100Ω　

(C)X_L＝100Ω、X_C＝50Ω　

(D)X_L＝100Ω、X_C＝100Ω。

20. 有一RL串聯電路，輸入電源v(t)為200sin(3t)V，電阻值為8Ω，電感值為2 H，試求穩態電流i(t)為多少安培(A)？　

(A)20sin(3t－36.9°)A　

(B)20sin(3t－53.1°)A　

(C)20cos(3t－36.9°)A　

(D)20cos(3t－53.1°)A　

21. 有一負載阻抗為10∠60°Ω，電壓為20∠0° V，有關此負載之資訊，下列何者有誤？　

(A)PF＝0.5落後　

(B)S＝40 VA　

(C)P＝20 W　

(D)Q＝10

var。

22. 圖為正相序三相電路，若V_AB為220sin(120πt) V，試求電流I之瞬時值為多少安培(A)？
　

(A)

sin(120πt－15°)A　

(B)

sin(120＋45°)A　

(C)

sin(120πt－45°)A　

(D)

sin(120＋15°)A　

23. 已知V_an＝10＋j4 V，V_bn＝20－j9 V，V_cn＝17＋j3 V，請問V_ab為多少V？　

(A)－10＋j13 V　

(B)3－j12 V　

(C)7－j1 V　

(D)－30＋j5 V。

24. 某一電路其開路電壓V_oc為100∠0°V，短路電流I_sc為10∠36.9° A，試問此電路之等效阻抗為多少歐姆（Ω）？　

(A)6－j8Ω　

(B)6＋j8Ω　

(C)8－j6Ω　

(D)8＋j6Ω。

25. 有關圖雙埠網路之Z參數，下列何者正確？
　

(A)Z₁₁＝4s＋4　

(B)Z₂₁＝－4s　

(C)Z₁₂＝4s　

(D)Z₂₂＝4s＋

。

26. 在未外加偏壓的情況下，有關PN接面二極體空乏區之敘述，下列何者正確？　

(A)P、N兩側空乏區的寬度，與其所摻雜的雜質濃度成正比　

(B)矽質材料製成的二極體障壁電位比鍺質材料的二極體低　

(C)所形成的障壁電位，在空乏區N側的電位比P側的電位低　

(D)空乏區會抑制擴散電流。

27. 如圖所示電路，已知D₁、D₂皆為理想二極體，若V₁＝6V，V₂＝5V，試求I_o之值為何？
　

(A)2 mA　

(B)2.2 mA　

(C)2.5 mA　

(D)3 mA。

28. 如圖所示電路，已知稽納二極體之稽納電壓V_Z＝9V，試求通過負載電阻R_L上，電流I_L之值為何？
　

(A)0 mA　

(B)2 mA　

(C)3 mA　

(D)5 mA。

29. 如圖所示之理想變壓器電路，D為理想二極體，R_L＝20Ω，V_i＝126sin(337t)V，則V_o平均值約為何？
　

(A)10 V　

(B)20 V　

(C)30 V　

(D)40 V。

30. 若圖中之電路可輸出6.5 kHz之振盪波形，則電阻值R應為何？
　

(A)3 MΩ　

(B)6.5 MΩ　

(C)10 MΩ　

(D)100 MΩ。

31. 有一差動放大器之兩端輸入訊號分別為V₁＝4V，V₂＝－4V時，其輸出為80V，若輸入改為V₁＝5V，V₂＝3V時，其輸出為32V，則此差動放大器之共模增益A_c為下列何者？　

(A)1　

(B)2　

(C)3　

(D)4。

32. 有關BJT電晶體之敘述，下列何者有誤？　

(A)電晶體三種組態放大電路中，以共射極CE組態的功率增益最高　

(B)集極接合面寬度比射極接合面寬度大　

(C)NPN型電晶體BJT工作於順向主動區時，集極電流與基極電流成正比　

(D)電晶體BJT電路符號中之箭號是代表集極，其指示的方向為電流的方向。

33. 如圖所示之電路，若h_re＝h_oe＝0，h_ie＝r_π＝2 kΩ，h_fe＝β＝99，則A點與接地間的輸入阻抗Z_i為何？
　

(A)3 kΩ　

(B)5 kΩ　

(C)203 kΩ　

(D)205 kΩ。

34. 如圖所示之電路，假設h_ie＝r_π＝1000Ω，h_fe＝β＝99，則其小訊號輸出阻抗Z_o約為？
　

(A)3Ω　

(B)10Ω　

(C)3 kΩ　

(D)10 kΩ。

35. 射極隨耦器（Emitter Follower）屬於何種負回授放大電路？　

(A)並串（電流並聯）回授　

(B)串串（電流串聯）回授　

(C)並並（電壓並聯）回授　

(D)串並（電壓串聯）回授。

36. 在具有射極電阻及射極旁路電容的共射極放大電路中，下列敘述何者正確？　

(A)對直流的工作點而言，旁路電容為負回授的電路　

(B)直流電流會從旁路電容通過，可增加直流的電壓增益　

(C)交流的電壓增益會受到射極直流電流大小的影響　

(D)若將旁路電容移除，直流的工作點會明顯改變。

37. 下列何者是造成射極隨耦器（Emitter Follower）有良好高頻響應之原因？　

(A)無米勒效應（Miller Effect）　

(B)有厄利效應（Early Effect）　

(C)輸出阻抗大　

(D)電壓增益大。

38. 如圖所示之電路，已知Q₁ FET的V_T1＝3V，且K₁＝0.1 mA/V²，Q₂ FET的V_T2＝2V，且K₂＝0.9 mA/V²，試求V_o之值為何？
　

(A)Vo＝6.5 V　

(B)Vo＝8 V　

(C)Vo＝9 V　

(D)Vo＝10 V。

39. 已知某N通道空乏型MOSFET之夾止電壓V_GS(off)=－7V，若此MOSFET工作於飽和區，且閘極對源極電壓V_GS為0V時，汲極電流為18mA，試問當閘極對源極V_GS電壓為－3.5V時，汲極電流I_D為何？　

(A)3.75mA　

(B)4.5mA　

(C)5mA　

(D)6.25mA。

40. 如圖所示，已知r_d＝∞，g_m=5mS，則電壓增益A_V值為何？
　

(A)－50　

(B)－10　

(C)45　

(D)150。

41. 在CMOS邏輯電路中，下列敘述何者正確？　

(A)NMOS導通時PMOS關閉，NMOS關閉時PMOS導通　

(B)NMOS與PMOS同時導通且同時關閉　

(C)PMOS永遠導通，由NMOS的導通狀態決定輸出　

(D)NMOS永遠導通，由PMOS的導通狀態決定輸出。

42. 如圖所示，MOSFET數位電路輸入與輸出的關係為何？
　

(A)Y＝

B＋A

　

(B)Y＝AB＋

B　

(C)Y＝AB＋

　

(D)Y＝

。

43. 如圖所示之運算放大電路，若OPA為理想放大器，求輸出電壓V_o為何？
　

(A)7 V　

(B)9 V　

(C)13 V　

(D)15 V。

44. 如圖所示之運算放大電路，若OPA為理想放大器，試求輸出電壓V_o為何？
　

(A)－6V　

(B)－2V　

(C)2V　

(D)10V。

45. 圖為一個三級的串級放大電路，已知該串級放大電路的總功率增益A_PT＝100 dB，試求該放大電路中的A_v3為何？
　

(A)40　

(B)80　

(C)100　

(D)125。

46. 如圖所示之電路，已知K＝0.75 mA/V²，臨界電壓V_T＝2V，試求此電路互導gm為何？
　

(A)0.5 mS　

(B)1 mS　

(C)2 mS　

(D)3 mS。

47. 有關各類耦合電路之敘述，下列何者有誤？　

(A)低頻響應最佳的電路是直接耦合串級放大電路　

(B)阻抗匹配最佳的電路是變壓器耦合串級放大電路　

(C)體積最小最適合作IC的電路是直接耦合串級放大電路　

(D)溫度穩定性最佳的電路是直接耦合串級放大電路。

48. 如圖所示之電路，其功能為下列何者？
　

(A)波型整形電路　

(B)非反向放大電路　

(C)無穩態電路　

(D)單穩態電路。

49. 圖為一差動放大器，若R_C＝50kΩ，R_E＝200kΩ，電晶體的小信號參數β₀＝10，g_m＝4mS，當V₁＝0V，V₂＝3mV時，試求V_o2為何？
　

(A)－300 mV　

(B)－200 mV　

(C)200 mV　

(D)300 mV。

50. 圖為一低通放大濾波器，若其電壓增益A＝－5且高頻截止頻率f_h＝7.96 Hz，試求電容C_F為何？
　

(A)0.02 μF　

(B)0.2 μF　

(C)2 μF　

(D)20 μF。

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