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經濟部國營事業聯合招考 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 1.電路學2.電子學 » (收錄102~111年歷屆試題,每次隨機抽取50題)
單選題
每題2分
1. 有一穩壓電路如【圖23】所示,假設Q
1
、Q
2
電晶體的I
C
=I
E
(I
B
忽略),V
BE
=0.7V,則V
L
為下列何者?
(102年度考題)
(A)6.3V
(B)7V
(C)11V
(D)20V。
2. 如右圖所示之穩壓電路,假設Q
1
、Q
2
的I
C
=I
E
(I
B
忽略),V
BE
=0.7V,V
L
=12V,則R
1
:R
2
為下列何者?
(109年度考題)
(A)1:2
(B)3:4
(C)5:7
(D)7:9。
3. 有一差動放大器,其兩輸入電壓分別為V
i1
=50μV,V
i2
=40μV,共模拒斥比CMRR=40dB,差模增益A
d
=250,則下列何者正確? (110年度考題)
(A)差模輸入電壓V
d
=5μV
(B)共模增益A
C
=2.5
(C)共模輸入電壓V
C
=90Μv
(D)輸出電壓V
o
=5.25mV。
4. 有一電路如下圖,開關已閉合很久,然後在t=0時打開。求i
0
(t)=?
(103年度考題)
(A)-5e
-
2t
A
(B)-8e
-
2t
A
(C)-5e
-
4t
A
(D)-8e
-
4t
A。
5. 將i(t)=-5sin(377t-110°)A轉換為相量表示,則應為下列何者? (102年度考題)
(A)5∠-20°A
(B)5∠160°A
(C)5∠-70°A
(D)5∠110°A。
6. 如圖所示電路,已知D
1
、D
2
皆為理想二極體,若V
1
=6V,V
2
=5V,試求I
o
之值為何?
(111年度考題)
(A)2 mA
(B)2.2 mA
(C)2.5 mA
(D)3 mA。
7. 如圖所示,已知r
d
=∞,g
m
=5mS,則電壓增益A
V
值為何?
(111年度考題)
(A)-50
(B)-10
(C)45
(D)150。
8. 在未外加偏壓的情況下,有關PN接面二極體空乏區之敘述,下列何者正確? (111年度考題)
(A)P、N兩側空乏區的寬度,與其所摻雜的雜質濃度成正比
(B)矽質材料製成的二極體障壁電位比鍺質材料的二極體低
(C)所形成的障壁電位,在空乏區N側的電位比P側的電位低
(D)空乏區會抑制擴散電流。
9. FET場效電晶體相較於BJT電晶體的特性敘述,下列何者有誤? (110年度考題)
(A)FET是單極性裝置
(B)FET具有高電流驅動能力
(C)FET可作為對稱性的雙向開關
(D)FET較無雜訊產生。
10. 一個400V的三相星形連接之交流電源提供一個三角形連接的負載,該負載的每相具有30Ω的電阻和40Ω的感抗。若忽略交流電源和負載之間線路的損耗,求交流電源提供的輸出功率為何? (109年度考題)
(A)3.22kW
(B)4.54kW
(C)5.76kW
(D)6.68kW。
11. 如下圖之電路,t<0時已達穩態。當t=0s時,瞬間將開關斷路,則t=48s時,求V
1
=?
(105年度考題)
(A)10e
-
2
V
(B)20e
-
2
V
(C)10e
-
1
V
(D)20e
-
1
V。
12. 試求下圖由負載Z看入左側之戴維寧等效阻抗為何?
(108年度考題)
(A)-2.215+j29.12
(B)2.215-j29.12
(C)2.215+j29.12
(D)-2.215-j29.12。
13. 如下圖所示電路,節點電壓V
c
為何?
(104年度考題)
(A)14V
(B)28V
(C)56V
(D)112V。
14. 關於蕭特基二極體(Schottky Diode)特性,下列敘述何者有誤? (106年度考題)
(A)並非一般二極體的pn接面,而是半導體與金屬接面
(B)對於偏壓改變有快速反應能力,應用於高頻與高速切換
(C)順向電壓降約為0.3V
(D)靠多數載子操作,有大量逆向漏電流。
15. 已知某N通道空乏型MOSFET之夾止電壓V
GS(off)
=-7V,若此MOSFET工作於飽和區,且閘極對源極電壓V
GS
為0V時,汲極電流為18mA,試問當閘極對源極V
GS
電壓為-3.5V時,汲極電流I
D
為何? (111年度考題)
(A)3.75mA
(B)4.5mA
(C)5mA
(D)6.25mA。
16. 如【圖3】之電路,Vi(t)=10sin2tV,求其功率因數大約為何?
(102年度考題)
(A)0.5
(B)0.6
(C)0.7
(D)0.8。
17. 一BJT電晶體直流工作電路如下圖,若不希望電晶體進入飽和區,請問V
in
在基極端所產生之電流最大允許增加量為何?
(106年度考題)
(A)100μA
(B)150μA
(C)175μA
(D)200μA。
18. 求下圖電路中,流經5Ω的電流i=?
(106年度考題)
(A)0.5A
(B)1A
(C)1.5A
(D)2A。
19. 關於BJT電晶體共射極放大器(CE),增加射極旁路電容之目的為何? (108年度考題)
(A)防止短路
(B)過濾直流信號
(C)改善漣波現象
(D)提高電壓增益。
20. 如下圖所示,求在ω=4000rad/s時,使流過電阻器的電流i
R
會比電源電流i
S
落後45°,圖中的R值為何?(利用相量圖求解)
(104年度考題)
(A)1/4Ω
(B)1/3Ω
(C)3Ω
(D)4Ω。
21. 有一電路如下圖,求V
b
=?
(103年度考題)
(A)-2V
(B)-1V
(C)2V
(D)4V。
22. 下圖所示為一雙埠網路,求Y參數陣列為下列何者?
(107年度考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
。
23. 移相振盪器如【圖24】所示,則其振盪頻率為下列何者?
(102年度考題)
(A)
rad/s
(B)
rad/s
(C)
rad/s
(D)
rad/s。
24. 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A
o
=100dB,當頻率f=10
4
Hz時,其開路增益的大小為40dB,請問此放大器之單位增益頻寬(unit gain bandwidth)值約為多少? (105年度考題)
(A)10
4
Hz
(B)10
5
Hz
(C)10
6
Hz
(D)10
7
Hz。
25. 有一AB類放大器電路如圖,試求其最大的交流負載功率P
o(max)
為何?
(110年度考題)
(A)3W
(B)5W
(C)12W
(D)20W。
26. 對一BJT電晶體操作在I
B
=5mA時,在I
C
=10mA下,其對應的V
CEsat
=140mV,且I
C
=20mA時,其對應的V
CEsat
=180mV,求其飽和區的R
CEsat
電阻值為多少? (105年度考題)
(A)2Ω
(B)3Ω
(C)4Ω
(D)5Ω。
27. 設計電晶體差動放大器時,射極共同點接一穩定電流源之主要目的為何? (107年度考題)
(A)增加負回授量
(B)提高CMRR
(C)增加頻寬
(D)提高增益。
28. 設有一電路的轉移函數T(S)=
,求下列敘述何者正確? (107年度考題)
(A)半功率頻率為100rad/sec
(B)增益為100dB的頻率為1rad/sec
(C)直流增益為40dB
(D)高頻增益為100。
29. 對於一個放大器,其電壓增益A=-100,輸入阻抗為10kΩ,使用一電阻R=100kΩ,跨接在輸入和輸出端,其輸入阻抗變為多少? (104年度考題)
(A)9.1kΩ
(B)900.9Ω
(C)990Ω
(D)101kΩ。
30. 有一電路如【圖15】,求A、B兩點間之等效電容C
AB
=?
(102年度考題)
(A)5.1μF
(B)6.2μF
(C)7.4μF
(D)8.3μF。
31. 有一個三相額定平均功率為20kW的負載,已知電源的三相線路的線電壓額定值為240V,線電流為50A,求負載所吸收的無效功率? (106年度考題)
(A)3.66kVAR
(B)4.66kVAR
(C)5.66kVAR
(D)6.66kVAR
32. 當二極體於逆向偏壓時,下列敘述何者正確? (109年度考題)
(A)空乏區變寬、障壁電位增加
(B)空乏區變窄、障壁電位增加
(C)空乏區變寬、障壁電位減少
(D)空乏區變窄、障壁電位減少。
33. 有一RLC串聯電路,R=560Ω,L=100mH,C=0.1μF,其電流之自然響應特性為何? (105年度考題)
(A)過阻尼
(B)欠阻尼
(C)臨界阻尼
(D)無阻尼。
34. 有一電路由0.5μF電容器串聯連接一電阻器組成,其時間常數為12ms。假設初始電容器電荷為零,將此電路連接到10V直流電源後7ms,其電容器的電壓值為何? (109年度考題)
(A)4.42V
(B)5.53V
(C)6.64V
(D)7.75V。
35. 下列有關BJT與MOSFET之比較,何者有誤? (104年度考題)
(A)相同直流偏壓電源下,BJT有較高的互導值(gm)
(B)MOSFET有較大的輸入阻抗
(C)BJT比MOSFET更適合作為開關使用
(D)BJT有較大的頻寬。
36. 串級放大器電路一般使用RC電路耦合、直接耦合和變壓器耦合3種型態,請問下列何者非屬變壓器耦合方式的特性? (108年度考題)
(A)容易達成阻抗匹配
(B)隔離直流信號,損耗較低
(C)頻率響應較佳
(D)體積相對較大。
37. 圖為一差動放大器,若R
C
=50kΩ,R
E
=200kΩ,電晶體的小信號參數β
0
=10,g
m
=4mS,當V
1
=0V,V
2
=3mV時,試求V
o2
為何?
(111年度考題)
(A)-300 mV
(B)-200 mV
(C)200 mV
(D)300 mV。
38. 零點與極點概念中,發生極點之處,增益X,移相Y且極點之後每十倍頻增益Z,請依前述X,Y,Z依序填入正確敘述? (103年度考題)
(A)增加3dB,+45度,增加10dB
(B)衰減-6dB,-45度,增加20dB
(C)衰減-3dB,-45度,下降20dB
(D)增加3dB,+45度,增加20dB。
39. 霍爾效應(Hall effect)最主要是用於下列何者? (107年度考題)
(A)決定半導體為P型或N型
(B)決定半導體內的電壓大小
(C)決定半導體內的電流大小
(D)決定半導體內的磁場大小。
40. 有一電路如下圖,L
1
=4H,L
2
=2H,M=1H。求端點a-b看入之等效電感?
(103年度考題)
(A)4H
(B)6H
(C)8H
(D)10H。
41. 如圖所示之運算放大電路,若OPA為理想放大器,求輸出電壓V
o
為何?
(111年度考題)
(A)7 V
(B)9 V
(C)13 V
(D)15 V。
42. 一個功率2hp的馬達,連續運轉一小時可傳送約多少能量?(1hp=746W) (102年度考題)
(A)10.33kJ
(B)89.52kJ
(C)5.37MJ
(D)6.56MJ。
43. 一個放大器其增益為40∠-35°,若要使此電路振盪,其回授增益為何? (104年度考題)
(A)0.025∠35°
(B)0.025∠-55°
(C)0.02∠35°
(D)0.02∠-55°。
44. 關於BJT電晶體放大器3種組態:共基極放大器(CB)、共集極放大器(CC)、共射極放大器(CE)特性比較,下列何者正確? (108年度考題)
(A)高頻響應CB最佳
(B)電壓增益CC最大
(C)功率增益CB最大
(D)輸入阻抗CE最大。
45. 當電晶體共射極放大器加入射極電阻,但不加射極旁路電容,則下列敘述何者正確? (109年度考題)
(A)電壓增益降低
(B)輸出阻抗降低
(C)輸入阻抗降低
(D)非線性失真增加。
46. 如下圖之MOSFET電路架構,A、B為輸入,V
out
為輸出,若希望輸出得到高電位(V
DD
),試問A、B輸入應為何?
(106年度考題)
(A)0、0
(B)0、V
DD
(C)V
DD
、0
(D)V
DD
、V
DD
。
47. 有關由兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大電路的敘述,下列何者正確? (109年度考題)
(A)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的直流工作點
(B)高頻的電壓增益受到耦合電阻的影響而降低
(C)第一級直流工作點的變化會影響到第二級的交流電壓增益
(D)低頻的電壓增益受到耦合電容的影響而降低。
48. 由CMOS FET組成傳輸閘(Transmission Gate)時,組成元件為下列何者? (110年度考題)
(A)只有NMOS
(B)只有PMOS
(C)NMOS+PMOS
(D)JFET。
49. 如圖所示電路,已知稽納二極體之稽納電壓V
Z
=9V,試求通過負載電阻R
L
上,電流I
L
之值為何?
(111年度考題)
(A)0 mA
(B)2 mA
(C)3 mA
(D)5 mA。
50. 如下圖T型放大器,求V
0
=?
(103年度考題)
(A)-2.7V
(B)-18V
(C)-30V
(D)-36V。