1. 分析如圖之電路,若稽納(Zener)二極體ZD1、ZD2之崩潰電壓為6V,導通電壓為0.7V,且導通電阻值為0Ω。vI=10sinωt (V),則電阻上流過之最大電流為何?
 (108年度初等考題) 


2. 如圖所示之電路,假如Ao=∞,求此電路之閉迴路增益為何?
 (110年度初等考題) 


3. 如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中,電晶體的輸出直流電壓工作點為4V,電晶體β值變為原來的2倍而其他特性參數不變,則RB必須變為原來的多少倍才能使輸出直流電壓工作點變為6V?
 (108年度初等考題) 


4. 一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器,輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓Vo(rms)=14.14伏特,則流過負載RL=2kΩ之峰值電流Io(p)約為多少? (107年度初等考題) 


5. 如圖所示之電路,假設二極體為理想,求其輸出電壓vout之漣波電壓(ripple voltage)值為何?
 (107年度初等考題) 


6. 夾止電壓VGS(P)為4V之p通道MOSFET工作在夾止飽和區且在VGS1=1V及VGS2=3V時,測得汲極電流分別為ID1及ID2。若ID1+ID2=10mA,當VGS=0V時,則該MOSFET的汲極電流約為多少? (108年度初等考題) 


7. 如圖所示共射極放大器之vo/vi為何?假設電晶體之gm=50mA/V,β=50。
 (109年度初等考題) 


8. 如圖所示電路,若VCC=12V,VCE=12V,則此電晶體的工作區為何?
 (107年度初等考題) 


9. 關於BJT電晶體之敘述,下列何者正確? (111年度初等考題) 


10. 一幾何比W/L固定的場效電晶體(FET)工作於飽和區,當過驅電壓VOV(Overdrive Voltage)變為原來的2倍,則轉導gm(Transconductance)將變為原來的: (108年度初等考題) 


11. 如圖所示之電路,假設二極體為理想,試求輸出電壓之最大正值為何?
 (111年度初等考題) 


12. 如圖所示之電路,假定β=100且VBE(on)=0.7V,若電晶體之直流工作點VCEQ=5V且ICQ=10mA,求RB之值為何?
 (107年度初等考題) 


13. 如圖所示放大器,外接電容為CC1、CC2和CS,MOSFET的寄生電容約為Cgs和Cgd。有關此放大器電路的低頻響應,下列敘述何者正確?
 (110年度初等考題) 


14. 圖示電晶體在主動區工作,電晶體的β=99,VBE=0.7V,則電晶體的集極電壓VC約為: (110年度初等考題) 


15. 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時,飽和電流(saturation current)為Io,已知溫度每變化1°C,飽和電流變化約7%,試問溫度增加10°C,飽和電流如何變化? (108年度初等考題) 


16. 如圖電路,設二極體均為理想二極體,R=10kΩ,R1=R2=5kΩ,V1=V2=5V。當vI=8V時,vO為多大?
 (111年度初等考題) 


17. 有N級放大器,其中每一級的增益AoN和頻寬ωHN都完全相同,若該N級放大器串接在一起且N為有限值;試問其總頻寬ωH相較於單一級放大器的頻寬ωHN,下列敘述何者正確? (110年度初等考題) 


18. 理想CMOS反相器(Inverter)的靜態功率損耗為何? (109年度初等考題) 


19. 有一增益為A=10000,單極頻率(single pole frequency)為105 rad/s之放大器,將其置入回饋因素(feedback factor)f=0.01的回饋迴路,設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益(open loop gain),則此放大器之開迴路單一增益頻率(unit gain frequency)為: (111年度初等考題) 


20. 如圖所示二極體電路,若所有二極體為理想二極體,則電路中電流I為多少?
 (107年度初等考題) 


21. 圖示理想二極體電路,下列何者為其電壓轉移特性?(其中m表斜率)
 (111年度初等考題) 


22. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道? (111年度初等考題) 


23. 某運算放大器的共模增益Acm=-0.01,差模增益Ad=100,則其CMRR為若干dB? (109年度初等考題) 


24. 60Hz的交流小訊號經全波整流後,輸出訊號之頻率應為: (109年度初等考題) 


25. 關於雙載子電晶體(BJT)的小信號模型,下列敘述何者錯誤?
 (111年度初等考題) 


26. 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳VI1、VI2的電壓波形如下所示,VCC=5V,R1=R2=1kΩ,R3=R4=100Ω,CL=5μF,電晶體電流增益βQ1=βQ2=100。試研判電晶體Q1的集極電流比較低的時間點:
 (107年度初等考題) 


27. 下列為一主動式濾波器(Active filter)。設U1為理想運算放大器,試問此電路轉移函數(Transfer function)T(s)≡Vo/Vi的數學形式為何?
 (108年度初等考題) 


28. 如圖電路,已知R=10kΩ和C=0.01μF,輸入為±5V對稱方波,試求輸出三角波電壓在t=0到t=t1的斜率為多少V/sec?
 (109年度初等考題) 


29. 如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中,在集極端直接耦接有一3.5kΩ的負載,電晶體基-射極的導通定電壓為0.8V下,求該電晶體於集極端的電壓約為多少?
 (111年度初等考題) 


30. 一個雙極性接面電晶體,其單一增益(unity-gain)頻率fT=20GHz,在Ic=1mA下,電晶體增益β=120,則電晶體的頻寬約為多少? (108年度初等考題) 


31. 下列有關理想運算放大器的特性,何者正確? (109年度初等考題) 


32. 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳VI1、VI2的電壓波形如下所示,VCC=5V,R1=R2=1kΩ,R3=R4=100Ω,CL=5μF,電晶體電流增益βQ1=βQ2=100。試研判電晶體Q2在時間點T最可能的工作模式:
 (109年度初等考題) 


33. 有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述,下列何者正確?
 (111年度初等考題) 


34. 圖示電路中vI為輸入電壓、vo為輸出電壓,本電路為何種電路?
 (110年度初等考題) 


35. 雙極性電晶體(BJT)若工作在截止區時: (111年度初等考題) 


36. 電路上某npn雙極性接面電晶體(BJT)工作在飽和區(Saturation Region),已知電路之電源電壓為8V,下列何者正確?
 (111年度初等考題) 


37. 稽納(Zener)二極體若應用在穩壓電路時,其工作區域為: (110年度初等考題) 


38. 如圖所示之電路,假如二極體之壓降VD為0.7V,求其輸出電壓vo之平均值為何?
 (109年度初等考題) 


39. 將一個n-通道增強型MOSFET的汲極與閘極短路。此電晶體μnCox=20μA/V2,W/L=10,Vt=0.5V。若使汲極電流為100μA,問電晶體的過驅電壓(overdrive voltage)為多少? (108年度初等考題) 


40. 如圖二階低通濾波電路,欲實現具有最大平坦度且3dB頻率為7.07×105 rad/s,當電阻R為5kΩ時,所需的電容C值為何?
 (111年度初等考題) 


41. 圖示為某Vt=1V之NMOS場效電晶體所構成的電路,若電晶體工作在飽和區(saturation region),下列有關電壓VD之敘述,何者正確?
 (110年度初等考題) 


42. 如圖所示之非穩態電路,輸出vo的飽和電壓在±10V,其R1=100kΩ,R2=R=1MΩ且C=0.01μF,試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓(threshold voltage)轉換到下一個正臨界電壓約需花多少時間?
 (107年度初等考題) 


43. 如圖非穩態電路,輸出vo的飽和電壓在±10V,其R1=100kΩ,R2=R=1MΩ且C=0.01μF;試問v在什麼電壓時,輸出電壓vo會轉態?
 (108年度初等考題) 


44. 如圖所示之電路,其中電晶體之參數為β=120,VT=26mV,VBE(on)=0.7V且爾利(Early)電壓VA=∞,求此電路之小信號電壓增益值為何?
 (107年度初等考題) 


45. 圖中v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波,經過微分器後,其輸出波形為何?
 (109年度初等考題) 


46. 如圖為MOSFET差動式放大器,已知電晶體Q1和Q2的臨界電壓VTH、轉導gm、輸出阻抗ro等參數均相同,試求差動增益Ad=vod/vid之值?
 (109年度初等考題) 


47. 如圖所示之電路,其中電晶體之爾利(Early)電壓VA=∞,求此電路之小信號輸出阻抗值為何?
 (109年度初等考題) 


48. 如圖所示韋恩電橋振盪器(Wien-bridge oscillator),其所產生的波形為下列何者?
 (107年度初等考題) 


49. 如圖所示之電路,假設二極體D之壓降為0.8V,其IR1與Iin之關係亦如圖所示,圖中I1之表示式為何?
 (108年度初等考題) 


50. 假設電晶體操作於飽和區,如圖所示共閘極放大器之增益(vo/vi)為何?電晶體之μnCox=500μA/V2,W/L=100,VTH=0.6V,VGS=0.8V。
 (111年度初等考題)