單選題 每題2分

---

1. 全波整流電路的漣波頻率是輸入頻率的幾倍？　(108年度初等考題)　

---

2. 若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為25°C時，飽和電流（saturation current）I_o＝2μA，試問當溫度升高到55°C時，飽和電流為多少？　(107年度初等考題)　

---

3. 如圖所示之共射極放大器，I_C＝1mA且V_BE＝0.8V。假設電晶體於飽和時之V_CE(sat)＝0.3V，請問在保持放大器的正常操作下，R_L最大的可允許值為何？
　(107年度初等考題)　

---

4. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）之I_B＝0.1mA，I_E＝6mA，且β＝99，則：　(107年度初等考題)　

---

5. 如圖之RC串級放大電路中，第2級放大電路（未顯示）的輸入電阻R_i2＝1.5kΩ，電晶體之β₁＝81、V_BE,on＝0.6V，求第1級放大電路的電壓增益大小（v_o1/v_i）最接近值為：
　(109年度初等考題)　

---

6. 一個雙極性接面電晶體，其單一增益（unity-gain）頻率f_T＝20GHz，在I_c＝1mA下，電晶體增益β＝120，則電晶體的頻寬約為多少？　(108年度初等考題)　

---

7. 如圖電路，已知R＝10kΩ和C＝0.01μF，輸入為±5V對稱方波，試求輸出三角波電壓在t＝0到t＝t₁的斜率為多少V/sec？
　(109年度初等考題)　

---

8. 圖示理想二極體電路中，若輸入v_I為峰對峰值10V的方波，在穩態時下列有關輸出v_O的敘述，何項正確？
　(110年度初等考題)　

---

9. 有一放大器電路如圖所示，放大器U1為理想的運算放大器，二極體D1順向壓降V_D0＝0.7V。若R1＝1kΩ，輸入電壓V_I＝5V，試問輸出電壓V_o應落在下列何範圍內？
　(108年度初等考題)　

---

10. 有一N通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓V_P＝－4V，且源極電壓V_S＝0V，則下列那一個條件可使此JFET工作於飽和區？　(111年度初等考題)　

---

11. 如圖所示電路，若V_CC＝12V，V_CE＝12V，則此電晶體的工作區為何？
　(107年度初等考題)　

---

12. 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知V＝15V、R1＝40kΩ、Rf＝60kΩ、R2＝9kΩ、R3＝3kΩ、R4＝3kΩ、R5＝9kΩ。若v_I＝2V，試求輸出電壓v_O約為多少？
　(108年度初等考題)　

---

13. 如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中，電晶體的輸出直流電壓工作點為4V，電晶體β值變為原來的2倍而其他特性參數不變，則R_B必須變為原來的多少倍才能使輸出直流電壓工作點變為6V？
　(108年度初等考題)　

---

14. 如圖所示之運算放大器電路，其中A_o＝∞，求此電路之電壓增益為何？　(108年度初等考題)　

---

15. 已知一運算放大器（OPA）的開路直流增益A_o為100dB和單一增益頻率f_T為10MHz，若此OPA接成非反相輸入（non-inverting input）放大器，其增益A_v為60dB；試問該非反相輸入放大器的頻寬f_H約為多少？　(109年度初等考題)　

---

16. 如圖所示之電路，假設二極體D之壓降為0.8V，其I_R1與I_in之關係亦如圖所示，圖中I₁之表示式為何？
　(108年度初等考題)　

---

17. 若輸入信號v_i如圖所示，二極體之導通電壓為0V，導通電阻為0Ω，電容C1兩端之初始電壓差為0V，關於輸出信號v_o的敘述，下列何者錯誤？
　(108年度初等考題)　

---

18. 如圖所示的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，R₁＝R＝5kΩ、R₂＝2R、C₁＝2C₂，當該電路處於等幅振盪時，R_f的電阻值應約為多少？
　(108年度初等考題)　

---

19. 如圖所示為史密特觸發電路及其輸入－輸出轉移特性曲線，其中OPA為理想，若R₂為3kΩ，則R₁的電阻值約為多少？
　(107年度初等考題)　

---

20. 圖示截波電路中，齊納（Zener）二極體D₁與D₂於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V_Z1＝5V與V_Z2＝7V，當輸入信號v_i(t)＝10sin (ωt)伏特時，求輸出信號v_o(t)的峰對峰電壓值為多少伏特？
　(109年度初等考題)　

---

21. 如圖所示之電路，二極體為理想，若V_in為一DC值為零且振幅為5V的正弦波，求最高及最低的V_out為何？
　(110年度初等考題)　

---

22. 將一個n-通道增強型MOSFET的汲極與閘極短路。此電晶體μ_nC_ox＝20μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。若使汲極電流為100μA，問電晶體的過驅電壓（overdrive voltage）為多少？　(108年度初等考題)　

---

23. 下圖電路中，設運算放大器（OPA）為理想，則從A點看入的輸入阻抗為何？
　(108年度初等考題)　

---

24. 如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o→∞，則此放大器的電壓增益為何？
　(110年度初等考題)　

---

25. 有一放大器可將1mV的信號放大至1V，則其分貝增益為：　(108年度初等考題)　

---

26. 理想CMOS反相器（Inverter）的靜態功率損耗為何？　(109年度初等考題)　

---

27. 令流入運算放大器輸入端之電流為I_i，兩輸入端間電壓差為V_i，則一個理想反相運算放大器之虛接地（virtual ground）特性為：　(110年度初等考題)　

---

28. 二極體順向導通時，下列何者正確？　(107年度初等考題)　

---

29. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₁的集極電流比較低的時間點：
　(107年度初等考題)　

---

30. 如圖所示符號為下列何種元件？　(107年度初等考題)　

---

31. 下列何者不是二極體電路的主要應用？　(109年度初等考題)　

---

32. 如圖所示之電路，已知V_T＝26mV，其中電晶體之參數為：β＝150，V_BE(on)＝0.7V，且爾利（Early）電壓V_A為∞，求此電路之小信號電壓增益值約為何？
　(108年度初等考題)　

---

33. 圖示MOS電路，v_i為輸入電壓，v_o為輸出電壓，本電路主要作用為何？
　(111年度初等考題)　

---

34. 運算放大器反相微分器（differentiator）電路中，回授電路元件為：　(110年度初等考題)　

---

35. 電容器C₁～C₃配合變壓器T及二極體D₁～D₃所構成之倍壓電路如圖，輸入信號v_i(t)＝100sin（377t）伏特、N₁：N₂＝10：1且變壓器與所有二極體均視為理想時，在電路穩態條件下電容器C₁～C₃所跨電壓V_C1～V_C3之敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

---

36. 矽雙極性電晶體（BJT）工作在飽和區模式時，其基射極之間的電位差約為：　(111年度初等考題)　

---

37. 圖示電路中v_I為輸入電壓、v_o為輸出電壓，本電路為何種電路？
　(110年度初等考題)　

---

38. 圖示PMOS場效電晶體電路，電晶體之V_t＝－0.5V，若R_G1＝3MΩ、R_G2＝2MΩ、V_DD＝5V，欲電晶體在飽和區工作，電壓V_D的最大值應為若干伏特？
　(111年度初等考題)　

---

39. 如圖為一方波振盪器。若OP AMP輸出的上下限為±10V。R₂＝R₃、R₁C₁＝10ms。求方波的週期？
　(110年度初等考題)　

---

40. 若某空乏型NMOS場效電晶體之臨界電壓為V_t，其參數電流I_DSS是電晶體：
　(108年度初等考題)　

---

41. 圖示電晶體在主動區工作，電晶體的β＝99，V_BE＝0.7V，則電晶體的集極電壓V_C約為：　(110年度初等考題)　

---

42. 直接耦合串級放大電路於未耦合前第1級放大電路的集極偏壓電流為1毫安培（1mA），如圖決定耦合後第2級放大電路的電壓增益大小（v_o/v_i2的大小）？其中Q₂之β₂＝99及V_BE,on＝0.8V，熱電壓V_T＝25mV。
　(110年度初等考題)　

---

43. 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β＝50，爾利電壓（Early voltage, V_A）＝10V，g_m＝10mA/V，熱電壓（thermal voltage）＝25mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？
　(110年度初等考題)　

---

44. 圖示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±10V，二極體導通時兩端電壓為0.7V，輸入電壓v_I為＋1V，則v_O為若干V？
　(109年度初等考題)　

---

45. 某β＝100之npn雙極性接面電晶體，若I_B＝10μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？　(111年度初等考題)　

---

46. 關於MOSFET的本質增益g_m r_o，下列敘述何者正確？　(109年度初等考題)　

---

47. 如圖所示之非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF，試問振盪頻率f_o為多少？
　　(107年度初等考題)　

---

48. 下圖中二極體D1與D2之導通電壓為0.7V，導通電阻為0Ω，輸入信號為弦波，v_i(t)＝4sin10t伏特，R1、R2、R3皆為10Ω，則電流| i |之最大值為何？
　(111年度初等考題)　

---

49. 如圖所示為一CMOS反相器，電晶體之μ_nC_ox＝μ_pC_ox；兩電晶體之W/L相同；V_tn＝| V_tp |。反相器之負載為電容C_L。若輸入的信號v_i為方波，其高電位為V_DD、低電位為0，週期為T。問流過電晶體Q_P的平均電流？
　(109年度初等考題)　

---

50. 有一半波整流器的輸入電壓峰值為10V，則其輸出電壓的峰值大約為：　(111年度初等考題)　

---