單選題 每題2分

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1. 如圖電路，已知R＝10kΩ和C＝0.01μF，輸入為±5V對稱方波，試求輸出三角波電壓在t＝0到t＝t₁的斜率為多少V/sec？
　(109年度初等考題)　

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2. 一幾何比W/L固定的場效電晶體（FET）工作於飽和區，當過驅電壓V_OV（Overdrive V_oltage）變為原來的2倍，則轉導g_m（Transconductance）將變為原來的：　(108年度初等考題)　

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3. 如圖所示之偏壓電路，調整可變電阻V_R的大小使下列何者為0時，可測得JFET之夾止電壓（V_P）？
　(107年度初等考題)　

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4. 如圖所示之電路，假定β＝100且V_BE(on)＝0.7V，若電晶體之直流工作點V_CEQ＝5V且I_CQ＝10mA，求R_B之值為何？
　(107年度初等考題)　

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5. 將一個n-通道增強型MOSFET的汲極與閘極短路。此電晶體μ_nC_ox＝20μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。若使汲極電流為100μA，問電晶體的過驅電壓（overdrive voltage）為多少？　(108年度初等考題)　

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6. 如圖電路中，將訊號源連接在輸入端V₁和V₂之間，所看到的輸入電阻為R_in1；將訊號源同時連接在輸入端V₁和V₂上，所看到的輸入電阻為R_in2，其值分別為何？
　(110年度初等考題)　

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7. 圖示電路，若V_CC＝10V，V_CE＝3V，則此電晶體的工作區應為何？
　(109年度初等考題)　

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8. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₁的集極電流比較低的時間點：
　(107年度初等考題)　

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9. 如圖非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF；試問v^－在什麼電壓時，輸出電壓v_o會轉態？
　(108年度初等考題)　

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10. 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時，飽和電流（saturation current）為I_o，已知溫度每變化1°C，飽和電流變化約7%，試問溫度增加10°C，飽和電流如何變化？　(108年度初等考題)　

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11. 如圖所示之電路，假如A_o＝∞，求此電路之閉迴路增益為何？
　(110年度初等考題)　

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12. 若某空乏型NMOS場效電晶體之臨界電壓為V_t，其參數電流I_DSS是電晶體：
　(108年度初等考題)　

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13. 漣波因素（ripple factor）或漣波百分比（r%）用以評比整流－濾波電路之優劣，已知各種整流濾波電路所提供之相關資訊如輸出信號之有效值電壓V_o(rms)＝A、平均值電壓V_o(dc)＝B伏特、漣波電壓有效值V_r(rms)＝C伏特，那一選項中電路的濾波效果最佳？　(109年度初等考題)　

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14. 如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻R＝？
　(110年度初等考題)　

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15. 如圖所示二極體電路，若所有二極體為理想二極體，則電路中電流I為多少？
　(107年度初等考題)　

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16. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝120，V_T＝26mV，V_BE(on)＝0.7V且爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(107年度初等考題)　

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17. 圖示半波整流電路之輸入信號v_i(t)＝20sin (754t)伏特及N₁：N₂＝2：1，變壓器與二極體均視為理想，關於輸出信號v_o(t)之頻率f_o、有效值電壓V_o(rms)、平均值電壓V_o(dc)、峰值電壓V_o(p)等的約略值，下列敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

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18. 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之g_m＝0.5mA/V，V_A＝∞，R_D＝5kΩ，則此放大器的輸入電阻R_i為：
　(108年度初等考題)　

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19. 圖示的理想箝位電路中，已知輸入信號v_i (t)及輸出信號v_o (t)的最大值分別為10及6伏特，則偏壓電源V_R為多少？
　(108年度初等考題)　

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20. 電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為V_CC＝10V及V_BB＝1.6V，R₁＝1.5kΩ、R₂＝50kΩ，該放大電路的輸入直流電流I_BQ約為多少？
　(110年度初等考題)　

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21. 一個雙極性接面電晶體，其單一增益（unity-gain）頻率f_T＝20GHz，在I_c＝1mA下，電晶體增益β＝120，則電晶體的頻寬約為多少？　(108年度初等考題)　

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22. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）之I_B＝0.1mA，I_E＝6mA，且β＝99，則：　(107年度初等考題)　

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23. 雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗r_o，是下列何種效應所造成？　(110年度初等考題)　

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24. 如圖所示之共射極放大器，I_C＝1mA且V_BE＝0.8V。假設電晶體於飽和時之V_CE(sat)＝0.3V，請問在保持放大器的正常操作下，R_L最大的可允許值為何？
　(107年度初等考題)　

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25. 有一放大器電路如圖所示，放大器U1為理想的運算放大器，二極體D1順向壓降V_D0＝0.7V。若R1＝1kΩ，輸入電壓V_I＝5V，試問輸出電壓V_o應落在下列何範圍內？
　(108年度初等考題)　

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26. 電路上某npn雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為8V，下列何者正確？
　(111年度初等考題)　

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27. 有一個電壓訊號v對時間t的函數為v(t)＝6sin（2πf₁t）＋12sin（2πf₂t）伏特，f₁＝5kHz，f₂＝8kHz。將此電壓訊號加到一個1Ω的電阻之上。問此電阻承受的訊號功率為何？　(109年度初等考題)　

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28. 對於n-通道增強型MOSFET的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？　(108年度初等考題)　

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29. 理想CMOS反相器（Inverter）的靜態功率損耗為何？　(109年度初等考題)　

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30. 關於BJT電晶體之敘述，下列何者正確？　(111年度初等考題)　

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31. 如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若R_i＝20kΩ，R_f＝200kΩ，R₁＝1.5kΩ，C₁＝0.02μF，則此電路的截止頻率f_CH為多少？
　(111年度初等考題)　

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32. 圖示MOS電路，v_i為輸入電壓，v_o為輸出電壓，本電路主要作用為何？
　(111年度初等考題)　

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33. 於積體電路設計中使用主動負載的放大器，相對於使用被動負載，其好處不包含下列何者？　(111年度初等考題)　

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34. 兩電晶體Q₁（β₁＝49）與Q₂（β₂＝79）直接耦合的串級放大電路如圖所示，其中Q₁的基極偏壓電流為I_B1＝1.25μA，求該放大電路之輸出電阻R_o約為多少Ω？熱電壓V_T＝25毫伏特。
　(108年度初等考題)　

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35. 如圖所示韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），其所產生的波形為下列何者？
　(107年度初等考題)　

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36. 圖示電路中場效電晶體（FET）之V_TH＝－0.7V，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？
　(109年度初等考題)　

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37. 雙極性電晶體（BJT）若工作在截止區時：　(111年度初等考題)　

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38. 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知V＝15V、R1＝40kΩ、Rf＝60kΩ、R2＝9kΩ、R3＝3kΩ、R4＝3kΩ、R5＝9kΩ。若v_I＝2V，試求輸出電壓v_O約為多少？
　(108年度初等考題)　

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39. 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β＝50，爾利電壓（Early voltage, V_A）＝10V，g_m＝10mA/V，熱電壓（thermal voltage）＝25mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？
　(110年度初等考題)　

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40. 有關運算放大器的應用，下列電路何者使用負回授電路？　(111年度初等考題)　

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41. 一個NPN雙極性電晶體，若β＝50且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？　(109年度初等考題)　

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42. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_id/i：
　(111年度初等考題)　

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43. 如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7V，則二極體D₂之逆向峰值電壓（PIV）為何？
　(111年度初等考題)　

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44. 下列何者不是二極體電路的主要應用？　(109年度初等考題)　

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45. 如圖為一共閘（CG）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o→∞，則此放大器的電壓增益為何？
　(108年度初等考題)　

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46. 圖示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m表斜率）
　(111年度初等考題)　

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47. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則電流增益為：　(110年度初等考題)　

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48. 如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為g_m，輸出電阻為r_o→∞，則此放大器的電壓增益為何？
　(110年度初等考題)　

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49. 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為β_npn＝100，1kT/q＝1V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝∞，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝4mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(109年度初等考題)　

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50. 如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），已知R＝10kΩ，C＝16nF，請問使此電路產生振盪的基本條件R₂/R₁值應為多少？
　(107年度初等考題)　

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