單選題 每題2分

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1. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝120，V_T＝26mV，V_BE(on)＝0.7V且爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(107年度初等考題)　

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2. 圖示電路中場效電晶體（FET）之V_TH＝－0.7V，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？
　(109年度初等考題)　

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3. 如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低，則漣波電壓會如何變化？　(110年度初等考題)　

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4. 如圖所示為一MOSFET疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？
　(107年度初等考題)　

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5. 請問下列何種電路架構為反相放大器？　(107年度初等考題)　

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6. 如圖所示之電路，假設二極體D之壓降為0.8V，其I_R1與I_in之關係亦如圖所示，圖中I₁之表示式為何？
　(108年度初等考題)　

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7. 若輸入信號v_i如圖所示，二極體之導通電壓為0V，導通電阻為0Ω，電容C1兩端之初始電壓差為0V，關於輸出信號v_o的敘述，下列何者錯誤？
　(108年度初等考題)　

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8. 圖示截波電路中，齊納（Zener）二極體D₁與D₂於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V_Z1＝5V與V_Z2＝7V，當輸入信號v_i(t)＝10sin (ωt)伏特時，求輸出信號v_o(t)的峰對峰電壓值為多少伏特？
　(109年度初等考題)　

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9. 下列為一主動式濾波器（Active filter）。設U1為理想運算放大器，試問此電路轉移函數（Transfer function）T(s)≡V_o/V_i的數學形式為何？
　(108年度初等考題)　

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10. 有一半波整流器的輸入電壓峰值為10V，則其輸出電壓的峰值大約為：　(111年度初等考題)　

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11. 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L₁＝40μH，L₂＝10μH，C＝100pF，R＝1kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？
　(107年度初等考題)　

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12. 如圖所示之共射極放大器，I_C＝1mA且V_BE＝0.8V。假設電晶體於飽和時之V_CE(sat)＝0.3V，請問在保持放大器的正常操作下，R_L最大的可允許值為何？
　(107年度初等考題)　

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13. 已知一運算放大器（OPA）的開路直流增益A_o為100dB和單一增益頻率f_T為10MHz，若此OPA接成非反相輸入（non-inverting input）放大器，其增益A_v為60dB；試問該非反相輸入放大器的頻寬f_H約為多少？　(109年度初等考題)　

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14. 有關運算放大器的應用，下列電路何者使用負回授電路？　(111年度初等考題)　

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15. 對於半波整流電路，若AC電源頻率為60Hz，則其經整流後之漣波頻率為下列何者？　(107年度初等考題)　

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16. 有一N通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓V_P＝－4V，且源極電壓V_S＝0V，則下列那一個條件可使此JFET工作於飽和區？　(111年度初等考題)　

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17. 下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

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18. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₁的集極電流比較低的時間點：
　(107年度初等考題)　

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19. 對於n-通道增強型MOSFET的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？　(108年度初等考題)　

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20. 雙極性電晶體接成共集極組態時，其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何？　(111年度初等考題)　

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21. 用於中間抽頭變壓器型及橋式全波整流電路的變壓器，初級／次級線圈匝數比均為N₁：N₂且輸入信號同為v_i(t)＝100sin（377t）伏特，變壓器與二極體均為理想，中間抽頭型及橋式全波整流電路中二極體之峰值逆向電壓為PIV1與PIV2、輸出信號有效值電壓為V_o1(rms)及V_o2(rms)間關聯性何者正確？　(109年度初等考題)　

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22. 下列有關圖示電路的敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

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23. 有一運算放大器（OPA），已知其直流增益為100dB和單一增益頻率f_T為5MHz，試求其－3dB的頻寬f_B為多少？　(109年度初等考題)　

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24. 一個NPN雙極性電晶體，若β＝50且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？　(109年度初等考題)　

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25. 如圖所示之非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF，試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（threshold voltage）轉換到下一個正臨界電壓約需花多少時間？
　(107年度初等考題)　

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26. 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時，飽和電流（saturation current）為I_o，已知溫度每變化1°C，飽和電流變化約7%，試問溫度增加10°C，飽和電流如何變化？　(108年度初等考題)　

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27. 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓v_I的波形如下所示，V_DD＝5V，假設兩個電晶體Q_P、Q_N的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為| V_th |＝0.5V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即。試研判下列波形何者最接近輸出電壓v_O的波形？
　(107年度初等考題)　

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28. 圖示理想運算放大器電路中，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V，輸入電壓v_I為－2V，則v_O為若干？
　(110年度初等考題)　

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29. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，求其輸出電壓v_out之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
　(107年度初等考題)　

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30. 如圖為MOSFET差動式放大器，已知電晶體Q₁和Q₂的臨界電壓V_TH、轉導g_m、輸出阻抗r_o等參數均相同，試求差動增益A_d＝v_od/v_id之值？
　(109年度初等考題)　

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31. 在BJT電晶體的放大器中，若訊號的擺幅很小，則電晶體的爾利效應（Early effect）可以等效為下列何者？　(110年度初等考題)　

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32. 一幾何比W/L固定的場效電晶體（FET）工作於飽和區，當過驅電壓V_OV（Overdrive V_oltage）變為原來的2倍，則轉導g_m（Transconductance）將變為原來的：　(108年度初等考題)　

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33. 某運算放大器的共模增益A_cm＝－0.01，差模增益A_d＝100，則其CMRR為若干dB？　(109年度初等考題)　

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34. 如圖示截波電路，其中輸入信號v_i(t)為振幅12伏特的弦波且D為理想二極體，如果要得到峰對峰電壓值為16伏特的輸出信號，則偏壓電源V_R應為多少？
　(110年度初等考題)　

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35. 令流入運算放大器輸入端之電流為I_i，兩輸入端間電壓差為V_i，則一個理想反相運算放大器之虛接地（virtual ground）特性為：　(110年度初等考題)　

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36. 在整流電容濾波器中，若負載不變時，濾波電容量愈大，則輸出端的漣波電壓為下列何者？　(107年度初等考題)　

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37. 圖示的理想箝位電路中，已知輸入信號v_i (t)及輸出信號v_o (t)的最大值分別為10及6伏特，則偏壓電源V_R為多少？
　(108年度初等考題)　

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38. 如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為0.6V，β及R₁、R₂均變成原來的1.5倍，電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放大範圍。
　(110年度初等考題)　

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39. 如圖運算放大器電路，若電壓增益A為無限大，試求輸出電壓v_o＝？
　(109年度初等考題)　

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40. 如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若R_i＝20kΩ，R_f＝200kΩ，R₁＝1.5kΩ，C₁＝0.02μF，則此電路的截止頻率f_CH為多少？
　(111年度初等考題)　

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41. 圖示為某V_t＝1V之NMOS場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓V_D之敘述，何者正確？
　(110年度初等考題)　

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42. 如圖所示之電路，已知V_T＝26mV，其中電晶體之參數為：β＝150，V_BE(on)＝0.7V，且爾利（Early）電壓V_A為∞，求此電路之小信號電壓增益值約為何？
　(108年度初等考題)　

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43. 下列何種電路適合應用於輸出緩衝級？　(108年度初等考題)　

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44. 如圖電路，已知輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝1MΩ；若在電容器C旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為0.7V，則輸出電壓v_o會在什麼狀態？
　(111年度初等考題)　

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45. 圖示理想二極體電路中，若輸入v_I為峰對峰值10V的方波，在穩態時下列有關輸出v_O的敘述，何項正確？
　(110年度初等考題)　

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46. 如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中，電晶體的輸出直流電壓工作點為4V，電晶體β值變為原來的2倍而其他特性參數不變，則R_B必須變為原來的多少倍才能使輸出直流電壓工作點變為6V？
　(108年度初等考題)　

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47. 一個雙極性接面電晶體，其單一增益（unity-gain）頻率f_T＝20GHz，在I_c＝1mA下，電晶體增益β＝120，則電晶體的頻寬約為多少？　(108年度初等考題)　

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48. 下圖電路中輸入信號為弦波v_i(t)＝0.5sin 10t伏特，二極體D₁與D₂之導通電壓皆為0.7V，導通電阻為100Ω。則電壓v_o(t)最大值為多少伏特？
　(110年度初等考題)　

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49. 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特(V)？
　(110年度初等考題)　

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50. 全波整流電路的漣波頻率是輸入頻率的幾倍？　(108年度初等考題)　

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