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初等五等 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 電子學大意 » (收錄107年~111年歷屆試題,每次隨機抽取50題)
單選題
每題2分
1. 分析如圖之電路,若稽納(Zener)二極體ZD1、ZD2之崩潰電壓為6V,導通電壓為0.7V,且導通電阻值為0Ω。v
I
=10sinωt (V),則電阻上流過之最大電流為何?
(108年度初等考題)
(A)0mA
(B)1.65mA
(C)3.35mA
(D)4.3mA。
2. 如圖所示之電路,假如A
o
=∞,求此電路之閉迴路增益為何?
(110年度初等考題)
(A)12
(B)15
(C)19
(D)21。
3. 如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中,電晶體的輸出直流電壓工作點為4V,電晶體β值變為原來的2倍而其他特性參數不變,則R
B
必須變為原來的多少倍才能使輸出直流電壓工作點變為6V?
(108年度初等考題)
(A)0.75倍
(B)1.5倍
(C)2倍
(D)3倍。
4. 一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器,輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓V
o(rms)
=14.14伏特,則流過負載R
L
=2kΩ之峰值電流I
o(p)
約為多少? (107年度初等考題)
(A)5mA
(B)7.07mA
(C)10mA
(D)14.14mA。
5. 如圖所示之電路,假設二極體為理想,求其輸出電壓v
out
之漣波電壓(ripple voltage)值為何?
(107年度初等考題)
(A)0.22V
(B)1.88V
(C)3.55V
(D)5.66V。
6. 夾止電壓V
GS(P)
為4V之p通道MOSFET工作在夾止飽和區且在V
GS1
=1V及V
GS2
=3V時,測得汲極電流分別為I
D1
及I
D2
。若I
D1
+I
D2
=10mA,當V
GS
=0V時,則該MOSFET的汲極電流約為多少? (108年度初等考題)
(A)10mA
(B)16mA
(C)20mA
(D)24mA。
7. 如圖所示共射極放大器之v
o
/v
i
為何?假設電晶體之g
m
=50mA/V,β=50。
(109年度初等考題)
(A)-25
(B)-50
(C)-75
(D)-100。
8. 如圖所示電路,若V
CC
=12V,V
CE
=12V,則此電晶體的工作區為何?
(107年度初等考題)
(A)主動區(active region)
(B)截止區(cutoff)
(C)三極管區(triode region)
(D)飽和區(saturation region)。
9. 關於BJT電晶體之敘述,下列何者正確? (111年度初等考題)
(A)電晶體操作在飽和(saturation)區時之轉導值(transconductance)較操作於順向主動區(forward active region)時為大
(B)電晶體操作在飽和區時之輸出阻抗r
o
較操作於順向主動區時為大
(C)操作於放大器模式時,基集極接面應避免順向偏壓
(D)電晶體操作在截止(cutoff)區時,基射極接面必為順向偏壓。
10. 一幾何比W/L固定的場效電晶體(FET)工作於飽和區,當過驅電壓V
OV
(Overdrive V
o
ltage)變為原來的2倍,則轉導g
m
(Transconductance)將變為原來的: (108年度初等考題)
(A)1倍
(B)2倍
(C)4倍
(D)8倍。
11. 如圖所示之電路,假設二極體為理想,試求輸出電壓之最大正值為何?
(111年度初等考題)
(A)1V
(B)4V
(C)7V
(D)10V。
12. 如圖所示之電路,假定β=100且V
BE(on)
=0.7V,若電晶體之直流工作點V
CEQ
=5V且I
CQ
=10mA,求R
B
之值為何?
(107年度初等考題)
(A)34kΩ
(B)68kΩ
(C)102kΩ
(D)136kΩ。
13. 如圖所示放大器,外接電容為CC1、CC2和CS,MOSFET的寄生電容約為C
gs
和C
gd
。有關此放大器電路的低頻響應,下列敘述何者正確?
(110年度初等考題)
(A)主要是受外接電容的影響
(B)主要是受MOSFET寄生電容的影響
(C)受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度均相同
(D)主要受其他電容影響,但受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度不大。
14. 圖示電晶體在主動區工作,電晶體的β=99,V
BE
=0.7V,則電晶體的集極電壓V
C
約為: (110年度初等考題)
(A)8V
(B)6V
(C)4V
(D)2V。
15. 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時,飽和電流(saturation current)為I
o
,已知溫度每變化1°C,飽和電流變化約7%,試問溫度增加10°C,飽和電流如何變化? (108年度初等考題)
(A)飽和電流約為10 I
o
(B)飽和電流約為2 I
o
(C)飽和電流約為0.5 I
o
(D)飽和電流約為0.1 I
o
。
16. 如圖電路,設二極體均為理想二極體,R=10kΩ,R
1
=R
2
=5kΩ,V
1
=V
2
=5V。當v
I
=8V時,v
O
為多大?
(111年度初等考題)
(A)0
(B)3V
(C)6V
(D)8V。
17. 有N級放大器,其中每一級的增益A
oN
和頻寬ω
HN
都完全相同,若該N級放大器串接在一起且N為有限值;試問其總頻寬ω
H
相較於單一級放大器的頻寬ω
HN
,下列敘述何者正確? (110年度初等考題)
(A)ω
H
=ω
HN
(B)ω
H
>ω
HN
(C)ω
H
<ω
HN
(D)ω
H
=(ω
HN
)
N
。
18. 理想CMOS反相器(Inverter)的靜態功率損耗為何? (109年度初等考題)
(A)很大
(B)中等
(C)與邏輯狀態有關
(D)零。
19. 有一增益為A=10000,單極頻率(single pole frequency)為10
5
rad/s之放大器,將其置入回饋因素(feedback factor)f=0.01的回饋迴路,設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益(open loop gain),則此放大器之開迴路單一增益頻率(unit gain frequency)為: (111年度初等考題)
(A)10
9
rad/s
(B)10
5
rad/s
(C)10
3
rad/s
(D)10
2
rad/s。
20. 如圖所示二極體電路,若所有二極體為理想二極體,則電路中電流I為多少?
(107年度初等考題)
(A)-1mA
(B)0mA
(C)1mA
(D)3mA。
21. 圖示理想二極體電路,下列何者為其電壓轉移特性?(其中m表斜率)
(111年度初等考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
22. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道? (111年度初等考題)
(A)PN接面型場效電晶體
(B)MOS增強型場效電晶體
(C)MOS空乏型場效電晶體
(D)雙極性接面電晶體。
23. 某運算放大器的共模增益A
cm
=-0.01,差模增益A
d
=100,則其CMRR為若干dB? (109年度初等考題)
(A)-80
(B)-20
(C)20
(D)80。
24. 60Hz的交流小訊號經全波整流後,輸出訊號之頻率應為: (109年度初等考題)
(A)20Hz
(B)30Hz
(C)60Hz
(D)120Hz。
25. 關於雙載子電晶體(BJT)的小信號模型,下列敘述何者錯誤?
(111年度初等考題)
(A)在特定β的條件下,r
π
與偏壓電流成正比
(B)在特定β的條件下,g
m
與偏壓電流成正比
(C)在特定元件大小的條件下,r
o
與偏壓電流成反比
(D)對共射級放大器而言,r
π
越大則輸入阻抗越大。
26. 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳V
I1
、V
I2
的電壓波形如下所示,V
CC
=5V,R
1
=R
2
=1kΩ,R
3
=R
4
=100Ω,C
L
=5μF,電晶體電流增益β
Q1
=β
Q2
=100。試研判電晶體Q
1
的集極電流比較低的時間點:
(107年度初等考題)
(A)0
(B)t
1
(C)T
(D)t
2
。
27. 下列為一主動式濾波器(Active filter)。設U1為理想運算放大器,試問此電路轉移函數(Transfer function)T(s)≡V
o
/V
i
的數學形式為何?
(108年度初等考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
。
28. 如圖電路,已知R=10kΩ和C=0.01μF,輸入為±5V對稱方波,試求輸出三角波電壓在t=0到t=t
1
的斜率為多少V/sec?
(109年度初等考題)
(A)+5×10
4
(B)-5×10
4
(C)-10×10
4
(D)+10×10
4
。
29. 如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中,在集極端直接耦接有一3.5kΩ的負載,電晶體基-射極的導通定電壓為0.8V下,求該電晶體於集極端的電壓約為多少?
(111年度初等考題)
(A)9V
(B)7V
(C)5V
(D)4V。
30. 一個雙極性接面電晶體,其單一增益(unity-gain)頻率f
T
=20GHz,在I
c
=1mA下,電晶體增益β=120,則電晶體的頻寬約為多少? (108年度初等考題)
(A)107MHz
(B)125MHz
(C)146MHz
(D)167MHz。
31. 下列有關理想運算放大器的特性,何者正確? (109年度初等考題)
(A)輸入阻抗:0
(B)開迴路電壓增益:0
(C)共模電壓增益:0
(D)共模拒斥比CMRR:0。
32. 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳V
I1
、V
I2
的電壓波形如下所示,V
CC
=5V,R
1
=R
2
=1kΩ,R
3
=R
4
=100Ω,C
L
=5μF,電晶體電流增益β
Q1
=β
Q2
=100。試研判電晶體Q
2
在時間點T最可能的工作模式:
(109年度初等考題)
(A)飽和模式(Saturation mode)
(B)線性模式(Linear mode)
(C)主動模式(Active mode)
(D)截止模式(Cut-off mode)。
33. 有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述,下列何者正確?
(111年度初等考題)
(A)v
1
為弦波
(B)v
2
為方波
(C)v
3
近似為三角波
(D)v
3
的振幅較v
1
為小。
34. 圖示電路中v
I
為輸入電壓、v
o
為輸出電壓,本電路為何種電路?
(110年度初等考題)
(A)倍壓電路
(B)濾波電路
(C)截波電路
(D)箝位電路。
35. 雙極性電晶體(BJT)若工作在截止區時: (111年度初等考題)
(A)基射極接面、基集極接面都順偏
(B)基射極接面順偏、基集極接面逆偏
(C)基射極接面逆偏、基集極接面順偏
(D)基射極接面、基集極接面都逆偏。
36. 電路上某npn雙極性接面電晶體(BJT)工作在飽和區(Saturation Region),已知電路之電源電壓為8V,下列何者正確?
(111年度初等考題)
(A)V
CE
=0.2V
(B)V
CE
=8V
(C)V
CB
=0.7V
(D)V
CB
=2.1V。
37. 稽納(Zener)二極體若應用在穩壓電路時,其工作區域為: (110年度初等考題)
(A)順向導通區
(B)飽和區
(C)逆向截止區
(D)逆向崩潰區。
38. 如圖所示之電路,假如二極體之壓降V
D
為0.7V,求其輸出電壓v
o
之平均值為何?
(109年度初等考題)
(A)5.37V
(B)10.58V
(C)23.3V
(D)109.3V。
39. 將一個n-通道增強型MOSFET的汲極與閘極短路。此電晶體μ
n
C
ox
=20μA/V
2
,W/L=10,V
t
=0.5V。若使汲極電流為100μA,問電晶體的過驅電壓(overdrive voltage)為多少? (108年度初等考題)
(A)0.5V
(B)0.707V
(C)1V
(D)1.414V。
40. 如圖二階低通濾波電路,欲實現具有最大平坦度且3dB頻率為7.07×10
5
rad/s,當電阻R為5kΩ時,所需的電容C值為何?
(111年度初等考題)
(A)100pF
(B)200pF
(C)500pF
(D)707pF。
41. 圖示為某V
t
=1V之NMOS場效電晶體所構成的電路,若電晶體工作在飽和區(saturation region),下列有關電壓V
D
之敘述,何者正確?
(110年度初等考題)
(A)V
D
之最大值為1V
(B)V
D
之最小值為1V
(C)V
D
之最大值為2V
(D)V
D
之最小值為2V。
42. 如圖所示之非穩態電路,輸出v
o
的飽和電壓在±10V,其R
1
=100kΩ,R
2
=R=1MΩ且C=0.01μF,試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓(threshold voltage)轉換到下一個正臨界電壓約需花多少時間?
(107年度初等考題)
(A)1.825ms
(B)3.650ms
(C)8.33ms
(D)16.66ms。
43. 如圖非穩態電路,輸出v
o
的飽和電壓在±10V,其R
1
=100kΩ,R
2
=R=1MΩ且C=0.01μF;試問v
-
在什麼電壓時,輸出電壓v
o
會轉態?
(108年度初等考題)
(A)v
-
下降達+0.91V或v
-
下降達-0.91V
(B)v
-
上升達+0.91V或v
-
上升達-0.91V
(C)v
-
下降達+0.91V或v
-
上升達-0.91V
(D)v
-
上升達+0.91V或v
-
下降達-0.91V。
44. 如圖所示之電路,其中電晶體之參數為β=120,V
T
=26mV,V
BE(on)
=0.7V且爾利(Early)電壓V
A
=∞,求此電路之小信號電壓增益值為何?
(107年度初等考題)
(A)37
(B)47
(C)57
(D)67。
45. 圖中v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波,經過微分器後,其輸出波形為何?
(109年度初等考題)
(A)正弦波
(B)三角波
(C)直流
(D)方波。
46. 如圖為MOSFET差動式放大器,已知電晶體Q
1
和Q
2
的臨界電壓V
TH
、轉導g
m
、輸出阻抗r
o
等參數均相同,試求差動增益A
d
=v
od
/v
id
之值?
(109年度初等考題)
(A)g
m
R
D
(B)-g
m
R
D
(C)g
m
R
D
/2
(D)-g
m
R
D
/2。
47. 如圖所示之電路,其中電晶體之爾利(Early)電壓V
A
=∞,求此電路之小信號輸出阻抗值為何?
(109年度初等考題)
(A)R
1
(B)R
2
(C)R
1
+R
2
(D)R
2
//(1/g
m
)。
48. 如圖所示韋恩電橋振盪器(Wien-bridge oscillator),其所產生的波形為下列何者?
(107年度初等考題)
(A)方波
(B)弦波
(C)鋸齒波
(D)三角波。
49. 如圖所示之電路,假設二極體D之壓降為0.8V,其I
R1
與I
in
之關係亦如圖所示,圖中I
1
之表示式為何?
(108年度初等考題)
(A)0.8/R
1
(B)1.2/R
1
(C)2/R
1
(D)2.8/R
1
。
50. 假設電晶體操作於飽和區,如圖所示共閘極放大器之增益(v
o
/v
i
)為何?電晶體之μ
n
C
ox
=500μA/V
2
,W/L=100,V
TH
=0.6V,V
GS
=0.8V。
(111年度初等考題)
(A)20
(B)30
(C)40
(D)50。