單選題 每題2分

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1. 如圖所示之電路，假設二極體D之壓降為0.8V，其I_R1與I_in之關係亦如圖所示，圖中I₁之表示式為何？
　(108年度初等考題)　

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2. 如圖所示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m表斜率）
　(111年度初等考題)　

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3. 電路上某npn雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為8V，下列何者正確？
　(111年度初等考題)　

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4. 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為| V_th |＝0.5V。V_D1＝2V，V_D2＝－2V，V_D＝2V，V_E＝－2V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層？
　(107年度初等考題)　

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5. 圖示的理想箝位電路中，已知輸入信號v_i (t)及輸出信號v_o (t)的最大值分別為10及6伏特，則偏壓電源V_R為多少？
　(108年度初等考題)　

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6. 一個OP AMP的輸出的上下限為±10V，迴轉率（slew rate）為1V/μs，單增益頻寬f_t＝1MHz。若輸出電壓為如圖所示之三角波（triangle wave），所能操作的最大頻率最接近下列何值？
　(107年度初等考題)　

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7. 下列何者不是二極體電路的主要應用？　(109年度初等考題)　

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8. 如圖所示之非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF，試問振盪頻率f_o為多少？
　　(107年度初等考題)　

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9. 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知V＝15V、R1＝40kΩ、Rf＝60kΩ、R2＝9kΩ、R3＝3kΩ、R4＝3kΩ、R5＝9kΩ。若v_I＝2V，試求輸出電壓v_O約為多少？
　(108年度初等考題)　

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10. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_id/i：
　(111年度初等考題)　

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11. 一個NPN雙極性電晶體，若β＝50且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？　(109年度初等考題)　

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12. 如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻R＝？
　(110年度初等考題)　

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13. 如圖雙穩態電路，其R₁＝10kΩ且R₂＝16kΩ，若在t＝0時輸出電壓V_o飽和在－13V；當在t＞0時，輸入電壓v_I＜－5V，輸出電壓V_o會在什麼狀態？
　(110年度初等考題)　

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14. 二極體順向導通時，下列何者正確？　(107年度初等考題)　

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15. 橋式全波整流電路的輸入信號：v_i(t)＝18sin（377t）伏特。其輸出信號之頻率為何？　(111年度初等考題)　

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16. 在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於1？　(110年度初等考題)　

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17. 如圖所示為一文氏電橋振盪器。R₂＝100kΩ，R₁＝20kΩ，R＝10kΩ，C＝0.1μF。求振盪器的振盪頻率？
　(109年度初等考題)　

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18. 如圖為MOSFET差動式放大器，已知電晶體Q₁和Q₂的臨界電壓V_TH、轉導g_m、輸出阻抗r_o等參數均相同，試求差動增益A_d＝v_od/v_id之值？
　(109年度初等考題)　

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19. 如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體Q₁和Q₂的基極內電阻r_π、射極內電阻r_e、轉導g_m、共基極電流增益α和共射極電流增益β?1等參數均相同，試求差動增益A_d＝v_od/v_id之值？
　(107年度初等考題)　

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20. 稽納（Zener）二極體若應用在穩壓電路時，其工作區域為：　(110年度初等考題)　

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21. 一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器，輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓V_o(rms)＝14.14伏特，則流過負載R_L＝2kΩ之峰值電流I_o(p)約為多少？　(107年度初等考題)　

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22. 某增強型NMOS場效電晶體的V_t＝1V、μ_nC_ox(W/L)＝50μA/V²，今若其電壓V_GS＝2V，則其轉導gm（Transconductance）為若干μA/V？　(111年度初等考題)　

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23. 若某空乏型NMOS場效電晶體之臨界電壓為V_t，其參數電流I_DSS是電晶體：
　(108年度初等考題)　

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24. 如圖所示的電晶體共射極放大器，輸出交流信號的振幅為0.6V，β及R₁、R₂均變成原來的1.5倍，電晶體其他特性維持不變，輸出交流信號的振幅變為多少？以上改變仍使放大器工作在不失真放大範圍。
　(110年度初等考題)　

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25. 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特(V)？
　(110年度初等考題)　

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26. 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時，飽和電流（saturation current）為I_o，已知溫度每變化1°C，飽和電流變化約7%，試問溫度增加10°C，飽和電流如何變化？　(108年度初等考題)　

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27. 圖為一個三級環式振盪器電路，若每一級之小訊號低頻增益A＝4，MOSFET之轉導g_m＝66.67μA/V，電容C＝4.59nF，則電路之振盪頻率約為多少？
　(110年度初等考題)　

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28. 有一放大器電路如圖所示，放大器U1為理想的運算放大器，二極體D1順向壓降V_D0＝0.7V。若R1＝1kΩ，輸入電壓V_I＝5V，試問輸出電壓V_o應落在下列何範圍內？
　(108年度初等考題)　

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29. 如圖所示共射極放大器之v_o/v_i為何？假設電晶體之g_m＝50mA/V，β＝50。
　(109年度初等考題)　

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30. 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為β_npn＝100，1kT/q＝1V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝∞，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝4mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(109年度初等考題)　

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31. 下列有關操作於主動區的BJT小訊號等效模型敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

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32. 將一個n-通道增強型MOSFET的汲極與閘極短路。此電晶體μ_nC_ox＝20μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。若使汲極電流為100μA，問電晶體的過驅電壓（overdrive voltage）為多少？　(108年度初等考題)　

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33. 圖示MOS場效電晶體電路，電晶體之V_t＝1V、μ_nC_ox(W/L)＝1mA/V²，若要使電晶體在飽和區工作，電壓V_D最小值應為多少？
　(108年度初等考題)　

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34. 如圖放大器電路，試問C₁和C₂耦合（coupling）電容會衰減放大器頻率響應的那一頻段？
　(108年度初等考題)　

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35. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V，已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R＝2kΩ。試問輸出電壓v_O的波形為何？
　(110年度初等考題)　

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36. 若輸入信號v_i如圖所示，二極體之導通電壓為0V，導通電阻為0Ω，電容C1兩端之初始電壓差為0V，關於輸出信號v_o的敘述，下列何者錯誤？
　(108年度初等考題)　

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37. 如圖之RC串級放大電路中，第2級放大電路（未顯示）的輸入電阻R_i2＝1.5kΩ，電晶體之β₁＝81、V_BE,on＝0.6V，求第1級放大電路的電壓增益大小（v_o1/v_i）最接近值為：
　(109年度初等考題)　

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38. 如圖所示之非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF，試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（threshold voltage）轉換到下一個正臨界電壓約需花多少時間？
　(107年度初等考題)　

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39. 運算放大器反相微分器（differentiator）電路中，回授電路元件為：　(110年度初等考題)　

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40. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₂在時間點T最可能的工作模式：
　(109年度初等考題)　

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41. 如圖所示之電路，假如A_o＝∞，求此電路之閉迴路增益為何？
　(110年度初等考題)　

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42. 如圖所示，射極電阻R_E常被用於共射極放大器的設計，其主要目的為何？
　(110年度初等考題)　

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43. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道？　(111年度初等考題)　

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44. 如圖所示為一MOSFET疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？
　(107年度初等考題)　

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45. 下圖所示之電路中，若變壓器二次側v_S＝V_m sinωt，則輸出電阻R之v_R波形為何？
　(108年度初等考題)　

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46. 關於BJT電晶體之敘述，下列何者正確？　(111年度初等考題)　

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47. 圖中v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波，經過微分器後，其輸出波形為何？
　(109年度初等考題)　

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48. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則電流增益為：　(110年度初等考題)　

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49. 如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中，在集極端直接耦接有一3.5kΩ的負載，電晶體基－射極的導通定電壓為0.8V下，求該電晶體於集極端的電壓約為多少？
　(111年度初等考題)　

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50. 類比積體電路中，使用電流鏡或電流源來代替電阻性負載，下列何者錯誤？　(109年度初等考題)　

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