單選題 每題2分

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1. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_o/v_id：
　(110年度初等考題)　

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2. 如圖所示整流電路，D₁耐壓至少為多少？
　(107年度初等考題)　

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3. 稽納（Zener）二極體若應用在穩壓電路時，其工作區域為：　(110年度初等考題)　

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4. 如圖所示的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，R₁＝R＝5kΩ、R₂＝2R、C₁＝2C₂，當該電路處於等幅振盪時，R_f的電阻值應約為多少？
　(108年度初等考題)　

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5. 分析如圖之電路，若稽納（Zener）二極體ZD1、ZD2之崩潰電壓為6V，導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0Ω。v_I＝10sinωt (V)，則電阻上流過之最大電流為何？
　(108年度初等考題)　

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6. 下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

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7. 如圖所示之電路，其輸入電源為正弦波，假設二極體之壓降皆為0.7V，而此電路之輸出電壓v_out之峰值為12V，則此輸入電源之電壓均方根值（rms）約為多少？
　(108年度初等考題)　

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8. 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為β_npn＝100，1kT/q＝1V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝∞，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝4mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(109年度初等考題)　

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9. 如圖所示為一文氏電橋振盪器。R₂＝100kΩ，R₁＝20kΩ，R＝10kΩ，C＝0.1μF。求振盪器的振盪頻率？
　(109年度初等考題)　

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10. 針對一個整流－電容濾波電路（二極體視為理想）而言，下列那一種設計方式無法有效減小漣波因素？　(108年度初等考題)　

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11. 有N級放大器，其中每一級的增益A_oN和頻寬ω_HN都完全相同，若該N級放大器串接在一起且N為有限值；試問其總頻寬ω_H相較於單一級放大器的頻寬ω_HN，下列敘述何者正確？　(110年度初等考題)　

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12. 下圖電路中，設運算放大器（OPA）為理想，則從A點看入的輸入阻抗為何？
　(108年度初等考題)　

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13. 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓V_A皆為∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？
　(107年度初等考題)　

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14. 史密特觸發（Schmitt trigger）電路之輸出波形為下列何者？　(107年度初等考題)　

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15. 圖示理想二極體電路中，若輸入v_I為峰對峰值10V的方波，在穩態時下列有關輸出v_O的敘述，何項正確？
　(110年度初等考題)　

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16. 如圖所示共射極放大器之v_o/v_i為何？假設電晶體之g_m＝50mA/V，β＝50。
　(109年度初等考題)　

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17. 如圖所示之偏壓電路，調整可變電阻V_R的大小使下列何者為0時，可測得JFET之夾止電壓（V_P）？
　(107年度初等考題)　

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18. 全波整流電路的漣波頻率是輸入頻率的幾倍？　(108年度初等考題)　

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19. 下列有關圖示電路的敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

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20. 圖示為某V_t＝1V之NMOS場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓V_D之敘述，何者正確？
　(110年度初等考題)　

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21. 夾止電壓V_GS(P)為4V之p通道MOSFET工作在夾止飽和區且在V_GS1＝1V及V_GS2＝3V時，測得汲極電流分別為I_D1及I_D2。若I_D1＋I_D2＝10mA，當V_GS＝0V時，則該MOSFET的汲極電流約為多少？　(108年度初等考題)　

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22. 如圖運算放大器電路，若電壓增益A為無限大，試求輸出電壓v_o＝？
　(109年度初等考題)　

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23. 下圖電路中輸入信號為弦波v_i(t)＝0.5sin 10t伏特，二極體D₁與D₂之導通電壓皆為0.7V，導通電阻為100Ω。則電壓v_o(t)最大值為多少伏特？
　(110年度初等考題)　

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24. 有一p通道接面場效電晶體的V_GS(off)＝＋4V，I_DSS＝6mA，則當V_GS＝＋6V時，此電晶體的I_D為多少？　(110年度初等考題)　

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25. 某β＝100之npn雙極性接面電晶體，若I_B＝10μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？　(111年度初等考題)　

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26. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大正值為何？
　(111年度初等考題)　

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27. 如圖雙穩態電路，已知輸出電壓v_o飽和在±13V，若設計臨界電壓（threshold voltage）在±5V，且令R₁＝10kΩ，試求R₂為多少？
　(109年度初等考題)　

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28. 兩電晶體Q₁（β₁＝49）與Q₂（β₂＝79）直接耦合的串級放大電路如圖所示，其中Q₁的基極偏壓電流為I_B1＝1.25μA，求該放大電路之輸出電阻R_o約為多少Ω？熱電壓V_T＝25毫伏特。
　(108年度初等考題)　

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29. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判電晶體Q₂在時間點T最可能的工作模式：
　(109年度初等考題)　

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30. 如圖所示之電路，假如A_o＝∞，求此電路之閉迴路增益為何？
　(110年度初等考題)　

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31. 於積體電路設計中使用主動負載的放大器，相對於使用被動負載，其好處不包含下列何者？　(111年度初等考題)　

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32. 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？
　(109年度初等考題)　

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33. 若輸入信號v_i如圖所示，二極體之導通電壓為0V，導通電阻為0Ω，電容C1兩端之初始電壓差為0V，關於輸出信號v_o的敘述，下列何者錯誤？
　(108年度初等考題)　

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34. 若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為25°C時，飽和電流（saturation current）I_o＝2μA，試問當溫度升高到55°C時，飽和電流為多少？　(107年度初等考題)　

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35. 令流入運算放大器輸入端之電流為I_i，兩輸入端間電壓差為V_i，則一個理想反相運算放大器之虛接地（virtual ground）特性為：　(110年度初等考題)　

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36. 如圖所示之射極隨耦器之v_o/v_i最接近值為何？假設電流源為理想且1kT/q＝1V_T＝26mV。
　(109年度初等考題)　

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37. 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之g_m＝0.5mA/V，V_A＝∞，R_D＝5kΩ，則此放大器的輸入電阻R_i為：
　(108年度初等考題)　

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38. 一個NPN雙極性電晶體，若β＝50且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？　(109年度初等考題)　

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39. 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET的寄生電容約為C_gs和C_gd。有關此放大器電路的低頻響應，下列敘述何者正確？
　(110年度初等考題)　

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40. 如圖所示為由齊納（Zener）二極體D₁與D₂所構成截波電路及其輸入信號v_i(t)，D₁與D₂於順偏時可視為理想，而其在反偏之崩潰電壓分別為V_Z1＝6V與V_Z2＝4V，輸出信號v_o(t)的平均值電壓應為多少？
　(107年度初等考題)　

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41. v_i(t)＝8sin(ωt)伏特通過圖示的理想箝位電路，輸出信號的最大值與最小值分別為A與B，則A＋B之值為多少？
　(107年度初等考題)　

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42. 圖示電路中v_I為輸入電壓、v_o為輸出電壓，本電路為何種電路？
　(110年度初等考題)　

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43. 如圖所示之電路，假設二極體D之壓降為0.8V，其I_R1與I_in之關係亦如圖所示，圖中I₁之表示式為何？
　(108年度初等考題)　

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44. 下列有關理想運算放大器的特性，何者正確？　(109年度初等考題)　

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45. 如圖放大器電路，試問C₁和C₂耦合（coupling）電容會衰減放大器頻率響應的那一頻段？
　(108年度初等考題)　

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46. 有一放大器電路如圖所示，放大器U1為理想的運算放大器，二極體D1順向壓降V_D0＝0.7V。若R1＝1kΩ，輸入電壓V_I＝5V，試問輸出電壓V_o應落在下列何範圍內？
　(108年度初等考題)　

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47. 如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7V，則二極體D₂之逆向峰值電壓（PIV）為何？
　(111年度初等考題)　

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48. 二極體順向導通時，下列何者正確？　(107年度初等考題)　

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49. 漣波因素（ripple factor）或漣波百分比（r%）用以評比整流－濾波電路之優劣，已知各種整流濾波電路所提供之相關資訊如輸出信號之有效值電壓V_o(rms)＝A、平均值電壓V_o(dc)＝B伏特、漣波電壓有效值V_r(rms)＝C伏特，那一選項中電路的濾波效果最佳？　(109年度初等考題)　

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50. 將一個n-通道增強型MOSFET的汲極與閘極短路。此電晶體μ_nC_ox＝20μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。若使汲極電流為100μA，問電晶體的過驅電壓（overdrive voltage）為多少？　(108年度初等考題)　

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