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初等五等 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 電子學大意 » (收錄107年~111年歷屆試題,每次隨機抽取50題)
單選題
每題2分
1. 有關運算放大器的應用,下列電路何者使用負回授電路? (111年度初等考題)
(A)比較器
(B)史密特觸發電路(Schmitt trigger)
(C)無穩態電路(Astable)
(D)電壓隨耦器。
2. 如圖為一共源(CS)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為g
m
,輸出電阻為r
o
→∞,則此放大器的電壓增益為何?
(110年度初等考題)
(A)-g
m
(R
D
+R
S
)
(B)-g
m
R
D
/(1+g
m
R
S
)
(C)-R
D
/R
S
(D)-g
m
R
D
。
3. 如圖採用分壓偏壓電路的電晶體放大電路中,在集極端直接耦接有一3.5kΩ的負載,電晶體基-射極的導通定電壓為0.8V下,求該電晶體於集極端的電壓約為多少?
(111年度初等考題)
(A)9V
(B)7V
(C)5V
(D)4V。
4. 一幾何比W/L固定的場效電晶體(FET)工作於飽和區,當過驅電壓V
OV
(Overdrive V
o
ltage)變為原來的2倍,則轉導g
m
(Transconductance)將變為原來的: (108年度初等考題)
(A)1倍
(B)2倍
(C)4倍
(D)8倍。
5. 如圖所示為以電阻R=5kΩ、R
f
=7.5kΩ及電感L
1
=2mH、L
2
所構成的韋恩電橋(Wien-bridge)振盪電路,當等幅振盪啟動時,決定其振盪頻率ω約為多少rad/s?
(110年度初等考題)
(A)3.5M rad/s
(B)1M rad/s
(C)700k rad/s
(D)500k rad/s。
6. 將一個n-通道增強型MOSFET的汲極與閘極短路。此電晶體μ
n
C
ox
=20μA/V
2
,W/L=10,V
t
=0.5V。若使汲極電流為100μA,問電晶體的過驅電壓(overdrive voltage)為多少? (108年度初等考題)
(A)0.5V
(B)0.707V
(C)1V
(D)1.414V。
7. 若一個雙極性電晶體(BJT)在主動區操作模式下,射極電流為5.05mA,基極電流為0.05mA,則其β值為: (109年度初等考題)
(A)98
(B)99
(C)100
(D)101。
8. 分析運算放大器電路時,兩輸入端常視為虛擬短路,其意為何? (108年度初等考題)
(A)需將兩輸入端連在一起
(B)兩輸入端需各自接地
(C)兩輸入端的電壓相等
(D)兩輸入端的輸入阻抗為零。
9. 針對一個整流-電容濾波電路(二極體視為理想)而言,下列那一種設計方式無法有效減小漣波因素? (108年度初等考題)
(A)增大負載電阻值
(B)增大濾波電容值
(C)增大輸入信號頻率
(D)增大輸入信號振幅。
10. 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳V
I1
、V
I2
的電壓波形如下所示,V
CC
=5V,R
1
=R
2
=1kΩ,R
3
=R
4
=100Ω,C
L
=5μF,電晶體電流增益β
Q1
=β
Q2
=100。試研判輸出接腳V
O
在低準位輸出(V
O
@LO)時最可能的工作電壓:
(111年度初等考題)
(A)V
O
@LO<0V
(B)V
O
@LO=0V
(C)0.4V>V
O
@LO>0V
(D)V
O
@LO>0.4V。
11. 電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖,偏壓電源為V
CC
=10V及V
BB
=1.6V,R
1
=1.5kΩ、R
2
=50kΩ,該放大電路的輸入直流電流I
BQ
約為多少?
(110年度初等考題)
(A)0.02mA
(B)0.06mA
(C)0.08mA
(D)0.1mA。
12. 如圖所示為此二極體電路之轉移函數,假設二極體皆有開啟電壓V
D,on
,當電路操作於區域II時,D
1
與D
2
的狀態分別為何?
(107年度初等考題)
(A)D
1
on, D
2
off
(B)D
1
off, D
2
on
(C)D
1
on, D
2
on
(D)D
1
off, D
2
off。
13. 下列何種電路適合應用於輸出緩衝級? (108年度初等考題)
(A)共源極放大器
(B)共汲極放大器
(C)共閘極放大器
(D)共基極放大器。
14. 稽納(Zener)二極體若應用在穩壓電路時,其工作區域為: (110年度初等考題)
(A)順向導通區
(B)飽和區
(C)逆向截止區
(D)逆向崩潰區。
15. 下圖所示之電路中,若變壓器二次側v
S
=V
m
sinωt,則輸出電阻R之v
R
波形為何?
(108年度初等考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
16. 下圖中二極體D1與D2之導通電壓為0.7V,導通電阻為0Ω,輸入信號為弦波,v
i
(t)=4sin10t伏特,R1、R2、R3皆為10Ω,則電流| i |之最大值為何?
(111年度初等考題)
(A)530mA
(B)265mA
(C)65mA
(D)20mA。
17. 一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器,輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓V
o(rms)
=14.14伏特,則流過負載R
L
=2kΩ之峰值電流I
o(p)
約為多少? (107年度初等考題)
(A)5mA
(B)7.07mA
(C)10mA
(D)14.14mA。
18. 電路上某npn雙極性接面電晶體(BJT)工作在飽和區(Saturation Region),已知電路之電源電壓為8V,下列何者正確?
(111年度初等考題)
(A)V
CE
=0.2V
(B)V
CE
=8V
(C)V
CB
=0.7V
(D)V
CB
=2.1V。
19. 某一RC主動式濾波器(active filter)電路如圖所示,已知放大器U1為理想運算放大器,且R1=R2=R3,試問該電路為何種濾波器?
(108年度初等考題)
(A)低通濾波器(low-pass filter)
(B)高通濾波器(high-pass filter)
(C)帶通濾波器(band-pass filter)
(D)全通濾波器(all-pass filter)。
20. 圖示截波電路中,齊納(Zener)二極體D
1
與D
2
於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V
Z1
=5V與V
Z2
=7V,當輸入信號v
i
(t)=10sin (ωt)伏特時,求輸出信號v
o
(t)的峰對峰電壓值為多少伏特?
(109年度初等考題)
(A)2V
(B)5V
(C)7V
(D)12V。
21. 如圖所示之電路,其中各電晶體之參數皆為β
npn
=100,1kT/q=1V
T
=26mV且爾利(Early)電壓V
A
=∞,假定此電路之直流偏壓電流I
C
=4mA,求此電路之小信號電壓增益值為何?
(109年度初等考題)
(A)72.8
(B)115.8
(C)154.8
(D)173.8。
22. 如果將電容濾波全波整流器的負載阻抗降低,則漣波電壓會如何變化? (110年度初等考題)
(A)增加
(B)減少
(C)不受影響
(D)頻率會變化。
23. 圖中二極體D
1
之導通電壓為0.7V,導通電阻為0Ω,電容C兩端之初始電壓為0V,下列何者正確?
(110年度初等考題)
(A)v
out
之最低電壓為-0.7V
(B)D
1
在穩態時恆導通
(C)v
out
之最高電壓為10V
(D)v
C
之穩態電壓為9.3V。
24. 如圖所示之射極隨耦器之v
o
/v
i
最接近值為何?假設電流源為理想且1kT/q=1V
T
=26mV。
(109年度初等考題)
(A)0.9
(B)0.8
(C)0.7
(D)0.6。
25. 圖示為理想運算放大器電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±10V,二極體導通時兩端電壓為0.7V,輸入電壓v
I
為+1V,則v
O
為若干V?
(109年度初等考題)
(A)-10
(B)0
(C)+1
(D)+10。
26. 圖示理想二極體電路,下列何者為其電壓轉移特性?(其中m表斜率)
(111年度初等考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
27. 在整流電容濾波器中,若負載不變時,濾波電容量愈大,則輸出端的漣波電壓為下列何者? (107年度初等考題)
(A)愈大
(B)愈小
(C)不變
(D)不一定。
28. 如圖為MOSFET差動式放大器,已知電晶體Q
1
和Q
2
的臨界電壓V
TH
、轉導g
m
、輸出阻抗r
o
等參數均相同,試求差動增益A
d
=v
od
/v
id
之值?
(109年度初等考題)
(A)g
m
R
D
(B)-g
m
R
D
(C)g
m
R
D
/2
(D)-g
m
R
D
/2。
29. 夾止電壓V
GS(P)
為4V之p通道MOSFET工作在夾止飽和區且在V
GS1
=1V及V
GS2
=3V時,測得汲極電流分別為I
D1
及I
D2
。若I
D1
+I
D2
=10mA,當V
GS
=0V時,則該MOSFET的汲極電流約為多少? (108年度初等考題)
(A)10mA
(B)16mA
(C)20mA
(D)24mA。
30. 如圖所示理想二極體電路,下列何者為其電壓轉移特性?(其中m表斜率)
(111年度初等考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
31. 圖示理想運算放大器電路中,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為±12V,輸入電壓v
I
為-2V,則v
O
為若干?
(110年度初等考題)
(A)-12V
(B)0V
(C)-2V
(D)+12V。
32. 圖示為理想運算放大器組成的電路,運算放大器的輸出飽和電壓為±10V,R
1
=10kΩ、R
2
=30kΩ,輸出電壓v
O
原為+10V,輸入電壓v
I
為下列何電位時,輸出v
O
將為-10V?
(108年度初等考題)
(A)-4V
(B)-3V
(C)3V
(D)4V。
33. 如圖所示之非穩態電路,輸出v
o
的飽和電壓在±10V,其R
1
=100kΩ,R
2
=R=1MΩ且C=0.01μF,試問振盪頻率f
o
為多少?
(107年度初等考題)
(A)137Hz
(B)274Hz
(C)548Hz
(D)1096Hz。
34. 如圖所示為一CMOS反相器,電晶體之μ
n
C
ox
=μ
p
C
ox
;兩電晶體之W/L相同;V
tn
=| V
tp
|。反相器之負載為電容C
L
。若輸入的信號v
i
為方波,其高電位為V
DD
、低電位為0,週期為T。問流過電晶體Q
P
的平均電流?
(109年度初等考題)
(A)0
(B)(μ
p
C
ox
/2)(W/L)(V
DD
-| V
tp
|)
2
(C)V
DD
C
L
/(2T)
(D)V
DD
C
L
/T。
35. 下列為一主動式濾波器(Active filter)。設U1為理想運算放大器,試問此電路轉移函數(Transfer function)T(s)≡V
o
/V
i
的數學形式為何?
(108年度初等考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
。
36. 如圖電路中,將訊號源連接在輸入端V
1
和V
2
之間,所看到的輸入電阻為R
in1
;將訊號源同時連接在輸入端V
1
和V
2
上,所看到的輸入電阻為R
in2
,其值分別為何?
(110年度初等考題)
(A)R
in1
=2kΩ、R
in2
=2kΩ
(B)R
in1
=2kΩ、R
in2
=4kΩ
(C)R
in1
=4kΩ、R
in2
=2kΩ
(D)R
in1
=4kΩ、R
in2
=4kΩ。
37. 如圖為雙極性差動式放大器,已知電晶體Q
1
和Q
2
的基極內電阻r
π
、射極內電阻r
e
、轉導g
m
、共基極電流增益α和共射極電流增益β?1等參數均相同,試求差動增益A
d
=v
od
/v
id
之值?
(107年度初等考題)
(A)R
C
/r
π
(B)R
C
/2r
π
(C)R
C
/r
e
(D)R
C
/2r
e
。
38. 圖示MOS電路,v
i
為輸入電壓,v
o
為輸出電壓,本電路主要作用為何?
(111年度初等考題)
(A)調諧放大
(B)高通放大
(C)差動放大
(D)峰值偵測。
39. 圖中v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波,經過微分器後,其輸出波形為何?
(109年度初等考題)
(A)正弦波
(B)三角波
(C)直流
(D)方波。
40. 有一增益為A=10000,單極頻率(single pole frequency)為10
5
rad/s之放大器,將其置入回饋因素(feedback factor)f=0.01的回饋迴路,設回饋過程不影響此放大器的開迴路增益(open loop gain),則此放大器之開迴路單一增益頻率(unit gain frequency)為: (111年度初等考題)
(A)10
9
rad/s
(B)10
5
rad/s
(C)10
3
rad/s
(D)10
2
rad/s。
41. 如圖所示之電路,OP AMP為理想。求v
id
/i:
(111年度初等考題)
(A)R
(B)2R
(C)(k+1)R
(D)(k+3)R。
42. 如圖所示之電路,其中電晶體之爾利(Early)電壓V
A
皆為∞,求此電路之小信號輸出阻抗值為何?
(107年度初等考題)
(A)(1/g
m1
)//(1/g
m2
)
(B)r
π
1
//r
π
2
(C)r
π
1
+r
π
2
(D)(1/g
m1
)//r
π
1
。
43. 如圖非穩態電路,輸出v
o
的飽和電壓在±10V,其R
1
=100kΩ,R
2
=R=1MΩ且C=0.01μF;試問v
-
在什麼電壓時,輸出電壓v
o
會轉態?
(108年度初等考題)
(A)v
-
下降達+0.91V或v
-
下降達-0.91V
(B)v
-
上升達+0.91V或v
-
上升達-0.91V
(C)v
-
下降達+0.91V或v
-
上升達-0.91V
(D)v
-
上升達+0.91V或v
-
下降達-0.91V。
44. 有一運算放大器(OPA),已知其直流增益為100dB和單一增益頻率f
T
為5MHz,試求其-3dB的頻寬f
B
為多少? (109年度初等考題)
(A)5Hz
(B)50Hz
(C)5kHz
(D)50kHz。
45. 如圖所示之電路,假設二極體為理想,試求輸出電壓之最大正值為何?
(111年度初等考題)
(A)1V
(B)4V
(C)7V
(D)10V。
46. 某電路之轉移函數:T(s)=
,當角頻率為10rad/sec時,相角為何? (111年度初等考題)
(A)-90°
(B)-45°
(C)45°
(D)90°。
47. 如圖所示之電路,假設電晶體M之參數如下:μ
n
C
ox
=200μA/V
2
,V
TH
=0.4V且λ=0;若跨在電阻R
S
上之電壓為300mV,欲使M維持在飽和區之最小可容許之W/L值為何?
(109年度初等考題)
(A)20
(B)40
(C)60
(D)80。
48. 下圖電路中,設運算放大器(OPA)為理想,則從A點看入的輸入阻抗為何?
(108年度初等考題)
(A)R
1
R
2
/(R
1
+R
2
)
(B)R
1
(C)R
1
+R
2
(D)0。
49. 對於半波整流電路,若AC電源頻率為60Hz,則其經整流後之漣波頻率為下列何者? (107年度初等考題)
(A)30Hz
(B)60Hz
(C)120Hz
(D)240Hz。
50. 某β=100之npn雙極性接面電晶體,若I
B
=10μA,下列何者顯示電晶體工作在飽和區(Saturation Region)? (111年度初等考題)
(A)I
C
=1mA、I
E
=1.01mA
(B)I
C
=0.5mA、I
E
=0.51mA
(C)I
C
=1.01mA、I
E
=1mA
(D)I
C
=0.8mA、I
E
=0.79mA。