單選題 每題2分

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1. 圖示MOS場效電晶體電路，電晶體之V_t＝1V、μ_nC_ox(W/L)＝1mA/V²，若要使電晶體在飽和區工作，電壓V_D最小值應為多少？
　(108年度初等考題)　

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2. 下列為一主動式濾波器（Active filter）。設U1為理想運算放大器，試問此電路轉移函數（Transfer function）T(s)≡V_o/V_i的數學形式為何？
　(108年度初等考題)　

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3. 圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器，輸出電壓（v_o）正半週的最大擺幅恰為5V時，電阻R約為多少？電晶體基－射極的導通定電壓固定為0.8V。
　(111年度初等考題)　

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4. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）偏壓在主動區I_B＝0.05mA，I_E＝5mA，則電流增益為：　(110年度初等考題)　

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5. 漣波因素（ripple factor）或漣波百分比（r%）用以評比整流－濾波電路之優劣，已知各種整流濾波電路所提供之相關資訊如輸出信號之有效值電壓V_o(rms)＝A、平均值電壓V_o(dc)＝B伏特、漣波電壓有效值V_r(rms)＝C伏特，那一選項中電路的濾波效果最佳？　(109年度初等考題)　

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6. 有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為V₃＝1002×V₂－998×V₁，請問其差動電壓增益（differential gain）約為多少？
　(107年度初等考題)　

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7. 電容器C₁～C₃配合變壓器T及二極體D₁～D₃所構成之倍壓電路如圖，輸入信號v_i(t)＝100sin（377t）伏特、N₁：N₂＝10：1且變壓器與所有二極體均視為理想時，在電路穩態條件下電容器C₁～C₃所跨電壓V_C1～V_C3之敘述何者正確？
　(109年度初等考題)　

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8. 電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖，偏壓電源為V_CC＝10V及V_BB＝1.6V，R₁＝1.5kΩ、R₂＝50kΩ，該放大電路的輸入直流電流I_BQ約為多少？
　(110年度初等考題)　

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9. 如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1為理想運算放大器，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知V＝15V、R1＝40kΩ、Rf＝60kΩ、R2＝9kΩ、R3＝3kΩ、R4＝3kΩ、R5＝9kΩ。若v_I＝2V，試求輸出電壓v_O約為多少？
　(108年度初等考題)　

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10. 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0Ω，若Vi＝＋5V，關於下列電路之敘述，何者正確？　(111年度初等考題)　

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11. 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β＝50，爾利電壓（Early voltage, V_A）＝10V，g_m＝10mA/V，熱電壓（thermal voltage）＝25mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？
　(110年度初等考題)　

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12. 一個雙極性接面電晶體，其單一增益（unity-gain）頻率f_T＝20GHz，在I_c＝1mA下，電晶體增益β＝120，則電晶體的頻寬約為多少？　(108年度初等考題)　

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13. 如圖電路，設二極體均為理想二極體，R＝10kΩ，R₁＝R₂＝5kΩ，V₁＝V₂＝5V。當v_I＝8V時，v_O為多大？
　(111年度初等考題)　

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14. 如圖二階低通濾波電路，欲實現具有最大平坦度且3dB頻率為7.07×10⁵ rad/s，當電阻R為5kΩ時，所需的電容C值為何？
　(111年度初等考題)　

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15. 如圖所示為以電阻R＝5kΩ、R_f＝7.5kΩ及電感L₁＝2mH、L₂所構成的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路，當等幅振盪啟動時，決定其振盪頻率ω約為多少rad/s？
　(110年度初等考題)　

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16. 如圖所示整流電路，D₁耐壓至少為多少？
　(107年度初等考題)　

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17. 若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為25°C時，飽和電流（saturation current）I_o＝2μA，試問當溫度升高到55°C時，飽和電流為多少？　(107年度初等考題)　

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18. 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳V_I1、V_I2的電壓波形如下所示，V_CC＝5V，R₁＝R₂＝1kΩ，R₃＝R₄＝100Ω，C_L＝5μF，電晶體電流增益β_Q1＝β_Q2＝100。試研判輸出接腳V_O在低準位輸出（V_O@LO）時最可能的工作電壓：
　(111年度初等考題)　

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19. 如圖所示電路為一階主動低通濾波器，若R_i＝20kΩ，R_f＝200kΩ，R₁＝1.5kΩ，C₁＝0.02μF，則此電路的截止頻率f_CH為多少？
　(111年度初等考題)　

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20. 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之g_m＝0.5mA/V，V_A＝∞，R_D＝5kΩ，則此放大器的輸入電阻R_i為：
　(108年度初等考題)　

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21. 下列有關理想運算放大器的特性，何者正確？　(109年度初等考題)　

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22. 圖示為理想運算放大器電路，若R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R_a＝1kΩ、R_b＝3kΩ，v₁＝4V，v₂＝－2V，則輸出電壓v_O為若干V？
　(109年度初等考題)　

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23. 若某空乏型NMOS場效電晶體之臨界電壓為V_t，其參數電流I_DSS是電晶體：
　(108年度初等考題)　

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24. 下列何者不是二極體電路的主要應用？　(109年度初等考題)　

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25. 圖示電晶體在主動區工作，電晶體的β＝99，V_BE＝0.7V，則電晶體的集極電壓V_C約為：　(110年度初等考題)　

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26. 如圖所示為運算放大器電路，若要消除該運算放大器自身輸入偏壓電流（input bias current）對輸出電壓的影響，試求電路上的電阻R＝？
　(110年度初等考題)　

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27. 有一p通道接面場效電晶體的V_GS(off)＝＋4V，I_DSS＝6mA，則當V_GS＝＋6V時，此電晶體的I_D為多少？　(110年度初等考題)　

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28. 有一半波整流器的輸入電壓峰值為10V，則其輸出電壓的峰值大約為：　(111年度初等考題)　

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29. 若矽二極體在逆向偏壓且在室溫時，飽和電流（saturation current）為I_o，已知溫度每變化1°C，飽和電流變化約7%，試問溫度增加10°C，飽和電流如何變化？　(108年度初等考題)　

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30. 如圖所示放大器，外接電容為CC1、CC2和CS，MOSFET的寄生電容約為C_gs和C_gd。有關此放大器電路的低頻響應，下列敘述何者正確？
　(110年度初等考題)　

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31. 如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），已知R＝10kΩ，C＝16nF，請問使此電路產生振盪的基本條件R₂/R₁值應為多少？
　(107年度初等考題)　

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32. MOSFET的小訊號模型中，汲極的等效輸出電阻r_o與下列何者成正比？　(109年度初等考題)　

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33. 類比積體電路中，使用電流鏡或電流源來代替電阻性負載，下列何者錯誤？　(109年度初等考題)　

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34. 如圖之RC串級放大電路中，第2級放大電路（未顯示）的輸入電阻R_i2＝1.5kΩ，電晶體之β₁＝81、V_BE,on＝0.6V，求第1級放大電路的電壓增益大小（v_o1/v_i）最接近值為：
　(109年度初等考題)　

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35. 橋式全波整流電路的輸入信號：v_i(t)＝18sin（377t）伏特。其輸出信號之頻率為何？　(111年度初等考題)　

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36. 一個NPN雙極性電晶體，若β＝50且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？　(109年度初等考題)　

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37. 圖中電晶體M₁之臨界電壓V_T＝1V，若M1操作在飽和區，電流源為理想，則電阻R的最大值為何？
　(108年度初等考題)　

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38. 如圖所示電路為由理想OPA構成的雙穩態振盪器，輸入v_I為－5及1伏特時都無法改變輸出v_O的原始儲存值（無論是＋12或－12V），則電路中的偏壓電源V_R可能為下列那一電壓值？
　(107年度初等考題)　

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39. 若PNP型雙極性電晶體（BJT）之I_B＝0.1mA，I_E＝6mA，且β＝99，則：　(107年度初等考題)　

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40. 如圖所示之共射極放大器，I_C＝1mA且V_BE＝0.8V。假設電晶體於飽和時之V_CE(sat)＝0.3V，請問在保持放大器的正常操作下，R_L最大的可允許值為何？
　(107年度初等考題)　

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41. 在BJT電晶體的放大器中，若訊號的擺幅很小，則電晶體的爾利效應（Early effect）可以等效為下列何者？　(110年度初等考題)　

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42. 圖示理想二極體電路中，若輸入v_I為峰對峰值10V的方波，在穩態時下列有關輸出v_O的敘述，何項正確？
　(110年度初等考題)　

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43. 圖示電路中v_I為輸入電壓、v_o為輸出電壓，本電路為何種電路？
　(110年度初等考題)　

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44. 某一RC主動式濾波器（active filter）電路如圖所示，已知放大器U1為理想運算放大器，且R1＝R2＝R3，試問該電路為何種濾波器？
　(108年度初等考題)　

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45. 令流入運算放大器輸入端之電流為I_i，兩輸入端間電壓差為V_i，則一個理想反相運算放大器之虛接地（virtual ground）特性為：　(110年度初等考題)　

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46. 如圖所示以電容器C₁～C₃、理想變壓器及理想二極體D₁～D₃所構成之倍壓電路，輸入弦波信號且在穩定狀態下電容器C₂所跨電壓為V_C2＝20伏特，電容器C₁與C₃所跨電壓和（V_C1＋V_C3）應約為多少？
　(107年度初等考題)　

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47. 圖為一個三級環式振盪器電路，若每一級之小訊號低頻增益A＝4，MOSFET之轉導g_m＝66.67μA/V，電容C＝4.59nF，則電路之振盪頻率約為多少？
　(110年度初等考題)　

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48. 圖示電路中場效電晶體（FET）之V_TH＝－0.7V，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？
　(109年度初等考題)　

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49. 振幅為8伏特的三角形週期波信號輸入如圖所示之截波電路（D為理想二極體），決定輸出信號v_o(t)的平均值電壓為多少伏特？
　(109年度初等考題)　

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50. 下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

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