單選題 每題2分

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1. 圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±12V，R₁＝10kΩ、R₂＝40kΩ，輸出電壓v_O原為－12V，輸入電壓v_I為下列何電位時，輸出v_O將為＋12V？
　(111年度初等考題)　

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2. 橋式全波整流電路的輸入信號：v_i(t)＝18sin（377t）伏特。其輸出信號之頻率為何？　(111年度初等考題)　

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3. 如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7V，則二極體D₂之逆向峰值電壓（PIV）為何？
　(111年度初等考題)　

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4. 如圖所示之非穩態電路，輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF，試問振盪頻率f_o為多少？
　　(107年度初等考題)　

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5. 下列有關理想運算放大器的特性，何者正確？　(109年度初等考題)　

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6. 如圖所示之電路，OP AMP為理想。求v_o/v_id：
　(110年度初等考題)　

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7. 下列何種電路適合應用於輸出緩衝級？　(108年度初等考題)　

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8. 電路上某npn雙極性接面電晶體（BJT）工作在飽和區（Saturation Region），已知電路之電源電壓為8V，下列何者正確？
　(111年度初等考題)　

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9. 圖示電路中場效電晶體（FET）之V_TH＝－0.7V，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？
　(109年度初等考題)　

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10. 如圖所示為一MOSFET疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？
　(107年度初等考題)　

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11. 圖示為某V_t＝1V之NMOS場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓V_D之敘述，何者正確？
　(110年度初等考題)　

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12. 對於半波整流電路，若AC電源頻率為60Hz，則其經整流後之漣波頻率為下列何者？　(107年度初等考題)　

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13. 雙極性電晶體接成共集極組態時，其輸出阻抗相較於共射極和共基極組態的輸出阻抗為何？　(111年度初等考題)　

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14. 如圖所示之共射極放大器，I_C＝1mA且V_BE＝0.8V。假設電晶體於飽和時之V_CE(sat)＝0.3V，請問在保持放大器的正常操作下，R_L最大的可允許值為何？
　(107年度初等考題)　

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15. 雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗r_o，是下列何種效應所造成？　(110年度初等考題)　

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16. 關於MOSFET的本質增益g_m r_o，下列敘述何者正確？　(109年度初等考題)　

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17. 下列關於中心抽頭變壓器全波整流電路的敘述，何者錯誤？　(108年度初等考題)　

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18. 一個NPN雙極性電晶體，若β＝50且操作在主動作用區（active region），下列何者正確？　(109年度初等考題)　

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19. 圖示MOS場效電晶體電路，電晶體之V_t＝1V、μ_nC_ox(W/L)＝1mA/V²，若要使電晶體在飽和區工作，電壓V_D最小值應為多少？
　(108年度初等考題)　

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20. 將一個n-通道增強型MOSFET的汲極與閘極短路。此電晶體μ_nC_ox＝20μA/V²，W/L＝10，V_t＝0.5V。若使汲極電流為100μA，問電晶體的過驅電壓（overdrive voltage）為多少？　(108年度初等考題)　

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21. 已知一正弦波經半波整流後之電壓波形v(t)如圖所示，試問其平均值是多少伏特(V)？
　(110年度初等考題)　

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22. 如圖電路，已知R＝10kΩ和C＝0.01μF，輸入為±5V對稱方波，試求輸出三角波電壓在t＝0到t＝t₁的斜率為多少V/sec？
　(109年度初等考題)　

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23. 如圖所示符號為下列何種元件？　(107年度初等考題)　

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24. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道？　(111年度初等考題)　

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25. 圖示截波電路中，齊納（Zener）二極體D₁與D₂於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V_Z1＝5V與V_Z2＝7V，當輸入信號v_i(t)＝10sin (ωt)伏特時，求輸出信號v_o(t)的峰對峰電壓值為多少伏特？
　(109年度初等考題)　

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26. 如圖中NPN雙極性電晶體，β＝100，電晶體基射極的順偏電壓設為0.8V，飽和時的集射極電壓為0.3V。問此電路集極電流對基極電流的比值為多少？
　(107年度初等考題)　

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27. 如圖示截波電路，其中輸入信號v_i(t)為振幅12伏特的弦波且D為理想二極體，如果要得到峰對峰電壓值為16伏特的輸出信號，則偏壓電源V_R應為多少？
　(110年度初等考題)　

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28. 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β＝120，V_T＝26mV，V_BE(on)＝0.7V且爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(107年度初等考題)　

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29. 圖示電路，若V_CC＝10V，V_CE＝3V，則此電晶體的工作區應為何？
　(109年度初等考題)　

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30. 某電路之轉移函數：T(s)＝，當角頻率為10rad/sec時，相角為何？　(111年度初等考題)　

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31. 若電晶體操作於順向主動區（forward active region），電流增益值β＝50，爾利電壓（Early voltage, V_A）＝10V，g_m＝10mA/V，熱電壓（thermal voltage）＝25mV，關於如圖小訊號模型之敘述，下列何者正確？
　(110年度初等考題)　

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32. 對於一個PN接面二極體在逆偏（reverse bias）的條件下，下列何者正確？　(111年度初等考題)　

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33. 如圖所示之運算放大器電路，其中A_o＝∞，求此電路之電壓增益為何？　(108年度初等考題)　

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34. 如圖所示理想二極體電路，下列何者為其電壓轉移特性？（其中m表斜率）
　(111年度初等考題)　

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35. 如圖所示之電路，假如A_o＝∞，求此電路之閉迴路增益為何？
　(110年度初等考題)　

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36. 有N級放大器，其中每一級的增益A_oN和頻寬ω_HN都完全相同，若該N級放大器串接在一起且N為有限值；試問其總頻寬ω_H相較於單一級放大器的頻寬ω_HN，下列敘述何者正確？　(110年度初等考題)　

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37. 在雙極接面電晶體的共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）三種組態中，何者之電流增益小於1？　(110年度初等考題)　

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38. 如圖所示之電路，已知V_T＝26mV，其中電晶體之參數為：β＝150，V_BE(on)＝0.7V，且爾利（Early）電壓V_A為∞，求此電路之小信號電壓增益值約為何？
　(108年度初等考題)　

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39. 史密特觸發（Schmitt trigger）電路之輸出波形為下列何者？　(107年度初等考題)　

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40. 如圖雙穩態電路，已知輸出電壓v_o飽和在±13V，若設計臨界電壓（threshold voltage）在±5V，且令R₁＝10kΩ，試求R₂為多少？
　(109年度初等考題)　

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41. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大正值為何？
　(111年度初等考題)　

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42. 一個雙極性接面電晶體，其單一增益（unity-gain）頻率f_T＝20GHz，在I_c＝1mA下，電晶體增益β＝120，則電晶體的頻寬約為多少？　(108年度初等考題)　

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43. 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓V_A＝∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？
　(109年度初等考題)　

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44. 如圖所示電路，若V_CC＝12V，V_CE＝12V，則此電晶體的工作區為何？
　(107年度初等考題)　

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45. 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為β_npn＝100，1kT/q＝1V_T＝26mV且爾利（Early）電壓V_A＝∞，假定此電路之直流偏壓電流I_C＝4mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？
　(109年度初等考題)　

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46. 圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器，輸出電壓（v_o）正半週的最大擺幅恰為5V時，電阻R約為多少？電晶體基－射極的導通定電壓固定為0.8V。
　(111年度初等考題)　

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47. 某β＝100之npn雙極性接面電晶體，若I_B＝10μA，下列何者顯示電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？　(111年度初等考題)　

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48. 有一運算放大器（OPA），已知其直流增益為100dB和單一增益頻率f_T為5MHz，試求其－3dB的頻寬f_B為多少？　(109年度初等考題)　

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49. 分析如圖之電路，若稽納（Zener）二極體ZD1、ZD2之崩潰電壓為6V，導通電壓為0.7V，且導通電阻值為0Ω。v_I＝10sinωt (V)，則電阻上流過之最大電流為何？
　(108年度初等考題)　

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50. 如圖所示為史密特觸發電路及其輸入－輸出轉移特性曲線，其中OPA為理想，若R₂為3kΩ，則R₁的電阻值約為多少？
　(107年度初等考題)　

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