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初等五等 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 電子學大意 » (收錄107年~111年歷屆試題,每次隨機抽取50題)
單選題
每題2分
1. 下列何種矽電晶體具有常閉型通道? (111年度初等考題)
(A)PN接面型場效電晶體
(B)MOS增強型場效電晶體
(C)MOS空乏型場效電晶體
(D)雙極性接面電晶體。
2. 對於一個PN接面二極體在逆偏(reverse bias)的條件下,下列何者正確? (111年度初等考題)
(A)外部電壓之正端接於P側,負端接於N側
(B)P側的電子將會流向N側,N側的電洞則流向P側
(C)當逆偏壓加大時,因空乏區(depletion region)擴大而導致電容也變大
(D)接面空乏區內電場的方向為由P側指向N側。
3. 若某空乏型NMOS場效電晶體之臨界電壓為V
t
,其參數電流I
DSS
是電晶體:
(108年度初等考題)
(A)工作在三極管區(Triode)且電壓V
GS
=0V之電流
(B)工作在三極管區(Triode)且電壓V
GS
=V
t
之電流
(C)工作在飽和區(Saturation)且電壓V
GS
=0V之電流
(D)工作在飽和區(Saturation)且電壓V
GS
=V
t
之電流。
4. 某一RC主動式濾波器(active filter)電路如圖所示,已知放大器U1為理想運算放大器,且R1=R2=R3,試問該電路為何種濾波器?
(108年度初等考題)
(A)低通濾波器(low-pass filter)
(B)高通濾波器(high-pass filter)
(C)帶通濾波器(band-pass filter)
(D)全通濾波器(all-pass filter)。
5. 如圖電路中,將訊號源連接在輸入端V
1
和V
2
之間,所看到的輸入電阻為R
in1
;將訊號源同時連接在輸入端V
1
和V
2
上,所看到的輸入電阻為R
in2
,其值分別為何?
(110年度初等考題)
(A)R
in1
=2kΩ、R
in2
=2kΩ
(B)R
in1
=2kΩ、R
in2
=4kΩ
(C)R
in1
=4kΩ、R
in2
=2kΩ
(D)R
in1
=4kΩ、R
in2
=4kΩ。
6. 藉由分壓偏壓的電晶體放大電路中(β=49),流進基極端的電流為I=0.025mA時測得輸出交流弦波信號振幅為0.5V,則輸入信號的振幅約為多少?其中熱電壓近似為25mV。
(110年度初等考題)
(A)2mV
(B)2.5mV
(C)4mV
(D)5mV。
7. 如圖為一共源(CS)放大器的簡圖(其偏壓電路未示)。若電晶體的轉導參數為g
m
,輸出電阻為r
o
→∞,則此放大器的電壓增益為何?
(110年度初等考題)
(A)-g
m
(R
D
+R
S
)
(B)-g
m
R
D
/(1+g
m
R
S
)
(C)-R
D
/R
S
(D)-g
m
R
D
。
8. 圖中v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波,經過微分器後,其輸出波形為何?
(109年度初等考題)
(A)正弦波
(B)三角波
(C)直流
(D)方波。
9. 有關圖示電路中各節點電壓的波形敘述,下列何者正確?
(111年度初等考題)
(A)v
1
為弦波
(B)v
2
為方波
(C)v
3
近似為三角波
(D)v
3
的振幅較v
1
為小。
10. 如圖為雙極性差動式放大器,已知電晶體Q
1
和Q
2
的基極內電阻r
π
、射極內電阻r
e
、轉導g
m
、共基極電流增益α和共射極電流增益β?1等參數均相同,試求差動增益A
d
=v
od
/v
id
之值?
(107年度初等考題)
(A)R
C
/r
π
(B)R
C
/2r
π
(C)R
C
/r
e
(D)R
C
/2r
e
。
11. 下列何者不是二極體電路的主要應用? (109年度初等考題)
(A)整流電路
(B)截波電路
(C)箝位電路
(D)放大電路。
12. 如圖所示之電路,OP AMP為理想。求v
o
/v
id
:
(110年度初等考題)
(A)-1
(B)-k
(C)-(1+k)
(D)-(1+1/k)。
13. 如圖所示之偏壓電路,調整可變電阻V
R
的大小使下列何者為0時,可測得JFET之夾止電壓(V
P
)?
(107年度初等考題)
(A)V
GS
(B)I
G
(C)V
GD
(D)I
D
。
14. 在雙極接面電晶體的共射(CE)、共基(CB)、共集(CC)三種組態中,何者之電流增益小於1? (110年度初等考題)
(A)CE
(B)CB
(C)CC
(D)CE及CC。
15. 下列有關圖示電路的敘述何者正確?
(109年度初等考題)
(A)為微分電路
(B)-3dB頻率與R
1
成正比
(C)直流電壓的增益為-R
2
/R
1
(D)為高通濾波器。
16. 如圖所示為一CMOS反相器,電晶體之μ
n
C
ox
=μ
p
C
ox
;兩電晶體之W/L相同;V
tn
=| V
tp
|。反相器之負載為電容C
L
。若輸入的信號v
i
為方波,其高電位為V
DD
、低電位為0,週期為T。問流過電晶體Q
P
的平均電流?
(109年度初等考題)
(A)0
(B)(μ
p
C
ox
/2)(W/L)(V
DD
-| V
tp
|)
2
(C)V
DD
C
L
/(2T)
(D)V
DD
C
L
/T。
17. 運算放大器反相微分器(differentiator)電路中,回授電路元件為: (110年度初等考題)
(A)二極體
(B)電感器
(C)電容器
(D)電阻器。
18. 如圖所示為一文氏電橋振盪器。R
2
=100kΩ,R
1
=20kΩ,R=10kΩ,C=0.1μF。求振盪器的振盪頻率?
(109年度初等考題)
(A)15.9Hz
(B)79.6Hz
(C)159Hz
(D)1000Hz。
19. 有一運算放大器如下圖所示,已知其轉移方程式(transfer function)為V
3
=1002×V
2
-998×V
1
,請問其差動電壓增益(differential gain)約為多少?
(107年度初等考題)
(A)10dB
(B)20dB
(C)40dB
(D)60dB。
20. 關於雙載子電晶體(BJT)的小信號模型,下列敘述何者錯誤?
(111年度初等考題)
(A)在特定β的條件下,r
π
與偏壓電流成正比
(B)在特定β的條件下,g
m
與偏壓電流成正比
(C)在特定元件大小的條件下,r
o
與偏壓電流成反比
(D)對共射級放大器而言,r
π
越大則輸入阻抗越大。
21. 二極體順向導通時,下列何者正確? (107年度初等考題)
(A)在N端加相對正電壓,在二極體內部中電子從N端流向P端
(B)在N端加相對負電壓,在二極體內部中電子從N端流向P端
(C)在N端加相對正電壓,在二極體內部中電流從N端流向P端
(D)在N端加相對負電壓,在二極體內部中電流從N端流向P端。
22. 如圖所示為由齊納(Zener)二極體D
1
與D
2
所構成截波電路及其輸入信號v
i
(t),D
1
與D
2
於順偏時可視為理想,而其在反偏之崩潰電壓分別為V
Z1
=6V與V
Z2
=4V,輸出信號v
o
(t)的平均值電壓應為多少?
(107年度初等考題)
(A)-0.375V
(B)-0.125V
(C)0V
(D)0.25V。
23. 理想CMOS反相器(Inverter)的靜態功率損耗為何? (109年度初等考題)
(A)很大
(B)中等
(C)與邏輯狀態有關
(D)零。
24. 如圖運算放大器電路,若電壓增益A為無限大,試求輸出電壓v
o
=?
(109年度初等考題)
(A)-4V
(B)4V
(C)-6V
(D)6V。
25. 共源極放大器的頻寬主要由下列那個寄生電容決定? (110年度初等考題)
(A)閘極-源極
(B)源極-基板
(C)閘極-汲極
(D)汲極-源極。
26. 圖示為一種採用集極回授偏壓電路的電晶體共射極放大器,輸出電壓(v
o
)正半週的最大擺幅恰為5V時,電阻R約為多少?電晶體基-射極的導通定電壓固定為0.8V。
(111年度初等考題)
(A)64kΩ
(B)100kΩ
(C)128kΩ
(D)210kΩ。
27. 如圖所示之電路,其輸入電源為正弦波,假設二極體之壓降皆為0.7V,而此電路之輸出電壓v
out
之峰值為12V,則此輸入電源之電壓均方根值(rms)約為多少?
(108年度初等考題)
(A)8.5V
(B)9.5V
(C)11.6V
(D)13.4V。
28. 如圖所示的電晶體共射極放大器,輸出交流信號的振幅為0.6V,β及R
1
、R
2
均變成原來的1.5倍,電晶體其他特性維持不變,輸出交流信號的振幅變為多少?以上改變仍使放大器工作在不失真放大範圍。
(110年度初等考題)
(A)0.4V
(B)0.6V
(C)0.9V
(D)1.35V。
29. 有一運算放大器(OPA),已知其直流增益為100dB和單一增益頻率f
T
為5MHz,試求其-3dB的頻寬f
B
為多少? (109年度初等考題)
(A)5Hz
(B)50Hz
(C)5kHz
(D)50kHz。
30. 如圖所示為理想運算放大器之電路,R
1
=2kΩ、R
2
=10kΩ、R
3
=2kΩ,試求其輸入阻抗R
i
為多少?
(107年度初等考題)
(A)1kΩ
(B)2kΩ
(C)4kΩ
(D)10kΩ。
31. 在BJT電晶體的放大器中,若訊號的擺幅很小,則電晶體的爾利效應(Early effect)可以等效為下列何者? (110年度初等考題)
(A)電壓源
(B)電流源
(C)電阻
(D)電容。
32. 某一增強型MOSFET其臨界電壓V
t
=2V,若源極接地而直流電源3V接到閘極,當V
DS
=0.5V時,試問該MOSFET操作在什麼區域? (108年度初等考題)
(A)崩潰區(breakdown region)
(B)飽和區(saturation region)
(C)三極管區(triode region)
(D)主動區(active region)。
33. 有關運算放大器的應用,下列電路何者使用負回授電路? (111年度初等考題)
(A)比較器
(B)史密特觸發電路(Schmitt trigger)
(C)無穩態電路(Astable)
(D)電壓隨耦器。
34. 如圖為共源極放大電路及其MOS電晶體的轉換特性與輸出負載線關係,假設R
G
>>2kΩ,該放大電路的小信號電壓增益絕對值為何?
(108年度初等考題)
(A)30
(B)18
(C)12
(D)6。
35. 如圖所示的方波產生電路在正常工作下並於某個時間點測知V
f
的電壓值為8伏特,此電路中流過電阻器R的電流絕對值取其最大與最小值分別以I
1
和I
2
(單位mA)表示之,則下列那一敘述為正確?其中施加於理想OPA之電壓為±16V。
(111年度初等考題)
(A)I
1
=8mA
(B)I
2
=4mA
(C)I
1
+I
2
=8mA
(D)I
1
-I
2
=2mA。
36. 一幾何比W/L固定的場效電晶體(FET)工作於飽和區,當過驅電壓V
OV
(Overdrive V
o
ltage)變為原來的2倍,則轉導g
m
(Transconductance)將變為原來的: (108年度初等考題)
(A)1倍
(B)2倍
(C)4倍
(D)8倍。
37. 漣波因素(ripple factor)或漣波百分比(r%)用以評比整流-濾波電路之優劣,已知各種整流濾波電路所提供之相關資訊如輸出信號之有效值電壓V
o(rms)
=A、平均值電壓V
o(dc)
=B伏特、漣波電壓有效值V
r(rms)
=C伏特,那一選項中電路的濾波效果最佳? (109年度初等考題)
(A)A=15,B=12
(B)B=12,C=1
(C)r=10
(D)A=15,C=1。
38. 電晶體放大電路及其輸入特性曲線如圖,偏壓電源為V
CC
=10V及V
BB
=1.6V,R
1
=1.5kΩ、R
2
=50kΩ,該放大電路的輸入直流電流I
BQ
約為多少?
(110年度初等考題)
(A)0.02mA
(B)0.06mA
(C)0.08mA
(D)0.1mA。
39. 圖示半波整流電路之輸入信號v
i
(t)=20sin (754t)伏特及N
1
:N
2
=2:1,變壓器與二極體均視為理想,關於輸出信號v
o
(t)之頻率f
o
、有效值電壓V
o(rms)
、平均值電壓V
o(dc)
、峰值電壓V
o(p)
等的約略值,下列敘述何者正確?
(109年度初等考題)
(A)f
o
=754Hz
(B)V
o(p)
=20V
(C)V
o(rms)
=7.1V
(D)V
o(dc)
=3.2V。
40. 如圖所示為此二極體電路之轉移函數,假設二極體皆有開啟電壓V
D,on
,當電路操作於區域II時,D
1
與D
2
的狀態分別為何?
(107年度初等考題)
(A)D
1
on, D
2
off
(B)D
1
off, D
2
on
(C)D
1
on, D
2
on
(D)D
1
off, D
2
off。
41. 如圖雙穩態電路,其R
1
=10kΩ且R
2
=16kΩ,若在t=0時輸出電壓V
o
飽和在-13V;當在t>0時,輸入電壓v
I
<-5V,輸出電壓V
o
會在什麼狀態?
(110年度初等考題)
(A)0V
(B)-13V
(C)+13V
(D)±13V 變化。
42. 假設電晶體操作於飽和區,如圖所示共閘極放大器之增益(v
o
/v
i
)為何?電晶體之μ
n
C
ox
=500μA/V
2
,W/L=100,V
TH
=0.6V,V
GS
=0.8V。
(111年度初等考題)
(A)20
(B)30
(C)40
(D)50。
43. 如圖所示以電容器C
1
~C
3
、理想變壓器及理想二極體D
1
~D
3
所構成之倍壓電路,輸入弦波信號且在穩定狀態下電容器C
2
所跨電壓為V
C2
=20伏特,電容器C
1
與C
3
所跨電壓和(V
C1
+V
C3
)應約為多少?
(107年度初等考題)
(A)20V
(B)30V
(C)40V
(D)50V。
44. 分析如圖之電路,若稽納(Zener)二極體ZD1、ZD2之崩潰電壓為6V,導通電壓為0.7V,且導通電阻值為0Ω。v
I
=10sinωt (V),則電阻上流過之最大電流為何?
(108年度初等考題)
(A)0mA
(B)1.65mA
(C)3.35mA
(D)4.3mA。
45. 60Hz的交流小訊號經全波整流後,輸出訊號之頻率應為: (109年度初等考題)
(A)20Hz
(B)30Hz
(C)60Hz
(D)120Hz。
46. 如圖所示之電路,假如二極體之壓降V
D
為0.7V,求其輸出電壓v
o
之平均值為何?
(109年度初等考題)
(A)5.37V
(B)10.58V
(C)23.3V
(D)109.3V。
47. 類比積體電路中,使用電流鏡或電流源來代替電阻性負載,下列何者錯誤? (109年度初等考題)
(A)為了減少電路占用的面積
(B)可降低電源電壓
(C)為了提供比電阻性負載更小的等效電阻
(D)可提高放大器增益。
48. 下圖是一矽場效電晶體(Si FET)元件的剖面結構,各層使用不同材料,圖中僅標示某假想製程厚度,此電晶體的臨界電壓(threshold voltage)的絕對值為| V
th
|=0.5V。V
D1
=2V,V
D2
=-2V,V
D
=2V,V
E
=-2V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層?
(107年度初等考題)
(A)A層
(B)B層
(C)C層
(D)D層。
49. 若輸入信號v
i
如圖所示,二極體之導通電壓為0V,導通電阻為0Ω,電容C1兩端之初始電壓差為0V,關於輸出信號v
o
的敘述,下列何者錯誤?
(108年度初等考題)
(A)v
i
與v
o
的週期相同
(B)v
o
的最小值為1V
(C)v
o
的最大值為2V
(D)v
o
的平均值>0V。
50. 如圖所示之電路,其中電晶體之參數為β=120,V
T
=26mV,V
BE(on)
=0.7V且爾利(Early)電壓V
A
=∞,求此電路之小信號電壓增益值為何?
(107年度初等考題)
(A)37
(B)47
(C)57
(D)67。