單選題 每題2分

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1. 圖示電路，若電流源I為1mA、R_C＝1kΩ，電晶體電流放大率β＝100，則電壓增益v_o/v_i約為若干？
　(107年度考題)　

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2. 分析如圖之電路，若二極體之電流I_D可表示為I_D＝I_S exp(V_D/V_T)，V_D為二極體之跨壓，V_T＝25mV，C1與C2之電容值為無限大，則v_o/v_i＝？
　(109年度考題)　

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3. 在某個瞬間測得流過如圖所示波形產生電路中電容器C＝0.2μF的電流i(t)＝2mA，決定輸出v_O的頻率約為多少Hz？其中兩個理想放大器的直流電源電壓值均為±10伏特。
　(110年度考題)　

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4. 若運算放大器之迴轉率（slew rate）為4π V/μs，當輸入為弦波時其輸出弦波之峰值為5V，求最大不失真頻率為何？　(107年度考題)　

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5. 如圖所示為雙極性電晶體Q接成共射極組態，已知電晶體之電流增益為β且集－基極接面的逆向飽和電流為I_CBO，若i_B＝0且V_CE＞0時，則電晶體Q的i_E＝？
　(110年度考題)　

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6. 下列MOSFET放大器的組態中，何者所需的電源電壓最大？　(110年度考題)　

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7. 如圖所示為一個具有偏壓電源V_R的施密特觸發電路（OPA視為理想），其輸入－輸出（v_I－v_O）轉移特性的上、下臨界輸入電壓分別為V_UT＝9伏特、V_LT＝－3伏特，則該偏壓電源V_R約為多少？
　(109年度考題)　

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8. 圖中電晶體M1之μ_nC_ox(W/L)＝0.5mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應且M1維持操作在飽和區（saturation region），則V_B的最大值為何？
　(107年度考題)　

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9. 如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的β＝100，V_BEactive＝0.7V，C_π＝20pF，C_μ＝5pF，忽略爾利效應。V_T＝25mV，求高頻3dB頻率（選最接近之值）？
　(109年度考題)　

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10. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，則v_o之電壓為何？
　(107年度考題)　

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11. 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為| V_th |＝0.5V。V_D1＝2V，V_D2＝－2V，V_D＝2V，V_E＝－2V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？
　(106年度考題)　

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12. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，輸入電源為峰值12V的正弦波，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　(109年度考題)　

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13. 一個3級直接耦合串級放大電路的輸入端與輸出端電阻分別為R_i＝2kΩ與R_o＝1kΩ，各單級放大器的電壓增益分別為－50、－3dB、及20，決定該串級放大電路的功率增益為多少dB？　(110年度考題)　

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14. 半波整流電路以及半波整流－電容濾波電路中二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）分別為A伏特與B伏特，所有二極體的順向特性及濾波效果均視為理想且相同的輸入信號為弦波時，A/B之比值約為何？　(109年度考題)　

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15. 如圖電路，已知輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF；若在電容器C旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為0.7V，則輸出電壓v_o會在什麼狀態？
　(110年度考題)　

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16. 一個NPN雙極性電晶體，β＝100且操作在主動區（active region）。若集極對射極的電壓為5V，集極電流為1mA。熱電壓V_T＝0.025V。求由基極視入的基射極小信號電阻r_π？　(108年度考題)　

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17. 如圖為一方波振盪器。若OP AMP輸出的上下限為±10V。R₂＝4R₃、R₁C₁＝10ms，求方波的振幅？
　(107年度考題)　

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18. 下列那一種耦合串級放大器有最佳的低頻響應？　(110年度考題)　

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19. 一個n通道MOSFET，若其閘極－汲極電容C_gd＝10fF，閘極－源極電容C_gs＝50fF，轉導g_m＝1.2mA/V，則此MOSFET之單一增益頻率（unity-gain frequency）約為多少？（f＝10^－15）　(108年度考題)　

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20. 如圖所示為一CMOS反相器，其負載為電容C_L。若輸入的信號v_i為方波，其高電位為V_DD、低電位為0，頻率為f，下列何者正確？
　(108年度考題)　

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21. 如圖所示之電路，運算放大器為理想，求此電路之輸出電壓值為何？
　(106年度考題)　

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22. 如圖所示為兩個理想OPA構成的三角波產生電路，該兩OPA所施加的直流電源電壓值相同，測得v_O1及v_O2輸出波形的峰到峰值分別為20及16伏特，則R₁的電阻值應約為何？
　(107年度考題)　

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23. 如圖所示電路，U₁為理想運算放大器。已知電阻R₁＝1kΩ、R₂＝3kΩ、R₃＝1kΩ、R₄＝3kΩ。求在輸入端v_I2的等效輸入電阻R_in2約為多少？
　(108年度考題)　

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24. 圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為0，電容C₁與C₂之初始電壓皆為0V，v_i (t)＝10sin(10t)伏特，於穩態時，下列敘述何者正確？
　(110年度考題)　

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25. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V，在穩態時輸出電壓v_O的電壓值約為多少？
　(110年度考題)　

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26. 電晶體放大電路藉由如圖所示的分壓偏壓電路，使得該電晶體的輸出直流電壓工作在V_ECQ＝6V，射－基極的導通定電壓固定為0.8V，求電阻R約為多少？
　(110年度考題)　

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27. 一個正脈波（窄幅波）中，高、低電位各為6伏特與1伏特，對應之工作週期分別為20%與80%。問此正脈波的平均電壓為多少？　(106年度考題)　

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28. 如圖之箝位電路（D為理想二極體，RC時間常數為無限大），輸入矩形週期波v_i(t)後，得到直流準位為2伏特之輸出信號，則偏壓電源V_R應為多少？
　(106年度考題)　

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29. 如圖電晶體放大器電路，試問旁路電容C_E會衰減放大器頻率響應的那一頻段？
　(107年度考題)　

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30. 若PNP型電晶體操作在主動區且I_B＝0.05mA，I_C＝4.95mA，則其α值為：　(107年度考題)　

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31. 如圖所示之電路，二極體皆為理想，有關此電路之敘述，下列何者正確？
　(108年度考題)　

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32. 固定偏壓電路中電晶體基－射極導通時所跨定壓降為V_BEQ＝0.7V，求該電晶體的輸出直流電壓V_CEQ約為多少？
　(106年度考題)　

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33. 下列為一被動式濾波器（Passive filter），已知L＝4.24μH、C＝1.6μF、R＝10kΩ。試求此電路的共振頻率約為多少？
　(107年度考題)　

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34. 若雙極性電晶體（BJT）的βI_B＝I_C時，則電晶體操作在：　(107年度考題)　

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35. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R₁＝10kΩ、V_DC＝5V。若R₂＝20kΩ，當輸入電壓v_S為10V時，試求流經二極體D的電流值i_D約為多少？
　(107年度考題)　

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36. 如圖所示之電路，二極體導通之壓降為0.7V，RC≫v_i之週期，求電路穩態時之V₃為何？
　(108年度考題)　

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37. 下列那一種FET在閘極未加電壓時是沒有通道的？　(108年度考題)　

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38. 如圖所示之電路，當V_IN為5V時，V_OUT為何？假設二極體的開啟電壓（turn-on voltage）為0.8V。
　(107年度考題)　

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39. 當一npn電晶體工作在飽和模式（Saturation-Mode）時，下列敘述何者最有可能是錯誤的？　(107年度考題)　

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40. 圖示理想運算放大器電路中，二極體導通的電壓降為0.7V，電壓v_O為若干？
　(106年度考題)　

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41. 如圖電路，設電晶體之β＝100，R_B＝50kΩ，I＝1mA，V_CC＝3V。若要使電晶體維持工作在主動模式（Active-mode）而不進入飽和模式（Saturation-mode），則R_C可容許之最大值約為：
　(110年度考題)　

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42. 一個NMOS電晶體，其臨界電壓V_t＝0.5V。當輸入端電壓V_GS＝1.5V時之汲極飽和電流I_D＝1mA，則當汲極飽和電流I_D增為4mA時，其V_GS值為多大？　(107年度考題)　

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43. 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於0.2mA才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻R_L最少應為多少？
　(110年度考題)　

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44. 如圖所示之電路，如A_o＝∞，電容器初始壓降V_C(0)＝0，輸入訊號為一弦波，假使輸出振幅為輸入訊號振幅的5倍且RC＝0.8μs，則輸入訊號之頻率值為何？
　(109年度考題)　

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45. 雙極性電晶體內部電容因米勒效應（Miller Effect）會影響放大器的何種特性？　(106年度考題)　

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46. 如圖所示具有反交聯電容器C₁的增強型MOSFET放大器中μ_nC_ox(W/L)＝4mA/V²，流經3kΩ的直流偏壓電流為2mA，輸入交流弦波信號v_i的振幅為0.2V，輸出交流信號的振幅為多少？
　(107年度考題)　

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47. 如圖所示之電路，其為何種濾波器？
　(108年度考題)　

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48. 變壓器型半波整流電路及中間抽頭變壓器型全波整流電路，當輸入不同弦波信號時，測得兩種電路中二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）剛好均相同時，設半波及全波之輸出信號峰值電壓為V_o1(p)及V_o2(p)，則V_o1(p)：V_o2(p)之比值為何？　(110年度考題)　

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49. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R＝2kΩ，試求每一顆二極體峰值反向電壓約為多少？
　(110年度考題)　

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50. 圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±10V，R₁＝10kΩ、R₂＝30kΩ，輸出電壓v_O原為＋10V，輸入電壓v_I為下列何電位時，輸出v_O將為－10V？
　(110年度考題)　

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