單選題 每題2.5分

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1. 一個N通道MOSFET元件，其源／汲極結構會是金屬與何種半導體接觸形成？　

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2. 某增強型NMOS場效電晶體的V_t＝0.7V、μ_nC_ox （W/L）＝50μA/V²，今若其源極（Source）電壓0.5V，閘極（Gate）電壓2.5V，汲極（Drain）電壓1.0V，則此電晶體工作在那一區？　

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3. 有一積體電路晶片的腳位布局圖（pin layout）如下所示，請問第10隻腳為下列何者？
　

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4. 如圖為一齊納二極體電路，此齊納二極體流過的電流必須大於0.2mA才能維持在崩潰的狀態。假若齊納二極體崩潰時的內阻可以忽略，問負載電阻R_L最少應為多少？
　

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5. 如圖所示之理想放大器電路，求v_o/v_i。
　

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6. 如圖所示為雙極性電晶體Q接成共射極組態，已知電晶體之電流增益為β且集－基極接面的逆向飽和電流為I_CBO，若i_B＝0且V_CE＞0時，則電晶體Q的i_E＝？
　

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7. 設圖中所示電晶體的射極電壓為1V，又設| V_BE |＝0.7V，則其α為？
　

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8. 圖為理想運算放大器電路，其電壓增益Av＝v_O/v_I為多少？
　

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9. 下列何者屬於理想運算放大器的特性？　

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10. 一個NMOS電晶體，其臨界電壓V_t＝0.5V。當輸入端電壓V_GS＝1.5V時之汲極飽和電流I_D＝1mA，則當V_GS增為2.5V時其汲極飽和電流I_D約為多大？　

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11. 下列有關利用理想運算放大器構成的電壓隨耦器（voltage follower）之特性，何者錯誤？　

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12. 有一放大器電路如圖所示，放大器U₁為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在＋10V與－10V之間，二極體D₁順向電壓V_D0＝0.7V。電阻R₁＝1kΩ，V₁為交流電源，若欲使節點A為正時二極體D₁導通，為負時二極體D₁不導通，試問放大器U₁的端點1應為正輸入或負輸入？
　

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13. 變壓器型半波整流電路及中間抽頭變壓器型全波整流電路，當輸入不同弦波信號時，測得兩種電路中二極體所承受之峰值逆向電壓（PIV）剛好均相同時，設半波及全波之輸出信號峰值電壓為V_o1(p)及V_o2(p)，則V_o1(p)：V_o2(p)之比值為何？　

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14. 圖示截波電路（D為理想二極體）及其輸入信號v_i (t)＝10sin (ωt)伏特，已知輸出信號v_o的峰對峰電壓值為4伏特，則偏壓電源V_R應該是多少伏特？
　

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15. 下列何者不是二極體應用上的功能？　

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16. 圖示為部分的電晶體共射極放大電路，與電容器C有關功能的敘述，下列何者正確？
　

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17. 圖中之電路若二極體之導通電壓與導通電阻皆為0，電容C₁與C₂之初始電壓皆為0V，v_i (t)＝10sin(10t)伏特，於穩態時，下列敘述何者正確？
　

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18. 如圖所示之電路，假設二極體皆為理想，v_in＝V_msin (ωt)，且V_m＞3V，則其輸出電壓v_out之波形最有可能為下列何者？
　

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19. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V、R＝2kΩ，試求每一顆二極體峰值反向電壓約為多少？
　

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20. 如圖所示電路，U₁為理想運算放大器。假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V，已知電阻R₁＝1kΩ、R₂＝2kΩ、R₃＝1kΩ、V_CC＝－5V。當v_I＝3V時，對於節點B的電壓v_B，下列敘述何者正確？
　

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21. 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓V_D0＝0.7V。已知電壓v_s(t)＝12sin（120πt）V，在穩態時輸出電壓v_O的電壓值約為多少？
　

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22. 如圖所示之電路，假設二極體為理想，試求輸出電壓之最大負值為何？
　

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23. 若只需考慮負載電阻R_L與負載電容C_L，如圖所示之放大器的頻寬約為何？
　

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24. 下列何者不是共基極放大器的特性？　

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25. 下列MOSFET放大器的組態中，何者所需的電源電壓最大？　

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26. 圖中電晶體M1之μ_nC_ox（W/L）＝1mA/V²，臨界電壓V_T＝0.8V，若忽略通道調變效應，V_I＝1V，V_o＝？
　

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27. 如圖所示為一共射極放大電路及其電晶體的部分輸出特性，基－射極接面（BEJ）於導通時因壓降變化不大而視為常數＝0.7V，R_B＝40kΩ時，欲得到6V的輸出直流工作點，R_C約多少？
　

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28. 圖中所示的增強型MOSFET具有特性參數包括：臨界電壓V_th＝1V、μ_nC_ox（W/L）＝1mA/V²，如果MOSFET的輸入直流電壓V_GSQ需被設計為3V時，則圖中標示的電阻R值應約多少？
　

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29. 電晶體放大電路藉由如圖所示的分壓偏壓電路，使得該電晶體的輸出直流電壓工作在V_ECQ＝6V，射－基極的導通定電壓固定為0.8V，求電阻R約為多少？
　

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30. 如圖電路若電晶體操作於飽和區，下列何種方式可使電晶體進入主動區？
　

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31. 如圖電路，設電晶體之β＝100，R_B＝50kΩ，I＝1mA，V_CC＝3V。若要使電晶體維持工作在主動模式（Active-mode）而不進入飽和模式（Saturation-mode），則R_C可容許之最大值約為：
　

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32. 下列電晶體組態中，何者兼具大於1之電流增益以及電壓增益？　

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33. 在某個瞬間測得流過如圖所示波形產生電路中電容器C＝0.2μF的電流i(t)＝2mA，決定輸出v_O的頻率約為多少Hz？其中兩個理想放大器的直流電源電壓值均為±10伏特。
　

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34. 一個3級直接耦合串級放大電路的輸入端與輸出端電阻分別為R_i＝2kΩ與R_o＝1kΩ，各單級放大器的電壓增益分別為－50、－3dB、及20，決定該串級放大電路的功率增益為多少dB？　

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35. 圖示為理想運算放大器組成的電路，運算放大器的輸出飽和電壓為±10V，R₁＝10kΩ、R₂＝30kΩ，輸出電壓v_O原為＋10V，輸入電壓v_I為下列何電位時，輸出v_O將為－10V？
　

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36. 如圖電路，已知輸出v_o的飽和電壓在±10V，其R₁＝100kΩ，R₂＝R＝1MΩ且C＝0.01μF；若在電容器C旁邊並接一顆二極體，其順向電壓為0.7V，則輸出電壓v_o會在什麼狀態？
　

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37. 下列那一種耦合串級放大器有最佳的低頻響應？　

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38. 如圖電路，若輸入v_i (t)為三角波電壓，則輸出v_o (t)是什麼波形？
　

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39. 有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)＝V_O(s)/V_I(s)，其中s＝jω＝j2πf：F(s)＝，在製作| F(s) |的波德曲線圖（Bode plot）時，欲估計在頻率f＝3kHz時的線段斜率，下列何者正確？　

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40. 如圖由理想運算放大器所組成之哈特萊振盪器，其振盪頻率為何？
　

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