台電新進雇員|☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性|試題|電子學|(收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題) -鼎文題庫網

1. 一共基極放大器，在室溫下之熱電壓VT＝26 mV，已知其電壓增益為20，若直流工作點IEQ＝2 mA，試求其小訊號re電阻為何？　(111年度考題)　

(A)13Ω　

(B)26Ω　

(D)52Ω。

2. 若一電源頻率為60Hz，經半波整流後，輸出電壓之漣波頻率為何？　(109年度考題)　

(A)120Hz　

(B)60Hz　

(D)50Hz。

3. 電晶體欲做線性放大器，應工作於下列何區？　(107年5月考題)　

(A)截止區　

(B)飽和區　

(C)定電流區　

(D)主動區。

4. 有關逆向偏壓接面電容之敘述，下列何者正確？　(109年度考題)　

(A)隨逆向偏壓降低而增加　

(B)隨逆向偏壓升高而增加　

(C)由逆向飽和電流決定　

(D)隨順向偏壓降低而增加。

5. 下列敘述何者有誤？　(112年度考題)　

(A)BJT當開關使用時是工作於飽和區或截止區　

(B)BJT屬雙載子元件　

(C)BJT在順向主動區的偏壓是BE接面順向偏壓，BC接面逆向偏壓　

(D)BJT基極的多數載子儲存時間是影響電晶體開關切換速度的主因。

6. 如圖所示電路，若二極體之導通電壓為0.7V，則輸出電壓值V_o為何？　(106年度考題)　

(A)3.7V　

(B)4.7V　

(D)10V。

7. 下列關於BJT電晶體射極隨耦器之特性敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)輸出訊號與輸入訊號相位相同

(B)電流增益低於1

(C)電壓增益略小於1

(D)輸入阻抗甚高。

8. 以轉動率（slew rate）1V/μs之運算放大器當成隨耦電路，若輸入脈波（pulse）高度為0.2V，要使輸出電壓能達到最大值，則輸入脈波的寬度最小值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)50ns　

(B)100ns　

(D)500ns。

9. 如圖所示，若MOSFET之臨限電壓（Threshold Voltage）為2V，閘源極間電壓V_GS＝4V時，其汲極電流I_D(on)＝20mA，則此電路之汲源極間電壓V_DS及汲極電流I_D分別約為何？
　(108年度考題)　

(A)3.4V、18.4mA　

(B)4.3V、18.4mA　

(D)4.5V、15.3mA。

10. 有關場效電晶體（FET）之敘述，下列何者有誤？　(107年12月考題)　

(A)可分成N通道與P通道兩種　

(B)輸入阻抗較雙極性電晶體（BJT）為低　

(C)MOSFET又分成空乏型與增強型兩種　

(D)主要可分成JFET及MOSFET兩種。

11. 如圖所示電路，若Q₁與Q₂完全相同，則V_o的週期約為多少？
　(106年度考題)　

(A)2.1 R_C　

(B)2 R_C　

(D)0.7 R_C。

12. 有一JFET之汲極偏壓電流I_DSS＝3mA，其中V_GS(OFF)＝－3V，當此JFET工作於V_GS＝－1V時，其順向轉移互導g_m為多少毫姆歐？　(107年5月考題)　

(A)1.33　

(B)2.67　

(D)3.85。

13. 某全波整流器，其濾波電容為40 μF，負載電流為40 mA，峰值濾波電壓為100 V，若電源頻率為60 Hz，試求其濾波器的直流電壓約為何？　(111年度考題)　

(A)50 V　

(B)75 V　

(D)100 V。

14. 疊接放大電路為何種型態串級放大？　(112年度考題)　

(A)CB-CB　

(B)CE-CB　

(C)CE-CC　

(D)CE-CE。

15. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振盪器，若R₁＝4kΩ，R₂＝1kΩ，R₄＝10kΩ，C₁＝0.1μF，C₂＝0.4μF，該電路之回授量β應為多少？
　(106年度考題)　

(A)1/10　

(B)1/9　

(D)1/7。

16. 有兩個特性完全相同的電晶體，連接成如圖之電路，該兩晶體的特性如下：VBE＝0.7 V，β＝200，VT＝25 mV，若逆向飽和電流不計入，試求其Q1電晶體的IC1約為何？
　(111年度考題)　

(A)0.25 mA　

(B)0.5 mA　

(D)1.25 mA。

17. 關於自由電子與價電子之敘述，下列何者有誤？　(111年度考題)　

(A)自由電子的能階大於價電子的能階　

(B)自由電子位於傳導帶　

(C)自由電子成為價電子會釋放能量　

(D)價電子位於原子核最內層之電子軌道。

18. 關於價電子與自由電子的敘述，下列何者有誤？　(107年5月考題)　

(A)價電子位於原子核最外層軌道　

(B)復合（recombination）造成自由電子與電洞的消失　

(C)自由電子位於傳導帶　

(D)熱游離（thermal ionization）造成相同數目，相同濃度的自由電子及價電子。

19. 某場效電晶體的導電參數K＝2mA/V²，若直流工作點的汲極電流為8mA，試求互導g_m為何？　(107年12月考題)　

(A)2mS　

(B)4mS　

(D)8mS。

20. 如圖所示共源極放大器，若場效應電晶體參數rd＝30KΩ，gm＝2 mA/V，試求其電路的中頻電壓增益AV為何？
　(111年度考題)　

(A)－60 V　

(B)－20 V　

(C)－15 V　

(D)15 V。

21. 有關場效電晶體FET之敘述，下列何者正確？　(108年度考題)　

(A)不適合雙向開關使用　

(B)抵補電壓（Offset Voltage）極高　

(C)不適合作超大型積體電路　

(D)輸入阻抗極高。

22. 差動放大器中之CMRR愈大愈好，若要提高CMRR值，則其射極直流阻抗（R_E）及射極交流阻抗（r_e）應如何選擇？　(104年度考題)

(A)R_E、r_e皆為高阻抗

(B)R_E為高阻抗，r_e為低阻抗

(C)R_E、r_e皆為低阻抗

(D)R_E為低阻抗，r_e為高阻抗。

23. 有一電晶體偏壓於作用區，測得I_B＝0.05mA、I_E＝5mA，則此電晶體的α參數值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)0.01　

(B)0.99　

(D)100。

24. 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)共射極組態放大電路又稱為射極隨耦器

(B)共射極組態之輸入與輸出信號位差180度

(C)共基極組態放大電路的高頻響應最佳

(D)共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用。

25. 如圖所示電路，Vi＝2 V，試求其輸出電壓Vo為何？
　(111年度考題)　

(A)－12 V　

(B)－6 V　

(D)12 V。

26. 下列敘述何者有誤？　(112年度考題)　

(A)BJT作為放大器使用時，應工作於順向主動區　

(B)BJT作為放大器使用時，C極可當作輸入端　

(C)NPN型BJT之多數載子為電子　

(D)當BJT工作於飽和區時，電流Ic由外接電路決定。

27. 有關負回授特性，下列何者正確？　(112年度考題)　

(A)使增益對任何變動更敏感　

(B)增加雜訊效應　

(C)縮減頻寬　

(D)減少非線性失真。

28. 下列何者為正弦波振盪器？　(110年度考題)　

(A)施密特振盪器　

(B)考畢子振盪器　

(C)單穩態多諧振盪器　

(D)雙穩態多諧振盪器。

29. 如下圖所示之電路，若電晶體的β值為100，則使電晶體處於飽和狀態的最小I_B約為多少？
　(104年度考題)

(A)1mA

(B)0.1mA

(D)0.5mA。

30. 如圖所示，假設4K1＝K2，臨界電壓Vt1＝Vt2＝2 V，試求其Vo 值為何？
　(111年度考題)　

(A)1 V　

(B)2 V　

(D)6 V。

31. 一般雙極接面電晶體（BJT）其基極(B)、集極(C)與射極(E)的摻雜濃度由大至小依序為何？　(108年度考題)　

(A)B＞C＞E　

(B)B＞E＞C　

(C)E＞C＞B　

(D)E＞B＞C。

32. 有關差動放大器的特性，A_C（共模增益）及A_d（差模增益），下列敘述何者有誤？　(108年度考題)　

(A)A_C越小越好　

(B)A_d越小越好　

(C)共模拒斥比（CMRR）定義為

(D)共模拒斥比（CMRR），越大越能抑制雜訊。

33. 有關場效電晶體，下列敘述何者有誤？（I_D為汲極電流，I_G為閘極電流）　(110年度考題)　

(A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體　

(B)場效電晶體的主要型式有接面場效應（JFET）、空乏型MOSFET、增強型MOSFET　

(C)場效電晶體以控制通道之寬度達到控制I_D大小之目的　

(D)對場效電晶體的I_D影響最大的是I_G。

34. 電晶體做為開關電路，負載為電感性時的保護措施為何？　(104年度考題)

(A)將電阻器與負載並聯

(B)將電阻器與負載串聯

(C)將電容器與負載串聯

(D)將二極體與負載並聯。

35. 下列敘述何者有誤？　(112年度考題)　

(A)共基極放大器可工作於較高頻率　

(B)共射極放大器，輸入與輸出電壓為反相關係　

(C)在BJT放大器中，共集極具有較低的輸出阻抗　

(D)射極隨耦器電流增益大約等於1。

36. 一直流電源無載時電壓為30 V，內阻為2Ω，滿載電流為2.5A，試求其電壓調整率為多少？　(111年度考題)　

(A)5 %　

(B)10 %　

(D)40 %。

37. 增加PN接面二極體中雜質摻雜濃度，導致下列何者特性減少？　(112年度考題)　

(A)電位障　

(B)接面電容　

(C)內建電場　

(D)空乏區寬度。

38. 有關JFET特性之敘述，下列何者有誤？　(109年度考題)　

(A)V_GS＝0時，I_D＝I_DSS　

(B)N通道的夾止（pinch-off）電壓V_P是負值　

(C)在歐姆區操作時，|V_DS|＞|V_GS－V_P|　

(D)閘極電流趨近於零。

39. 於主動區工作之電晶體電流增益α＝0.95，若射極電流IE＝10 mA，漏電流ICBO＝5 μA，試求其集極電流IC值為何？　(111年度考題)　

(A)9.005 mA　

(B)9.505 mA　

(D)10.505 mA。

40. 如圖所示，V_D＝15V，V_GS＝－3V，則R_s為何？
　(108年度考題)　

(A)1.5kΩ　

(B)2kΩ　

(D)4.5kΩ。

41. 如圖所示之LED驅動電路，使LED發亮的電壓為2V，電流為15mA，假設飽和電晶體之V_CE(sat)電壓降可忽略不計，V_BE(sat)＝0.8V，試求R_B、R_C的適當電阻值為何？
　(106年度考題)　

(A)15kΩ、100Ω　

(B)15kΩ、200Ω　

(D)25kΩ、200Ω。

42. 下列敘述何者有誤？　(107年5月考題)　

(A)FET具高輸入阻抗　

(B)FET的源極與汲極可以對調使用　

(C)FET增益與頻帶寬之乘積大於BJT　

(D)FET高頻響應較BJT不佳。

43. 下列何者可作為電路的方波產生器？　(110年度考題)　

(A)無穩態多諧振盪器　

(B)單穩態多諧振盪器　

(C)雙穩態多諧振盪器　

(D)RC相移振盪器。

44. 某P通道增強型MOSFET，導電參數K＝0.5mA/V²，臨界電壓V_T＝－2V，試求V_GS＝－5V時，I_D值為何？　(109年度考題)　

(A)6mA　

(B)4.5mA　

(D)0.5mA。

45. 下列何種雙極性接面電晶體電路組態，適合於高頻放大器應用？　(109年度考題)　

(A)共集極電路　

(B)共基極電路　

(C)共射極電路　

(D)具共射極電阻之共射極電路。

46. 如圖所示，該二極體為理想的二極體，則電路輸出電壓V_o為何？
　(109年度考題)　

(A)2V　

(B)5V　

(D)10V。

47. 如圖所示之電路，若D屬理想二極體，則下列何種做法對改善其漣波因數（ripple factor）的效果最差？
　(104年度考題)

(A)將電容值加大

(B)將輸入電壓變小

(C)將電阻值加大

(D)改用全波整流。

48. 關於濾波器的敘述，下列何者正確？　(108年度考題)　

(A)高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器　

(B)高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器　

(C)RC低通濾波器的電容值與截止頻率成正比　

(D)RC高通濾波器的電容值與截止頻率成正比。

49. 某矽製二極體之PN接面於5 °C時，其逆向飽和電流為5 nA，當此PN接面溫度上升至35 °C時，試求其逆向飽和電流為何？　(111年度考題)　

(A)50 nA　

(B)40 nA　

(D)20 nA。

50. 相對於單級放大器，有關串級放大器的增益與頻寬之描述，下列何者正確？　(109年度考題)　

(A)增益變大，頻寬變寬　

(B)增益變大，頻寬變窄　

(C)增益變小，頻寬變寬　

(D)增益變小，頻寬變窄。

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