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台電新進雇員 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 電子學 » (收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題)
單選題
每題2分
1. 當一方波輸入至一微分器時,其輸出訊號為下列何者? (107年5月考題)
(A)上下脈衝
(B)正旋波
(C)三角波
(D)鋸齒波。
2. 如下圖為理想運算放大器之電路,其電壓增益V
O
/V
S
為多少?
(104年度考題)
(A)12
(B)-12
(C)16
(D)-16。
3. 某P通道增強型MOSFET,導電參數K=0.5mA/V
2
,臨界電壓V
T
=-2V,試求V
GS
=-5V時,I
D
值為何? (109年度考題)
(A)6mA
(B)4.5mA
(C)2mA
(D)0.5mA。
4. 有一濾波器之電壓增益值為
,試問此為何種濾波器? (110年度考題)
(A)低通
(B)高通
(C)帶通
(D)帶拒。
5. 有一差動放大器之共模增益為0.2,差模增益為500,試求其共模拒斥比(CMRR)為何? (110年度考題)
(A)0.004
(B)100
(C)2,500
(D)5,000。
6. 有關場效電晶體,下列敘述何者有誤?(I
D
為汲極電流,I
G
為閘極電流) (110年度考題)
(A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體
(B)場效電晶體的主要型式有接面場效應(JFET)、空乏型MOSFET、增強型MOSFET
(C)場效電晶體以控制通道之寬度達到控制I
D
大小之目的
(D)對場效電晶體的I
D
影響最大的是I
G
。
7. 如圖所示,假設雙極性接面電晶體V
BE
=0.7,β=100,R
B
=200kΩ,R
C
=4kΩ,則集極電壓V
C
約為下列何者?
(107年5月考題)
(A)1.4V
(B)3.5V
(C)12V
(D)15V。
8. 如圖所示電路,為__濾波電路,其截止頻率為__,請問空格處應填入下列哪組選項?
(106年度考題)
(A)
(B)
(C)
(D)
。
9. 如下圖所示之電路,流過稽納(Zener)二極體之電流約為多少?
(104年度考題)
(A)3.7mA
(B)3.1mA
(C)1.6mA
(D)0.63mA。
10. 如圖所示之橋式全波整流電路,次級線圈電壓V
i
峰對峰值(V
p-p
)為50V之交流電壓,若二極體為理想元件,則輸出電壓之平均值最接近下列何者?
(110年度考題)
(A)15.9V
(B)17.7V
(C)31.8V
(D)35.4V。
11. 有一共射極放大器之電壓增益分貝值為20dB,其後串接射極隨耦器,求總電壓增益分貝值(dB)為何? (110年度考題)
(A)10dB
(B)20dB
(C)30dB
(D)40dB。
12. 如圖所示,基極電壓為0.7V,集極電壓為2V,若熱電壓V
T
為25mV,則r
π
值為何?
(107年12月考題)
(A)25Ω
(B)250Ω
(C)400Ω
(D)800Ω。
13. 矽、鍺半導體材料的導電性,隨溫度上升將產生何種變化? (108年度考題)
(A)成為絕緣體
(B)減少
(C)不變
(D)增加。
14. 下列由理想運算放大器(OPA)所製作的應用電路中,哪一種電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路? (106年度考題)
(A)比較器
(B)非反相放大器
(C)反相放大器
(D)微分器。
15. 有一放大器將2mV信號放大至20V,其電壓增益為下列何者? (107年5月考題)
(A)100dB
(B)80dB
(C)60dB
(D)40dB。
16. 有一40W功率輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器,若放大器的電壓增益為40dB且額定輸出時,求其輸入電壓為何? (107年12月考題)
(A)40mV
(B)0.1V
(C)0.2V
(D)0.4V。
17. 有關場效電晶體FET之敘述,下列何者正確? (108年度考題)
(A)不適合雙向開關使用
(B)抵補電壓(Offset Voltage)極高
(C)不適合作超大型積體電路
(D)輸入阻抗極高。
18. 關於FET與BJT電晶體的比較,下列何者有誤? (107年12月考題)
(A)FET的輸入阻抗較BJT高
(B)FET比BJT較適合應用於超大型積體電路中
(C)FET的熱穩定性較BJT好
(D)FET的增益與頻寬的乘積較BJT大。
19. 如圖所示共源極放大器,若場效應電晶體參數rd=30KΩ,gm=2 mA/V,試求其電路的中頻電壓增益AV為何?
(111年度考題)
(A)-60 V
(B)-20 V
(C)-15 V
(D)15 V。
20. 如圖所示,直流工作點設置於V
GS
=-1.75V,V
DS
=6V,I
D
=2.5mA,則R
s
值為何?
(112年度考題)
(A)1 kΩ
(B)1.5 kΩ
(C)2 kΩ
(D)2.5 kΩ。
21. 有一電晶體偏壓於作用區,測得I
B
=0.05mA、I
E
=5mA,則此電晶體的α參數值為下列何者? (107年5月考題)
(A)0.01
(B)0.99
(C)9.9
(D)100。
22. 如圖所示為一理想運算放大器,其飽和電壓為±15V,若稽納(Zener)二極體之崩潰電壓為6V,則I值為何?
(110年度考題)
(A)0A
(B)3mA
(C)6mA
(D)9mA。
23. 某電晶體放大電路的輸入/輸出特性曲線如圖所示,其種類與電路組態應為下列何者?
(107年5月考題)
(A)NPN型,共集極
(B)PNP型,共集極
(C)NPN型,共射極
(D)PNP型,共射極。
24. 如圖所示,當VDS=5 V,試求其VGS值為何?
(111年度考題)
(A)-4 V
(B)-2 V
(C)5 V
(D)10 V。
25. 關於二極體的敘述,下列何者正確? (112年度考題)
(A)二極體的順向電阻,會隨順向電流增加而減少
(B)二極體的順向電阻,會隨順向電流增加而增加
(C)二極體的逆向電阻,會隨逆向電流增加而增加
(D)二極體的順向電阻,與逆向電阻均為固定值。
26. 如下圖所示,當理想運算放大器在不飽和情況下,輸出電壓V
O
為何?
(107年12月考題)
(A)-0.5V
(B)-1V
(C)-2V
(D)-4V。
27. 下列何者可作為電路的方波產生器? (110年度考題)
(A)無穩態多諧振盪器
(B)單穩態多諧振盪器
(C)雙穩態多諧振盪器
(D)RC相移振盪器。
28. 稽納二極體(Zener Diode)利用逆壓崩潰區電壓幾乎固定的性質,來達到穩壓效果,如圖所示,該稽納二極體之崩潰電壓V
z
=8V,當V
i
=10V時,V
o
為何?
(109年度考題)
(A)10V
(B)8V
(C)6V
(D)4V。
29. 電晶體射極旁路電容C
E
之主要功用為下列何者? (107年5月考題)
(A)提高電壓增益
(B)防止直流電通過
(C)防止短路
(D)濾波功能。
30. 有關電晶體的結構與特性,下列敘述何者有誤? (106年度考題)
(A)NPN電晶體少數載子為電洞
(B)含雜值比例是射極多於集極
(C)含雜值比例是基極多於集極
(D)PNP電晶體的射極內,電子為多數載子。
31. 如圖所示之LED驅動電路,使LED發亮的電壓為2V,電流為15mA,假設飽和電晶體之V
CE(sat)
電壓降可忽略不計,V
BE(sat)
=0.8V,試求R
B
、R
C
的適當電阻值為何?
(106年度考題)
(A)15kΩ、100Ω
(B)15kΩ、200Ω
(C)25kΩ、100Ω
(D)25kΩ、200Ω。
32. 有一電晶體,當偏壓於作用區,測得I
B
=0.05 mA、I
E
=5 mA,則此電晶體的α值為何? (112年度考題)
(A)0.99
(B)99
(C)100
(D)101。
33. 有關理想運算放大器的特性,下列敘述何者有誤? (106年度考題)
(A)輸出阻抗無限大
(B)有虛擬接地現象
(C)輸入阻抗無限大
(D)開迴路電壓增益無限大。
34. 若PN接面的空乏區兩側,P型半導體與N型半導體的摻雜(Doping)濃度不同,濃度較高者,該側空乏區寬度將如何變化? (108年度考題)
(A)較窄
(B)相同於另一側
(C)較寬
(D)無法比較。
35. 如圖所示電路,電晶體的β=120,V
CE(sat)
=0.2V,V
BE(act)
=V
BE(sat)
=0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
Z
=5.6V,當V
i
=2V,V
o
約為多少?
(106年度考題)
(A)2.8V
(B)5.6V
(C)6.3V
(D)7.3V。
36. 限制輸入信號振幅使其符合小信號定義,主要目標是使電路具有下列何種特性? (107年5月考題)
(A)功率放大
(B)穩定性佳
(C)線性放大
(D)頻率響應佳。
37. 有關逆向偏壓接面電容之敘述,下列何者正確? (109年度考題)
(A)隨逆向偏壓降低而增加
(B)隨逆向偏壓升高而增加
(C)由逆向飽和電流決定
(D)隨順向偏壓降低而增加。
38. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體,其參數g
m
=1.5m℧,r
d
=10kΩ,已知電路中不存在源極電阻R
S
,而汲極電阻R
D
=10kΩ,請問該電路之電壓增益A
V
為何? (106年度考題)
(A)-30
(B)-18.75
(C)-7.5
(D)-5。
39. 如圖所示電路,電晶體的β=120,V
CE(sat)
=0.2V,V
BE(act)
=V
BE(sat)
=0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓V
Z
=5.6V,當V
i
=3V時,電流I約為多少?
(106年度考題)
(A)5.3mA
(B)5.17mA
(C)4.9mA
(D)0mA。
40. 如圖所示,共射極電路若V
CC
=12V,V
CE
=6V,V
BE
=0.7V,R
B
=390kΩ,R
C
=2kΩ,則電晶體之β值最接近下列何者?
(110年度考題)
(A)104
(B)123
(C)133
(D)145。
41. 某NPN電晶體的β=100,集極電流為0.8A,基極電流為12mA,則電晶體處於何種區域模式? (109年度考題)
(A)主動模式
(B)截止模式
(C)飽和模式
(D)反相主動模式。
42. 有關微分器、積分器之敘述,下列何者正確? (109年度考題)
(A)方波通過積分器後之輸出波形為三角波
(B)三角波通過積分器後之輸出波形為方波
(C)方波輸入微分器後之輸出波形為三角波
(D)三角波輸入微分器後之輸出波形為正弦波。
43. 關於達靈頓(Darlington)電路之敘述,下列何者有誤? (111年度考題)
(A)可用NPN及PNP電晶體混合組成
(B)輸入阻抗很高
(C)電流增益小於1
(D)可用兩電晶體組成。
44. 圖為理想放大器,請求該電路之電壓增益為何?
(107年12月考題)
(A)-2010
(B)-1020
(C)1020
(D)2010。
45. 如下圖所示電路,試問下列何者電阻是利用米勒(Miller)效應來提升輸入阻抗?
(107年5月考題)
(A)R
1
(B)R
2
(C)R
3
(D)R
4
。
46. 下列何者為正弦波振盪器? (110年度考題)
(A)施密特振盪器
(B)考畢子振盪器
(C)單穩態多諧振盪器
(D)雙穩態多諧振盪器。
47. 關於橋式整流電路,下列敘述何者有誤? (112年度考題)
(A)為一全波整流電路
(B)輸出頻率為電源頻率之兩倍
(C)輸出直流電壓=2 V
m
/π
(D)二極體之PIV=2 V
m
。
48. 有一帶通濾波器低頻截止頻率為16 kHz,高頻截止頻率為25 kHz,則共振頻率為何? (112年度考題)
(A)16 kHz
(B)20 kHz
(C)25 kHz
(D)30 kHz。
49. 下列敘述何者有誤? (112年度考題)
(A)BJT當開關使用時是工作於飽和區或截止區
(B)BJT屬雙載子元件
(C)BJT在順向主動區的偏壓是BE接面順向偏壓,BC接面逆向偏壓
(D)BJT基極的多數載子儲存時間是影響電晶體開關切換速度的主因。
50. 關於555 IC振盪電路,下列何者有誤? (111年度考題)
(A)無法改接成單穩態振盪器
(B)可當無穩態振盪器
(C)內含兩個比較器
(D)內含一個輸出緩衝器。