台電新進雇員|☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性|試題|電子學|(收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題) -鼎文題庫網

1. 利用BJT作小信號的線性放大器，為避免輸出信號失真情形，必須施加適當的偏壓使工作點（Operating Point）落在何區域內？　(108年度考題)　

(A)作用區（Active Region）與飽和區（Saturation Region）交界　

(B)作用區（Active Region）內　

(C)截止區（Cut-off Region）內　

(D)飽和區（Saturation Region）內。

2. 有一電晶體偏壓於作用區，測得I_B＝0.05mA、I_E＝5mA，則此電晶體的α參數值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)0.01　

(B)0.99　

(C)9.9　

(D)100。

3. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振盪器，若R₁＝4kΩ，R₂＝1kΩ，R₄＝10kΩ，C₁＝0.1μF，C₂＝0.4μF，請問R₃之電阻值應為多少？
　(106年度考題)　

(A)100kΩ　

(B)90kΩ　

(C)80kΩ　

(D)70kΩ。

4. 如圖所示電路，其中Q1與Q2的臨界電壓分別為1 V和－1 V時，Q1、Q2工作狀態為何？
　(111年度考題)　

(A)Q1工作在歐姆區、Q2工作在截止區　

(B)Q1與Q2皆工作在截止區　

(C)Q1工作在截止區、Q2工作在歐姆區　

(D)Q1與Q2皆工作在歐姆區。

5. 如下圖所示，當理想運算放大器在不飽和情況下，輸出電壓V_O為何？
　(107年12月考題)　

(A)－0.5V　

(B)－1V　

(C)－2V　

(D)－4V。

6. 下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的？　(106年度考題)　

(A)決定電晶體的α值　

(B)決定電晶體的工作溫度　

(C)決定電晶體的β值　

(D)決定電晶體的工作點（operating point）。

7. 已知全波整流中，輸出電壓有效值V_rms，平均值為V_av，則為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)

。

8. 有一差動放大器之共模增益為0.2，差模增益為500，試求其共模拒斥比（CMRR）為何？　(110年度考題)　

(A)0.004　

(B)100　

(C)2,500　

(D)5,000。

9. 一周期性脈波訊號其正峰值為＋10V，負峰值為－2V。若此信號的平均值為＋2.8V，則工作週期（duty cycle）為何？　(109年度考題)　

(A)80%　

(B)70%　

(C)50%　

(D)40%。

10. 有一N通道增強型MOSFET的臨界電壓V_T＝2V，當V_GS＝5V時，MOSFET工作於飽和區（夾止區），且ID＝3mA。若V_GS＝8V，則轉移電導g_m為何？　(106年度考題)　

(A)1mS　

(B)2mS　

(C)4mS　

(D)6mS。

11. 如下圖所示之電路，若電晶體的β值為100，則使電晶體處於飽和狀態的最小I_B約為多少？
　(104年度考題)

(A)1mA

(B)0.1mA

(C)0.05mA

(D)0.5mA。

12. 如下圖所示電路，試問下列何者電阻是利用米勒（Miller）效應來提升輸入阻抗？
　(107年5月考題)　

(A)R₁　

(B)R₂　

(C)R₃　

(D)R₄。

13. 若PN接面的空乏區兩側，P型半導體與N型半導體的摻雜（Doping）濃度不同，濃度較高者，該側空乏區寬度將如何變化？　(108年度考題)　

(A)較窄　

(B)相同於另一側　

(C)較寬　

(D)無法比較。

14. 如圖所示電路，已知R＝20Ω，C＝16μF，則此濾波器的截止頻率最接近下列何者？
　(110年度考題)　

(A)400Hz　

(B)500Hz　

(C)600Hz　

(D)700Hz。

15. 理想差動放大器之共模拒斥比（CMRR）為何？　(110年度考題)　

(A)∞　

(B)0　

(C)1　

(D)介於0～1之間。

16. 下列敘述何者有誤？　(112年度考題)　

(A)BJT作為放大器使用時，應工作於順向主動區　

(B)BJT作為放大器使用時，C極可當作輸入端　

(C)NPN型BJT之多數載子為電子　

(D)當BJT工作於飽和區時，電流Ic由外接電路決定。

17. 圖為理想放大器所構建之韋恩電橋（Wien-bridge）振盪器，若R₁＝4kΩ，R₂＝1kΩ，R₄＝10kΩ，C₁＝0.1μF，C₂＝0.4μF，該電路之電壓增益A_V應為多少？
　(106年度考題)　

(A)10　

(B)9　

(C)8　

(D)7。

18. 如下圖所示之電路，流過稽納（Zener）二極體之電流約為多少？
　(104年度考題)

(A)3.7mA

(B)3.1mA

(C)1.6mA

(D)0.63mA。

19. 若有一共射極組態電晶體之α值由0.98變至0.99，則β值變化為何？　(106年度考題)　

(A)由99變為49　

(B)由88變為49　

(C)由49變為88　

(D)由49變為99。

20. 某一N通道JFET的汲極飽和電流I_DSS＝16mA，汲極電流I_D＝4mA，若截止電壓V_GS(off)為－3V，則閘源極電壓V_GS為何？　(107年12月考題)　

(A)－2.5V　

(B)－1.5V　

(C)1.5V　

(D)2.5V。

21. 如圖所示之韋恩振盪器，若R₁＝R₂＝R，C₁＝C₂＝C且R₃≥2R₄，則其振盪頻率f_o為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)2RC。

22. 有一變壓器的匝數比為10：1，若在低壓側接上一個8Ω的揚聲器，請問在高壓側測得的阻抗為何？　(107年12月考題)　

(A)0.8Ω　

(B)8Ω　

(C)80Ω　

(D)800Ω。

23. 串級放大電路作直流分析時，耦合電容及射極旁路電容可分別視為下列何者？　(108年度考題)　

(A)開路、開路　

(B)短路、短路　

(C)短路、開路　

(D)開路、短路。

24. 若一電源頻率為60Hz，經半波整流後，輸出電壓之漣波頻率為何？　(109年度考題)　

(A)120Hz　

(B)60Hz　

(C)30Hz　

(D)50Hz。

25. 下列何者會有負電阻值區域？　(110年度考題)　

(A)透納二極體　

(B)步級回復二極體　

(C)蕭特基二體體　

(D)光耦合器。

26. 帶電量1.6×10^－¹⁹庫倫的電子，通過1伏特的電位差，所需的能量為何？　(108年度考題)　

(A)1.6×10^－¹⁹電子伏特（eV）　

(B)1.6×10^－¹⁹焦耳　

(C)1焦耳　

(D)1瓦特。

27. 如圖所示，該電路輸出電壓V_o為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)7.05V　

(B)14.1V　

(C)28.2V　

(D)40V。

28. 如圖所示，假設經由小訊號分析得知Z₁＝2MΩ，則其電流增益約為何？
　(108年度考題)　

(A)1,000　

(B)1,200　

(C)3,200　

(D)4,800。

29. 如圖所示，兩BJT之β＝80，V_BE皆為0.7V，若不需考慮V_A（Early Effect），且r_π很小可忽略的情況下，則輸入阻抗Z₁為何？
　(108年度考題)　

(A)4kΩ　

(B)81kΩ　

(C)162kΩ　

(D)324kΩ。

30. 有一共射極放大器之電壓增益分貝值為20dB，其後串接射極隨耦器，求總電壓增益分貝值（dB）為何？　(110年度考題)　

(A)10dB　

(B)20dB　

(C)30dB　

(D)40dB。

31. 熱電偶（thermocouple）適合用於測量下列何種物理量？　(104年度考題)

(A)溫度

(B)壓力

(C)電流

(D)電壓。

32. 圖中電晶體作為開關使用，欲使燈泡亮起，下列敘述何者正確？
　(107年12月考題)　

(A)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為順向偏壓　

(B)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓　

(C)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓　

(D)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為順向偏壓。

33. 當一方波輸入至一微分器時，其輸出訊號為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)上下脈衝　

(B)正旋波　

(C)三角波　

(D)鋸齒波。

34. 在各種耦合放大電路中，下列何者之頻率響應最差？　(110年度考題)　

(A)RC耦合　

(B)電感耦合　

(C)變壓器耦合　

(D)直接耦合。

35. 有關電容濾波器之敘述，下列何者有誤？　(112年度考題)　

(A)負載電流愈大，漣波因素愈大　

(B)負載電阻愈大，漣波因素愈小　

(C)電容器愈大，漣波因素愈大　

(D)漣波因素愈小，電路穩定性愈好。

36. 有關FET與BJT特性比較，下列敘述何者正確？　(112年度考題)　

(A)BJT雜訊較低　

(B)BJT高頻響應較差　

(C)FET輸入阻抗較高　

(D)FET增益頻寬的乘積較BJT為大。

37. 共射極（CE）放大器的高頻響應較差，其主要原因為何？　(112年度考題)　

(A)爾利效應（Early Effect）　

(B)通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）　

(C)溫度效應（Temperature Effect）　

(D)米勒效應（Miller Effect）。

38. 電晶體射極旁路電容C_E之主要功用為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)提高電壓增益　

(B)防止直流電通過　

(C)防止短路　

(D)濾波功能。

39. 如下圖所示，已知該電晶體截止電壓V_GS(off)＝－5V，直流閘源極電壓V_GS＝－4V時，I_D＝0.35mA，則R₁/R₂值為何？
　(107年12月考題)　

(A)2　

(B)3　

(C)4　

(D)5。

40. 如圖所示之放大器電路，試問C₁和C₂耦合（coupling）電容會衰減放大器頻率響應的頻段為何？
　(110年度考題)　

(A)沒有影響　

(B)高頻段　

(C)中頻段　

(D)低頻段。

41. 如圖所示電路，其I-V特性曲線為下列何者？
　(106年度考題)　

(A)

　　

(B)

　

(C)

　　

(D)

42. 有關於MOSFET的敘述，下列何者有誤？　(104年度考題)

(A)MOSFET有空乏型及增強型兩種形式

(B)MOSFET有N通道及P通道兩種

(C)MOSFET是電流控制元件

(D)MOSFET之閘極與源極間直流電阻很大。

43. 有關BJT共射極（CE）、共集極（CC）和共基極（CB）基本組態放大電路特性之比較，下列何者正確？　(107年12月考題)　

(A)輸入阻抗：CB＞CE＞CC　

(B)輸出阻抗：CE＞CC＞CB　

(C)電壓增益：CB＞CE＞CC　

(D)功率增益：CC＞CE＞CB。

44. 使一LED發亮至少應流過多少電流？　(107年5月考題)　

(A)10～15μA　

(B)500～600mA　

(C)100～200mA　

(D)10～15mA。

45. 如右圖所示之理想放大器，試求其工作週期（V_O＞0之週期占比）？
　(110年度考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)1。

46. 某N通道增強型MOSFET放大電路，MOSFET之臨限電壓（Threshold Voltage）V_t＝2V，參數K＝0.3（mA/V²），若MOSFET工作於夾止區（飽和區），且閘源極間電壓V_GS＝4V，則轉移電導g_m為何？　(108年度考題)　

(A)0.6mA/V　

(B)1.2mA/V　

(C)1.8mA/V　

(D)2.4mA/V。

47. 已知一放大電路電壓增益A_v為10，電流增益A_i為10，則其功率增益A_P為多少分貝（dB）？　(109年度考題)　

(A)10　

(B)20　

(C)30　

(D)1000。

48. 有一脈波頻率為2kHz，脈波寬度時間為0.3ms，試求其工作週期為何？　(110年度考題)　

(A)30%　

(B)40%　

(C)50%　

(D)60%。

49. 已知一交流電壓V(t)＝100sin（ωt－270°）V，週期T＝0.01秒，當t＝0.01秒時，V(t)之瞬間電壓值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)100V　

(B)－100V　

(C)50V　

(D)－50V。

50. 如圖所示之電路，是屬於下列何種型態之電路，且可形成何種濾波器？
　(104年度考題)

(A)積分器，低通濾波器

(B)積分器，高通濾波器

(C)微分器，低通濾波器

(D)微分器，高通濾波器。

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