台電新進雇員|☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性|試題|電子學|(收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題) -鼎文題庫網

1. 二極體的I_CBO逆向電流受環境溫度之影響，下列敘述何者正確？　(112年度考題)　

(A)溫度每下降1°C時，則增加1倍　

(B)溫度每上升10°C時，則增加1倍　

(C)溫度每下降10°C時，則增加1倍　

(D)溫度每上升1°C時，則增加1倍。

2. 如圖所示，各級之電壓增益分別如圖中之標示，則此電路之總電壓增益為何？
　(107年12月考題)　

(A)60dB　

(B)80dB　

(D)160dB。

3. 關於有射極電阻R_E（無射極旁路電容）之電晶體共射極放大電路之敘述，下列何者正確？　(107年5月考題)　

(A)射極電阻R_E會有正回授作用　

(B)射極電阻R_E可降低輸入阻抗　

(C)射極電阻R_E會增加電路穩定度　

(D)射極電阻R_E會增加電壓增益。

4. 如圖所示，若V_GS＝－2.5V，R_S＝2.5kΩ，則V_DS為何？
　(109年度考題)　

(A)8.5V　

(B)9.5V　

(D)11.5V。

5. 下列敘述何者有誤？　(112年度考題)　

(A)固定式直流偏壓電路使用元件數最少　

(B)射極回授式直流偏壓電路RE電阻提供正回授穩定功能　

(C)直流工作點可決定小訊號放大為不失真的線性放大　

(D)集極回授式直流偏壓電路中電晶體一定不會飽和。

6. 如圖所示，兩個MOSFET之寬長W/L比為(W/L)₁＝4(W/L)₂，設MOSFET導通的臨界電壓V_t1＝V_t2＝2V，則V₀值為何？
　(107年12月考題)　

(A)2V　

(B)4V　

(D)8V。

7. 某串級放大器輸入電壓為0.01sin(t)V，第一級、第二級與第三級電壓增益分別為29dB、6dB、5dB，則第三級輸出電壓有效值為何？　(109年度考題)　

(A)7.07V　

(B)1.414V　

(D)0.707V。

8. 關於價電子與自由電子的敘述，下列何者有誤？　(107年5月考題)　

(A)價電子位於原子核最外層軌道　

(B)復合（recombination）造成自由電子與電洞的消失　

(C)自由電子位於傳導帶　

(D)熱游離（thermal ionization）造成相同數目，相同濃度的自由電子及價電子。

9. 如圖所示，為類似韋恩電橋的振盪電路，若L＝100μH，R＝314Ω，R₃＝3kΩ，R₄＝1kΩ，試問此電路的振盪頻率約為何？
　(108年度考題)　

(A)500kHz　

(B)250kHz　

(D)50kHz。

10. 如圖所示，V_DD＝5V，R_D＝2kΩ，R_G＝5MΩ，V_GS(t)＝1V，k＝1.5mA/V²，試求V_DS？
　(112年度考題)　

(A)1.2 V　

(B)1.5 V　

(D)3 V。

11. 關於石英晶體及石英晶體振盪器之敘述，下列何者有誤？　(111年度考題)　

(A)石英晶體可設計為脈波振盪電路　

(B)振盪器的輸出頻率穩定　

(C)石英晶體具有壓電效應特性　

(D)石英晶體厚度愈薄，振動頻率愈低。

12. 一般常用NPN BJT與PNP BJT之工作頻率，下列敘述何者正確？　(108年度考題)　

(A)工作頻率完全相等　

(B)無法比較　

(C)PNP BJT工作頻率高於NPN BJT　

(D)NPN BJT工作頻率高於PNP BJT。

13. 相對於單級放大器，有關串級放大器的增益與頻寬之描述，下列何者正確？　(109年度考題)　

(A)增益變大，頻寬變寬　

(B)增益變大，頻寬變窄　

(C)增益變小，頻寬變寬　

(D)增益變小，頻寬變窄。

14. 使一LED發亮至少應流過多少電流？　(107年5月考題)　

(A)10～15μA　

(B)500～600mA　

(D)10～15mA。

15. 已知NPN電晶體的V_BE＝0.7V，V_CE＝2.5V，則此電晶體操作在哪個區域？　(107年12月考題)　

(A)截止區　

(B)飽和區　

(C)工作區　

(D)崩潰區。

16. 某NPN電晶體的β＝100，集極電流為0.8A，基極電流為12mA，則電晶體處於何種區域模式？　(109年度考題)　

(A)主動模式　

(B)截止模式　

(C)飽和模式　

(D)反相主動模式。

17. 如圖所示之電路，在截止頻率時其電壓增益值約為何？
　(108年度考題)　

(A)2dB　

(B)－2dB　

(D)－3dB。

18. 如圖所示，該反相放大器之電壓增益V_o/V_i為多少分貝（dB）？
　(109年度考題)　

(A)＋20　

(B)＋10　

(C)－10　

(D)－20。

19. 倍壓電路中的輸出取自於下列何種元件的兩端電壓？　(112年度考題)　

(A)電阻　

(B)變壓器　

(C)電容　

(D)二極體。

20. 如圖所示，若V_i為三角波，則輸出V_o應為何種波形？
　(104年度考題)

(A)方波

(B)正弦波

(C)鋸齒波

(D)三角波。

21. 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)共射極組態放大電路又稱為射極隨耦器

(B)共射極組態之輸入與輸出信號位差180度

(C)共基極組態放大電路的高頻響應最佳

(D)共射極組態具有電流放大與電壓放大的作用。

22. 如圖所示，交流電壓v(t)＝150sin（377t－30°），交流電流i(t)＝10sin（377t），則負載Z_L的特性為何？
　(107年12月考題)　

(A)電容性　

(B)電感性　

(C)電阻性　

(D)無法判定。

23. 如圖所示運算放大器之RC相移電路，其振盪頻率與振盪條件下列何者正確？
　(108年度考題)　

(A)ω_o＝

且R₂/R≧8　

(B)ω_o＝

且R₂/R≧29　

(C)ω_o＝

且R₂/R≧8　

(D)ω_o＝

且R₂/R≧29。

24. 如圖所示之電路，二極體皆為鍺質二極體，則I約為多少？
　(104年度考題)

(A)2mA

(B)1.8mA

(D)3.8mA。

25. 若NMOS場效電晶體之汲極與源極電壓V_DS＞閘極與源極電壓V_GS＞臨界電壓V_th，則下列敘述何者正確？　(110年度考題)　

(A)NMOS操作在非飽和區　

(B)NMOS操作在飽和區　

(C)NMOS操作在截止區　

(D)NMOS操作在飽和區及非飽和區交界處。

26. 下列敘述何者有誤？　(112年度考題)　

(A)共基極放大器可工作於較高頻率　

(B)共射極放大器，輸入與輸出電壓為反相關係　

(C)在BJT放大器中，共集極具有較低的輸出阻抗　

(D)射極隨耦器電流增益大約等於1。

27. 對於多級串接放大電路的敘述，下列何者正確？　(104年度考題)

(A)級數越多，頻寬愈寬

(B)級數越多，電壓增益愈高

(C)級數越多，輸入阻抗愈大

(D)級數越多，電路穩定性愈高。

28. 有一差動放大器之共模增益為0.2，差模增益為500，試求其共模拒斥比（CMRR）為何？　(110年度考題)　

(A)0.004　

(B)100　

(D)5,000。

29. 如圖所示，二極體為理想二極體，求電路中電流I為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)5mA　

(B)4mA　

(D)2mA。

30. 圖為何種放大電路的小信號等效電路？
　(107年5月考題)　

(A)共射極　

(B)共基極　

(C)共集極　

(D)共源極。

31. 若PN接面的空乏區兩側，P型半導體與N型半導體的摻雜（Doping）濃度不同，濃度較高者，該側空乏區寬度將如何變化？　(108年度考題)　

(A)較窄　

(B)相同於另一側　

(C)較寬　

(D)無法比較。

32. 疊接放大電路為何種型態串級放大？　(112年度考題)　

(A)CB-CB　

(B)CE-CB　

(C)CE-CC　

(D)CE-CE。

33. 如圖所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原來的工作點為Q點，則當R_B電阻值變大時，新的工作點應近似於下列何者？
　(107年12月考題)　

(A)A點　

(B)B點　

(C)C點　

(D)D點。

34. 有關FET與BJT特性比較，下列敘述何者正確？　(112年度考題)　

(A)BJT雜訊較低　

(B)BJT高頻響應較差　

(C)FET輸入阻抗較高　

(D)FET增益頻寬的乘積較BJT為大。

35. 有關金氧半場效電晶體（MOSFET），下列敘述何者有誤？（V_GS為閘極至源極之電壓）　(110年度考題)　

(A)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在　

(B)空乏型N通道MOSFET其V_GS可接負電壓或正電壓　

(C)增強型P通道MOSFET其V_GS若接正電壓，則無法建立通道　

(D)增強型N通道MOSFET臨界電壓V_T之值為正。

36. 下列關於BJT的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)對NPN BJT而言，I_E＝I_B＋I_C

(B)對PNP BJT而言，I_E＝I_B＋I_C

(C)β為共射極放大器的電流增益

(D)α為共集極放大器的電流增益。

37. 有關電晶體的結構與特性，下列敘述何者有誤？　(106年度考題)　

(A)NPN電晶體少數載子為電洞　

(B)含雜值比例是射極多於集極　

(C)含雜值比例是基極多於集極　

(D)PNP電晶體的射極內，電子為多數載子。　

38. 有一濾波器之電壓增益值為，試問此為何種濾波器？　(110年度考題)　

(A)低通　

(B)高通　

(C)帶通　

(D)帶拒。

39. 在一RC串聯電路中，若由電阻兩端取出輸出訊號，則此電路為何？　(112年度考題)　

(A)高通濾波器　

(B)低通濾波器　

(C)帶通濾波器　

(D)帶拒濾波器。

40. 如圖所示之電路，若二極體為理想型，已知R_L＝10kΩ，C＝100μF，試求輸出漣波峰對峰電壓？
　(112年度考題)　

(A)0.06 V　

(B)0.12 V　

(D)0.48 V。

41. 在未加壓情況下，PN接面的空乏區內，主要含有下列何者？　(108年度考題)　

(A)正離子與負離子　

(B)電子與電洞　

(C)電子　

(D)電洞。

42. BJT共射極接線組態下，射極－地間的電阻常並聯一電容，此電容之目的為何？　(112年度考題)　

(A)降低射極的直流電壓　

(B)升高射極的直流電壓　

(C)提高輸入電阻值　

(D)改善電壓增益。

43. 若有一訊號其i(t)＝4＋2sin10t，其平均值、有效值分別為何？　(108年度考題)　

(A)0、

(B)4、

(D)4、

。

44. 如圖所示之電路，若BJT之β＝1000，V_BE＝0.7V，假設不考慮V_A（Early Effect）效應，其電壓增益約為何？
　(108年度考題)　

(A)0.1　

(B)1.5　

(D)50。

45. 有關石英晶體之敘述，下列何者有誤？　(109年度考題)　

(A)晶體的品質因數Q值非常高　

(B)溫度升高時晶體穩定性變差　

(C)晶體產生的共振頻率非常準確　

(D)晶體對時間具有非常高的穩定性。

46. 二極體若加順向偏壓，則會產生下列何種情形？　(110年度考題)　

(A)障壁電壓降低，空乏區寬度減小　

(B)障壁電壓增加，空乏區寬度減小　

(C)障壁電壓增加，空乏區寬度增加　

(D)障壁電壓降低，空乏區寬度增加。

47. 場效電晶體（FET）是利用下列何者效應控制流通電流的大小？　(107年5月考題)　

(A)磁場　

(B)電場　

(C)電磁場　

(D)壓電。

48. 有關一個疊接放大器結構的描述，下列何者有誤？　(112年度考題)　

(A)輸入級為共射極　

(B)輸出級為共基極　

(C)提供較大的頻寬　

(D)主要目的在提高電流增益。

49. 如圖所示電路，假設射極電壓V_E＝－0.7V，β＝50，V_CC＝10V，則V_C約為多少？
　(106年度考題)　

(A)1.37V　

(B)3.82V　

(D)7.73V。

50. 有一變壓器的匝數比為10：1，若在低壓側接上一個8Ω的揚聲器，請問在高壓側測得的阻抗為何？　(107年12月考題)　

(A)0.8Ω　

(B)8Ω　

(D)800Ω。

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