台電新進雇員|☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性|試題|電子學|(收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題) -鼎文題庫網

1. 將雙載子電晶體當開關使用，若開關導通，則電晶體應工作於下列何區？　(107年5月考題)　

(A)截止區　

(B)工作區　

(C)飽和區　

(D)線性區。

2. 在交流放大器之輸出級，下列何者型態的阻抗匹配特性最佳？　(112年度考題)　

(A)共基極放大器　

(B)共射極放大器　

(C)共集極放大器　

(D)共源極放大器。

3. 如圖所示之電路，R_G＝10kΩ，R_D＝10kΩ，若JFET場效電晶體之r_d＝10kΩ，g_m＝2.5mA/V（即μ＝25），其電壓增益A_v＝為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)20　

(B)12.5　

(C)7.5　

(D)2.5。

4. 有關電容濾波器之敘述，下列何者有誤？　(112年度考題)　

(A)負載電流愈大，漣波因素愈大　

(B)負載電阻愈大，漣波因素愈小　

(C)電容器愈大，漣波因素愈大　

(D)漣波因素愈小，電路穩定性愈好。

5. 有一脈波頻率為2kHz，脈波寬度時間為0.3ms，試求其工作週期為何？　(110年度考題)　

(A)30%　

(B)40%　

(C)50%　

(D)60%。

6. 相對於單級放大器，有關串級放大器的增益與頻寬之描述，下列何者正確？　(109年度考題)　

(A)增益變大，頻寬變寬　

(B)增益變大，頻寬變窄　

(C)增益變小，頻寬變寬　

(D)增益變小，頻寬變窄。

7. 下列敘述何者有誤？　(112年度考題)　

(A)BJT作為放大器使用時，應工作於順向主動區　

(B)BJT作為放大器使用時，C極可當作輸入端　

(C)NPN型BJT之多數載子為電子　

(D)當BJT工作於飽和區時，電流Ic由外接電路決定。

8. 有關共基極（CB）放大器之敘述，下列何者正確？　(109年度考題)　

(A)電流增益小於1　

(B)電壓增益小於1　

(C)高輸入電阻　

(D)低輸出電阻。

9. 有一半波整流電路，負載為電阻，已知輸出直流電壓為45V，試求輸入電壓有效值約為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)45V　

(B)63.6V　

(C)90V　

(D)100V。

10. 電晶體做為開關電路，負載為電感性時的保護措施為何？　(104年度考題)

(A)將電阻器與負載並聯

(B)將電阻器與負載串聯

(C)將電容器與負載串聯

(D)將二極體與負載並聯。

11. 若要將小信號電壓及電流都放大，可採用下列何種放大電路？　(109年度考題)　

(A)雙極性接面電晶體的共集極放大電路　

(B)雙極性接面電晶體的共射極放大電路　

(C)場效電晶體的共閘極放大電路　

(D)場效電晶體的共汲極放大電路。

12. 如圖所示電路，若h_re＝h_oe＝0，h_ie＝1kΩ，h_fe＝100，則V_i點與接地間的輸入阻抗為多少？
　(104年度考題)

(A)150kΩ

(B)180kΩ

(C)190kΩ

(D)205kΩ。

13. 下列敘述何者有誤？　(107年5月考題)　

(A)FET具高輸入阻抗　

(B)FET的源極與汲極可以對調使用　

(C)FET增益與頻帶寬之乘積大於BJT　

(D)FET高頻響應較BJT不佳。

14. 有一N通道接面型場效電晶體（JFET），若V_GS＝－2V，且V_GS(off)＝－4V，則當V_DS＝1V與V_DS＝5V時，此場效電晶體分別工作於何種區域？　(108年度考題)　

(A)截止區、歐姆區　

(B)截止區、飽和區　

(C)歐姆區、飽和區　

(D)飽和區、歐姆區。

15. 關於橋式整流電路，下列敘述何者有誤？　(104年度考題)

(A)為一全波整流電路

(B)二極體之PIV＝2V_m

(C)輸出頻率為電源頻率之兩倍

(D)輸出直流電壓＝2V_m/π。

16. 有關金氧半場效電晶體（MOSFET），下列敘述何者有誤？（V_GS為閘極至源極之電壓）　(110年度考題)　

(A)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在　

(B)空乏型N通道MOSFET其V_GS可接負電壓或正電壓　

(C)增強型P通道MOSFET其V_GS若接正電壓，則無法建立通道　

(D)增強型N通道MOSFET臨界電壓V_T之值為正。

17. 未加偏壓之BJT，其物理特性之敘述，下列何者有誤？　(111年度考題)　

(A)各極的寬度：WC＞WE＞WB　

(B)各極的電阻係數：E＜B＜C　

(C)接面的電容量：CB－E＞CB－C　

(D)接面的空乏區寬度：WB－E＞WB－C。

18. 如圖所示電路，為＿＿濾波電路，其截止頻率為＿＿，請問空格處應填入下列哪組選項？　(106年度考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)

。

19. 關於555 IC振盪電路，下列何者有誤？　(111年度考題)　

(A)無法改接成單穩態振盪器　

(B)可當無穩態振盪器　

(C)內含兩個比較器　

(D)內含一個輸出緩衝器。

20. 如圖所示之電路，在截止頻率時其電壓增益值約為何？
　(108年度考題)　

(A)2dB　

(B)－2dB　

(C)3dB　

(D)－3dB。

21. 在一N通道增強型MOSFET共源極放大電路中，其中MOSFET之VT＝2 V，K＝2 mA/V2，若要使MOSFET工作於飽和區，以獲得ID＝18 mA時，試求其VGS電壓為何？　(111年度考題)　

(A)2 V　

(B)3 V　

(C)5 V　

(D)9 V。

22. 電晶體在作用區的偏壓電路如圖所示，若電晶體的共射極電流增益β為100，基極電流為100μA，下列何者正確？
　(112年度考題)　

(A)集極電流為10 mA　

(B)集極電流為50 Ma　

(C)集極電流為100 mA　

(D)集極電流為200 mA

23. 假設V(t)＝V sin (ωt)的均方根值為v₁，當V(t)通過一個理想全波整流器後，其輸出電壓之均方根值為v₂，則v₁/v₂為何？　(109年度考題)　

(A)0.5　

(B)0.707　

(C)1　

(D)2。

24. 如圖所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原來的工作點為Q點，則當R_B電阻值變大時，新的工作點應近似於下列何者？
　(107年12月考題)　

(A)A點　

(B)B點　

(C)C點　

(D)D點。

25. 如圖所示電路，已知R＝20Ω，C＝16μF，則此濾波器的截止頻率最接近下列何者？
　(110年度考題)　

(A)400Hz　

(B)500Hz　

(C)600Hz　

(D)700Hz。

26. 當一方波輸入至一微分器時，其輸出訊號為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)上下脈衝　

(B)正旋波　

(C)三角波　

(D)鋸齒波。

27. 分析運算放大器電路時，兩輸入端常被視為虛擬短路，其意義為何？　(110年度考題)　

(A)兩輸入端需各自接地　

(B)兩輸入端的電壓相等　

(C)需將兩輸入端連在一起　

(D)兩輸入端的輸入阻抗為零。

28. 如圖所示，V_S＝10mV，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，R₃＝2kΩ，R₄＝4kΩ，試求V_O＝？
　(112年度考題)　

(A)－80 mV　

(B)－60 mV　

(C)30 mV　

(D)80 mV。

29. 有關理想運算放大器的特性，下列敘述何者有誤？　(106年度考題)　

(A)輸出阻抗無限大　

(B)有虛擬接地現象　

(C)輸入阻抗無限大　

(D)開迴路電壓增益無限大。

30. 下列何者為運算放大器輸出電壓之最大變化率？　(108年度考題)　

(A)輸出電壓擺幅　

(B)共模拒斥比（CMRR）　

(C)輸入抵補電壓　

(D)轉動率（Slew Rate, SR）。

31. 如圖所示之電路中，若二極體皆為理想型，R_s＝2kΩ，R_L＝1kΩ，當V₁＝V₂＝2V，則V_o＝？
　(112年度考題)　

(A)0.5 V　

(B)1 V　

(C)1.5 V　

(D)2 V。

32. 圖中電晶體作為開關使用，欲使燈泡亮起，下列敘述何者正確？
　(107年12月考題)　

(A)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為順向偏壓　

(B)基－射極接面為逆向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓　

(C)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為逆向偏壓　

(D)基－射極接面為順向偏壓，基－集極接面為順向偏壓。

33. 如圖所示之施密特觸發器，假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為±15V，求其遲滯電壓V_H為多少？
　(104年度考題)

(A)3V

(B)4V

(C)5V

(D)6V。

34. 如圖所示，假設雙極性接面電晶體V_BE＝0.7，β＝100，R_B＝200kΩ，R_C＝4kΩ，則集極電壓V_C約為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)1.4V　

(B)3.5V　

(C)12V　

(D)15V。

35. 一周期性脈波訊號其正峰值為＋10V，負峰值為－2V。若此信號的平均值為＋2.8V，則工作週期（duty cycle）為何？　(109年度考題)　

(A)80%　

(B)70%　

(C)50%　

(D)40%。

36. 如圖所示，若BJT之β＝50，切入電壓V_BE＝0.7V，則集射極電壓V_CE約為何？
　(108年度考題)　

(A)4.8V　

(B)5.3V　

(C)6.8V　

(D)9.3V。

37. R-L-C串聯諧振電路產生諧振時，下列敘述何者有誤？　(107年12月考題)　

(A)總阻抗約等於電阻值　

(B)線路電流為最小　

(C)線路品質因數（Quality Factor）為Q＝

　

(D)諧振頻率為f_r＝

。

38. 增強型NMOS的V_DS＝4V，元件參數K_n＝0.5mA/V²，臨限電壓V_t＝2V，I_D＝2mA，若忽略通道長度調變效應，V_GS值為何？　(109年度考題)　

(A)－2V　

(B)4V　

(C)4.5V　

(D)5V。

39. 矽、鍺半導體材料的導電性，隨溫度上升將產生何種變化？　(108年度考題)　

(A)成為絕緣體　

(B)減少　

(C)不變　

(D)增加。

40. 下列何者為電晶體電路施加直流偏壓的主要目的？　(106年度考題)　

(A)決定電晶體的α值　

(B)決定電晶體的工作溫度　

(C)決定電晶體的β值　

(D)決定電晶體的工作點（operating point）。

41. 如圖所示，V_i＝2V，二極體切入電壓0.7V，V_o為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)5V　

(B)2V　

(C)1.3V　

(D)0.7V。

42. 如圖所示之電路中，若二極體皆為理想型，R_s＝2kΩ，R_a＝3kΩ，R_L＝1kΩ，當V_s＝5V，試求解標示的電流I？
　(112年度考題)　

(A)1 mA　

(B)1.5 mA　

(C)2 mA　

(D)4 mA。

43. 有一電路之電流增益A_i＝49，輸入阻抗為2kΩ，輸出阻抗為18kΩ，則此電路之電壓增益為何？　(106年度考題)　

(A)69　

(B)245　

(C)441　

(D)521。

44. 如下圖共射極放大電路的交流等效電路中，電流增益i_o/i_i為何？
　(104年度考題)

(A)β

(B)－β

(C)

(D)

。

45. 如圖所示，假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為±15V，求其遲滯電壓V_H為何？
　(107年12月考題)　

(A)3V　

(B)4V　

(C)5V　

(D)6V。

46. 一般橋式整流器中，須使用幾個二極體？　(112年度考題)　

(A)4個　

(B)3個　

(C)2個　

(D)1個。

47. 如圖所示，V_i＝10V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓V_z＝8V，R₁＝1kΩ，R₂＝2kΩ，則此稽納二極體（Zener Diode）所消耗之功率為多少？
　(106年度考題)　

(A)64mW　

(B)24mW　

(C)16mW　

(D)趨近0W。

48. 如圖所示，假設稽納二極體順向時為理想二極體，V_i＝6sin（ωt）V，R＝500Ω，則V_o最大值為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)2V　

(B)3V　

(C)5V　

(D)6V。

49. 如圖所示，若V_O＝8V，則V_i應為何？
　(107年12月考題)　

(A)－4V　

(B)－3V　

(C)1V　

(D)2V。

50. 如下圖所示為理想二極體之電路，其穩態最大輸出電壓範圍為何？
　(104年度考題)

(A)－6V～＋6V

(B)－6V～＋5V

(C)－5V～＋6V

(D)－5V～＋5V。

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