台電新進雇員 » ☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性 » 試題 » 電子學 » (收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題)

1. 有一增強P通道MOSFET，已知臨界電壓VT＝－2.5，若汲極電壓VD＝4V，源極電壓VS＝8 V，直流閘極電壓VG＝3 V，試問其MOSFET應處於何種工作區？　(111年度考題)　

2. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？　(107年12月考題)　

3. 有一電晶體偏壓於作用區，測得IB＝0.05mA、IE＝5mA，則此電晶體的α參數值為下列何者？　(107年5月考題)　

4. 某場效電晶體的導電參數K＝2mA/V2，若直流工作點的汲極電流為8mA，試求互導gm為何？　(107年12月考題)　

5. 下列敘述何者正確？　(111年度考題)　

6. 如圖所示，正常工作下輸出電壓波形為三角波時，則其輸入電壓波形下列何者正確？
　(107年12月考題)　

7. 如圖所示，若一電阻電容耦合串級放大器電路之頻率響應，fL與fH分別為低頻與高頻截止頻率，則電路的低頻增益衰減現象由下列何者所造成？
　(108年度考題)　

8. 某N通道增強型MOSFET放大電路，MOSFET之臨限電壓（Threshold Voltage）Vt＝2V，參數K＝0.3（mA/V2），若MOSFET工作於夾止區（飽和區），且閘源極間電壓VGS＝4V，則轉移電導gm為何？　(108年度考題)　

9. 使用三用電表之電阻檔測量二極體時，二極體順向電阻假設為R1、逆向電阻假設為R2，則下列敘述何者正確？　(111年度考題)　

10. 下列何者不是理想運算放大器的特性？　(104年度考題)

11. 如圖所示，VD＝15V，VGS＝－3V，則Rs為何？
　(108年度考題)　

12. 下列電路，何者為運算放大器之主要輸入結構？　(111年度考題)　

13. 如下圖所示之電路，流過稽納（Zener）二極體之電流約為多少？
　(104年度考題)

14. 如圖所示，若其頻率為4kHz，則其工作週期（duty cycle）為多少？
　(104年度考題)

15. 關於自由電子與價電子之敘述，下列何者有誤？　(111年度考題)　

16. 一個工作在主動模式之BJT，其爾利電壓（Early Voltage）為25V，IC＝2.5 mA，則其輸出電阻r0值為何？　(112年度考題)　

17. 有關n型半導體材料之敘述，下列何者正確？　(109年度考題)　

18. 如圖所示之電路，假設雙極性接面電晶體的β＝100，VBE＝0.7V，則在工作點Q上所對應之電壓VCE值應為多少？
　(104年度考題)

19. 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓VT＝－2V，假設其閘極（gate）接地而源極（source）接至＋5V，欲使此元件操作在飽和區（saturation region），則汲極（drain）之最高電壓為何？　(106年度考題)　

20. 如圖所示電路，若Q1與Q2完全相同，則Vo的週期約為多少？
　(106年度考題)　

21. 如圖所示，若VGS＝－2.5V，RS＝2.5kΩ，則VDS為何？
　(109年度考題)　

22. 如圖所示，二極體為理想二極體，求電路中電流I為下列何者？
　(107年5月考題)　

23. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數gm＝1.5m℧，rd＝10kΩ，已知電路中不存在源極電阻RS，而汲極電阻RD＝10kΩ，請問該電路之電壓增益AV為何？　(106年度考題)　

24. 下列由理想運算放大器（OPA）所製作的應用電路中，哪一種電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路？　(106年度考題)　

25. 有關金氧半場效電晶體（MOSFET），下列敘述何者有誤？（VGS為閘極至源極之電壓）　(110年度考題)　

26. 如圖所示運算放大器之RC相移電路，其振盪頻率與振盪條件下列何者正確？
　(108年度考題)　

27. 如圖所示電路，電晶體的β＝120，VCE(sat)＝0.2V，VBE(act)＝VBE(sat)＝0.7V，稽納二極體（Zener Diode）之崩潰電壓VZ＝5.6V，當Vi＝3V，Vo約為多少？
　(106年度考題)　

28. 下列有關各類二極體的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

29. 相對於單級放大器，有關串級放大器的增益與頻寬之描述，下列何者正確？　(109年度考題)　

30. 如圖所示，假設經由小訊號分析得知Z1＝2MΩ，則其電流增益約為何？
　(108年度考題)　

31. 關於價電子與自由電子的敘述，下列何者有誤？　(107年5月考題)　

32. 有一放大器將2mV信號放大至20V，其電壓增益為下列何者？　(107年5月考題)　

33. 在放大器頻率響應曲線中，fL表示增益低頻截止頻率，fH表示增益高頻截止頻率，此放大器的頻帶寬度BW為何？　(107年12月考題)　

34. 理想OPA作為放大器使用時，應外加何種電路？　(112年度考題)　

35. 如圖所示之電路中，若二極體皆為理想型，Rs＝2kΩ，Ra＝3kΩ，RL＝1kΩ，當Vs＝5V，試求解標示的電流I？
　(112年度考題)　

36. 假設V(t)＝V sin (ωt)的均方根值為v1，當V(t)通過一個理想全波整流器後，其輸出電壓之均方根值為v2，則v1/v2為何？　(109年度考題)　

37. N通道空乏型MOSFET的IDSS＝8mA，VGS(OFF)＝－4V，而在VGS＝0V的情況下，ID值為何？　(107年12月考題)　

38. 若盤面中的保險絲燒毀，下列何種處置最為正確？　(108年度考題)　

39. 二極體的ICBO逆向電流受環境溫度之影響，下列敘述何者正確？　(112年度考題)　

40. 下列有關電晶體基本放大電路組態特性的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

41. 已知NPN電晶體的VBE＝0.7V，VCE＝2.5V，則此電晶體操作在哪個區域？　(107年12月考題)　

42. 箝位電路又稱為下列何者？　(112年度考題)　

43. 如下圖所示之電路，若電晶體的β值為100，則使電晶體處於飽和狀態的最小IB約為多少？
　(104年度考題)

44. 如圖所示，各級之電壓增益分別如圖中之標示，則此電路之總電壓增益為何？
　(107年12月考題)　

45. 如圖所示，該濾波器為何種形態？
　(109年度考題)　

46. 如圖所示之理想運算放大器電路，在不飽和情況下，電流I為多少？
　(104年度考題)

47. 關於達靈頓（Darlington）電路之敘述，下列何者有誤？　(111年度考題)　

48. 如圖所示之電路，是屬於下列何種型態之電路，且可形成何種濾波器？
　(104年度考題)

49. NPN電晶體工作在飽和區時，下列敘述何者正確？　(107年12月考題)　

50. 有關多諧振盪器之敘述，下列何者有誤？　(110年度考題)