台電新進雇員|☆模擬試題☆歷屆試題隨機成卷,考前最後衝刺|試題|電子學|(收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題) -鼎文題庫網

1. 一般雙極接面電晶體（BJT）其基極(B)、集極(C)與射極(E)的摻雜濃度由大至小依序為何？　(108年度考題)　

(A)B＞C＞E　

(B)B＞E＞C　

(C)E＞C＞B　

(D)E＞B＞C。

2. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數g_m＝1.5m℧，r_d＝10kΩ，已知電路中不存在源極電阻R_S，而汲極電阻R_D＝10kΩ，請問該電路之電壓增益A_V為何？　(106年度考題)　

(A)－30　

(B)－18.75　

(C)－7.5　

(D)－5。

3. 已知某一信號的週期是0.04秒，其頻率為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)25Hz　

(B)40Hz　

(C)250Hz　

(D)400Hz。

4. 如下圖所示之電路，若電晶體的β值為100，則使電晶體處於飽和狀態的最小I_B約為多少？
　(104年度考題)

(A)1mA

(B)0.1mA

(C)0.05mA

(D)0.5mA。

5. 如圖所示，若電晶體保持在主動區工作，當提高R_C值而V_CC及R_B值保持不變，則下列敘述何者正確？
　(107年12月考題)　

(A)工作點不變　

(B)工作點朝飽和區反方向移動　

(C)基極電流增加　

(D)工作點朝飽和區方向移動。

6. 下列何者不是理想運算放大器的特性？　(104年度考題)

(A)輸入阻抗無限大

(B)輸入電流不等於零

(C)輸出阻抗為零

(D)電壓增益無限大。

7. 使一LED發亮至少應流過多少電流？　(107年5月考題)　

(A)10～15μA　

(B)500～600mA　

(C)100～200mA　

(D)10～15mA。

8. 如圖所示之電路，R_G＝10kΩ，R_D＝10kΩ，若JFET場效電晶體之r_d＝10kΩ，g_m＝2.5mA/V（即μ＝25），其電壓增益A_v＝為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)20　

(B)12.5　

(C)7.5　

(D)2.5。

9. 關於價電子與自由電子的敘述，下列何者有誤？　(107年5月考題)　

(A)價電子位於原子核最外層軌道　

(B)復合（recombination）造成自由電子與電洞的消失　

(C)自由電子位於傳導帶　

(D)熱游離（thermal ionization）造成相同數目，相同濃度的自由電子及價電子。

10. 若有一訊號其i(t)＝4＋2sin10t，其平均值、有效值分別為何？　(108年度考題)　

(A)0、

　

(B)4、

　

(C)4、

　

(D)4、

。

11. 有兩個特性完全相同的電晶體，連接成如圖之電路，該兩晶體的特性如下：VBE＝0.7 V，β＝200，VT＝25 mV，若逆向飽和電流不計入，試求其Q1電晶體的IC1約為何？
　(111年度考題)　

(A)0.25 mA　

(B)0.5 mA　

(C)1 mA　

(D)1.25 mA。

12. 如圖所示，正常工作下輸出電壓波形為三角波時，則其輸入電壓波形下列何者正確？
　(107年12月考題)　

(A)方波　

(B)正弦波　

(C)三角波　

(D)鋸齒波。

13. 積體電路內之串級放大器電路，大部分採用何種耦合方式？　(110年度考題)　

(A)電阻耦合　

(B)電容耦合　

(C)直接耦合　

(D)變壓器耦合。

14. 已知一放大電路電壓增益A_v為10，電流增益A_i為10，則其功率增益A_P為多少分貝（dB）？　(109年度考題)　

(A)10　

(B)20　

(C)30　

(D)1000。

15. 有一40W功率輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器，若放大器的電壓增益為40dB且額定輸出時，求其輸入電壓為何？　(107年12月考題)　

(A)40mV　

(B)0.1V　

(C)0.2V　

(D)0.4V。

16. 某一電晶體經量測結果其β值為99，請問電晶體之α值為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)0.6　

(B)0.7　

(C)0.8　

(D)0.99。

17. 下列有關PN接面二極體的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)矽二極體的障壁電壓（barrier potential）較鍺二極體高

(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄

(C)溫度上升時，障壁電壓上升

(D)溫度上升時，漏電流上升。

18. 關於二極體的敘述，下列何者正確？　(112年度考題)　

(A)二極體的順向電阻，會隨順向電流增加而減少　

(B)二極體的順向電阻，會隨順向電流增加而增加　

(C)二極體的逆向電阻，會隨逆向電流增加而增加　

(D)二極體的順向電阻，與逆向電阻均為固定值。

19. 電晶體做為開關電路，負載為電感性時的保護措施為何？　(104年度考題)

(A)將電阻器與負載並聯

(B)將電阻器與負載串聯

(C)將電容器與負載串聯

(D)將二極體與負載並聯。

20. 在一RC耦合的電路中，C值必須甚大，其原因為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)防止低頻衰減　

(B)穩定偏壓　

(C)降低直流功率損耗　

(D)隔離效果佳。

21. 關於濾波器的敘述，下列何者正確？　(108年度考題)　

(A)高通濾波器與低通濾波器串聯可組成帶通濾波器　

(B)高通濾波器與低通濾波器並聯可組成帶通濾波器　

(C)RC低通濾波器的電容值與截止頻率成正比　

(D)RC高通濾波器的電容值與截止頻率成正比。

22. 關於FET與BJT電晶體的比較，下列何者有誤？　(107年12月考題)　

(A)FET的輸入阻抗較BJT高　

(B)FET比BJT較適合應用於超大型積體電路中　

(C)FET的熱穩定性較BJT好　

(D)FET的增益與頻寬的乘積較BJT大。

23. 對一具有源極旁路電容之共源極放大器，如將其旁路電容器移走時，則下列何者正確？　(107年12月考題)　

(A)輸入電阻變小　

(B)輸入電阻變大　

(C)電壓增益降低　

(D)電壓增益增加。

24. 如圖所示之放大器，若R₁＝100kΩ，R₂＝10kΩ，R＝100kΩ，求由A端看入之輸入電阻R_i為何？
　(110年度考題)　

(A)1MΩ　

(B)－1MΩ　

(C)2MΩ　

(D)－2MΩ。

25. 電晶體放大電路的各種組態中，共汲極放大電路與下列何種組態的放大電路之特性最相似？　(107年12月考題)　

(A)共射極　

(B)共集極　

(C)共基極　

(D)共閘極。

26. 某NPN電晶體的β＝100，集極電流為0.8A，基極電流為12mA，則電晶體處於何種區域模式？　(109年度考題)　

(A)主動模式　

(B)截止模式　

(C)飽和模式　

(D)反相主動模式。

27. 假設V(t)＝V sin (ωt)的均方根值為v₁，當V(t)通過一個理想全波整流器後，其輸出電壓之均方根值為v₂，則v₁/v₂為何？　(109年度考題)　

(A)0.5　

(B)0.707　

(C)1　

(D)2。

28. 某N通道JFET之夾止電壓（pinch－off voltage）VP＝－5 V、IDSS＝25 mA，當其閘極電壓VG＝－6 V、源極電壓VS＝0 V、汲極電壓VD＝5 V時，試求其汲極電流ID為何？　(111年度考題)　

(A)0 mA　

(B)5 mA　

(C)7 mA　

(D)10 mA。

29. 如圖所示之方波振盪器電路，下列敘述何者有誤？
　(110年度考題)　

(A)對實際OPA而言，V_O之峰對峰值接近2V_CC　

(B)對實際OPA而言，V_O之工作週期（duty cycle）約為50%　

(C)隨C之數值增加，則振盪頻率會下降　

(D)隨R₂之數值增加，則振盪頻率會增加。

30. 如圖所示，假設D₁與D₂為理想二極體，請求出電壓V₂為何？
　(107年12月考題)　

(A)1.5V　

(B)3V　

(C)4.5V　

(D)6V。

31. 有一濾波器在截止頻率的情況下，其功率增益為中頻功率增益之多少倍？　(110年度考題)　

(A)0倍　

(B)0.125倍　

(C)0.25倍　

(D)0.5倍。

32. 有關JFET特性之敘述，下列何者有誤？　(109年度考題)　

(A)V_GS＝0時，I_D＝I_DSS　

(B)N通道的夾止（pinch-off）電壓V_P是負值　

(C)在歐姆區操作時，|V_DS|＞|V_GS－V_P|　

(D)閘極電流趨近於零。

33. 齊納（Zener）電壓調整電路如圖所示，其中齊納二極體之V_Z＝10V，I_Z＝5mA～20mA，若V_i＝100V，請問電阻R值需為多少，才能使齊納二極體在I_L＝0～I_L(max)之間進行調節，且I_L(max)為何？
　(107年12月考題)　

(A)R＝25kΩ，I_L(max)＝25mA　

(B)R＝18kΩ，I_L(max)＝20mA　

(C)R＝4.5kΩ，I_L(max)＝20mA　

(D)R＝4.5kΩ，I_L(max)＝15mA。

34. 某功率電晶體電路輸出級為AB類放大器，有關導通角度之敘述，下列何者正確？　(110年度考題)　

(A)導通角度為360°　

(B)180°＜導通角度＜360°　

(C)90°＜導通角度＜180°　

(D)導通角度＜90°。

35. 有一脈波頻率為2kHz，脈波寬度時間為0.3ms，試求其工作週期為何？　(110年度考題)　

(A)30%　

(B)40%　

(C)50%　

(D)60%。

36. 某N通道JFET之夾止電壓（pinch-off voltage）V_P＝－4V、I_DSS＝16mA，當其閘極電壓V_G＝－6V、源極電壓V_S＝0V、汲極電壓V_D＝5V時，則汲極電流I_D為何？　(107年12月考題)　

(A)0mA　

(B)4mA　

(C)8mA　

(D)16mA。

37. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(b)之方波，則輸出之信號V_o應為下列何者？　(106年度考題)　

(A)同頻率反相之方波　

(B)16倍頻率反相之方波　

(C)同頻率同相之方波　

(D)16倍頻率同相之方波。

38. 在各種耦合放大電路中，下列何者之頻率響應最差？　(110年度考題)　

(A)RC耦合　

(B)電感耦合　

(C)變壓器耦合　

(D)直接耦合。

39. 有一簡單電路如圖所示，若輸入電壓Vi為一正弦波220sin120πt，試求其經流RL之電流頻率為何？
　(111年度考題)　

(A)60 Hz　

(B)90 Hz　

(C)120 Hz　

(D)240 Hz。

40. 下列何種BJT電晶體放大電路組態之功率增益最高？　(106年度考題)　

(A)共閘極組態　

(B)共集極組態　

(C)共基極組態　

(D)共射極組態。

41. 當一方波輸入至一微分器時，其輸出訊號為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)上下脈衝　

(B)正旋波　

(C)三角波　

(D)鋸齒波。

42. 使用信號產生器產生某一正弦波電壓，另使用三用電表的ACV檔測量時可得到1 V的電壓值，若改用示波器測量峰對峰值，試求其最接近下列何者電壓？　(111年度考題)　

(A)1 V　

(B)2 V　

(C)1.414 V　

(D)2.828 V。

43. 如圖所示，試求集極電流的飽和值為何？
　(109年度考題)　

(A)2.96mA　

(B)3.96mA　

(C)4.96mA　

(D)5.96mA。

44. 為使一差動放大器的共模拒斥比（CMRR）變大，下列敘述何者正確？　(110年度考題)　

(A)減少基極電阻　

(B)減少射極電阻　

(C)加大射極電阻　

(D)加大集極電阻。

45. 一稽納二極體，溫度40°C時，崩潰電壓為8V，溫度30°C時，崩潰電壓為7.8V，試求此稽納二極體40°C時之溫度係數為何？　(111年度考題)　

(A)0.10%/°C　

(B)0.15%/°C　

(C)0.25%/°C　

(D)0.33 %/°C。

46. 若要將小信號電壓及電流都放大，可採用下列何種放大電路？　(109年度考題)　

(A)雙極性接面電晶體的共集極放大電路　

(B)雙極性接面電晶體的共射極放大電路　

(C)場效電晶體的共閘極放大電路　

(D)場效電晶體的共汲極放大電路。

47. 如下【圖1】、【圖2】所示，小清、小州想利用方波作為輸入訊號並輸出三角波，試問其正確電路名稱，並計算該三角波在0至週期前之斜率為何？
　(109年度考題)　

(A)積分器、

　

(B)積分器、

　

(C)微分器、

　

(D)微分器、

。

48. 使用非反相放大器之韋恩電橋（Wien-Bridge）振盪電路，若要產生振盪，則回授網路相移角度為何？　(108年度考題)　

(A)0°　

(B)90°　

(C)180°　

(D)270°。

49. 在絕對零度（0°K）時，於本質半導體之兩端加一電壓，若本質半導體並未發生崩潰，則在本質半導體內狀態為何？　(109年度考題)　

(A)有電子流，沒有電洞流　

(B)有電子流也有電洞流　

(C)沒有電子流，有電洞流　

(D)沒有電子流也沒有電洞流。

50. 如圖所示，假設稽納二極體順向時為理想二極體，V_i＝6sin（ωt）V，R＝500Ω，則V_o最大值為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)2V　

(B)3V　

(C)5V　

(D)6V。

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