台電新進雇員|☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性|試題|電子學|(收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題) -鼎文題庫網

1. 下列何者不是理想運算放大器的特性？　(107年5月考題)　

(A)輸入阻抗無限大　

(B)頻寬無限大　

(C)開回路增益無限大　

(D)輸出阻抗無限大。

2. 有4支相同的喇叭並聯後，接於耦合變壓器二次側，每支喇叭電阻值為80Ω，一次側看入之有效負載總電阻值為50KΩ，試求使用耦合變壓器之一次側與二次側匝數比為何？　(111年度考題)　

(A)36：1　

(B)50：1　

(C)60：1　

(D)80：1。

3. 如圖所示，若電晶體保持在主動區工作，當提高R_C值而V_CC及R_B值保持不變，則下列敘述何者正確？
　(107年12月考題)　

(A)工作點不變　

(B)工作點朝飽和區反方向移動　

(C)基極電流增加　

(D)工作點朝飽和區方向移動。

4. 在稽納二極體中，有關崩潰電壓的敘述，下列何者正確？　(110年度考題)　

(A)崩潰電壓發生在順向偏壓區　

(B)崩潰電壓會破壞稽納二極體　

(C)具正溫度係數，溫度愈高崩潰電壓愈高　

(D)崩潰電壓大概為定值。

5. 如圖所示，兩BJT之β＝80，V_BE皆為0.7V，若不需考慮V_A（Early Effect），且r_π很小可忽略的情況下，則輸入阻抗Z₁為何？
　(108年度考題)　

(A)4kΩ　

(B)81kΩ　

(C)162kΩ　

(D)324kΩ。

6. 有關場效電晶體，下列敘述何者有誤？（I_D為汲極電流，I_G為閘極電流）　(110年度考題)　

(A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體　

(B)場效電晶體的主要型式有接面場效應（JFET）、空乏型MOSFET、增強型MOSFET　

(C)場效電晶體以控制通道之寬度達到控制I_D大小之目的　

(D)對場效電晶體的I_D影響最大的是I_G。

7. 一般BJT電晶體作為小信號線性放大器，電晶體必須施加適當偏壓，使工作點（operating point）落在下列哪種區域內，可獲得較佳之放大倍率？　(106年度考題)　

(A)作用區（active region）內　

(B)反向作用區（reversed, active region）內　

(C)截止區（cut-off region）內　

(D)飽和區（saturation region）內。

8. 二極體若加順向偏壓，則會產生下列何種情形？　(110年度考題)　

(A)障壁電壓降低，空乏區寬度減小　

(B)障壁電壓增加，空乏區寬度減小　

(C)障壁電壓增加，空乏區寬度增加　

(D)障壁電壓降低，空乏區寬度增加。

9. 如圖所示之理想運算放大器電路，在不飽和情況下，電流I為多少？
　(104年度考題)

(A)0.5mA

(B)0.05mA

(C)0.15mA

(D)0.02mA。

10. 如圖所示之電路，R_G＝10kΩ，R_D＝10kΩ，若JFET場效電晶體之r_d＝10kΩ，g_m＝2.5mA/V（即μ＝25），其電壓增益A_v＝為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)20　

(B)12.5　

(C)7.5　

(D)2.5。

11. 下列何種電路不具備電流放大的功能？　(106年度考題)　

(A)共基極放大電路　

(B)共射極放大電路　

(C)共集極放大電路　

(D)達靈頓電路。

12. 如圖所示，該二極體為理想的二極體，則電路輸出電壓V_o為何？
　(109年度考題)　

(A)2V　

(B)5V　

(C)8V　

(D)10V。

13. 已知某一信號的週期是0.04秒，其頻率為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)25Hz　

(B)40Hz　

(C)250Hz　

(D)400Hz。

14. 有一電壓源v(t)＝－3＋，其平均值電壓與有效值電壓比約為多少？　(104年度考題)

(A)－1

(B)0

(C)0.75

(D)－0.6。

15. 如圖所示電路，Vi＝2 V，試求其輸出電壓Vo為何？
　(111年度考題)　

(A)－12 V　

(B)－6 V　

(C)6 V　

(D)12 V。

16. 如圖所示電路，Q₁與Q₂為匹配之電晶體（β₁＝β₂＝β），且皆操作於作用區（active region），請問為下列哪個選項？　(106年度考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)

。

17. 下列敘述何者有誤？　(112年度考題)　

(A)稽納二極體常應用於穩壓電路　

(B)矽屬於直接能隙材料，故不會發光　

(C)發光二極體是利用波爾定理把電能轉換成光能　

(D)發光二極體的光波長由半導體材料之能隙大小決定。

18. 在一N通道增強型MOSFET共源極放大電路中，其中MOSFET之VT＝2 V，K＝2 mA/V2，若要使MOSFET工作於飽和區，以獲得ID＝18 mA時，試求其VGS電壓為何？　(111年度考題)　

(A)2 V　

(B)3 V　

(C)5 V　

(D)9 V。

19. 如圖所示電路，若OPA視為理想放大器，試求輸出電壓Vo為何？
　(111年度考題)　

(A)－2 V　

(B)－1 V　

(C)1 V　

(D)2 V。

20. 如圖所示，為類似韋恩電橋的振盪電路，若L＝100μH，R＝314Ω，R₃＝3kΩ，R₄＝1kΩ，試問此電路的振盪頻率約為何？
　(108年度考題)　

(A)500kHz　

(B)250kHz　

(C)100kHz　

(D)50kHz。

21. 理想OPA作為放大器使用時，應外加何種電路？　(112年度考題)　

(A)負回授電路　

(B)正回授電路　

(C)箝位電路　

(D)穩壓電路。

22. 所謂半功率點是指增益衰減至中頻增益的多少倍？　(107年5月考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)

。

23. 二極體逆向電流係由少數載子電流與下列何者所組成？　(110年度考題)　

(A)雪崩效應　

(B)表面漏電流　

(C)順向電流　

(D)稽納電流。

24. 某矽二極體在溫度30°C時的逆向飽和電流為3nA，若溫度上升至90°C時，則逆向飽和電流為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)125nA　

(B)150nA　

(C)192nA　

(D)180nA。

25. 如圖所示，假設雙極性接面電晶體V_BE＝0.7，β＝100，R_B＝200kΩ，R_C＝4kΩ，則集極電壓V_C約為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)1.4V　

(B)3.5V　

(C)12V　

(D)15V。

26. 在放大器頻率響應曲線中，f_L表示增益低頻截止頻率，f_H表示增益高頻截止頻率，此放大器的頻帶寬度BW為何？　(107年12月考題)　

(A)2f_H－f_L　

(B)f_H＋f_L　

(C)f_H－f_L　

(D)f_H－2f_L。

27. 使用三用電表之電阻檔測量二極體時，二極體順向電阻假設為R₁、逆向電阻假設為R₂，則下列敘述何者正確？　(111年度考題)　

(A)R₁的值非常小，R₂的值非常大　

(B)R₁的值非常大，R₂的值非常小

(C)R₁及R₂的值均非常小　

(D)R₁及R₂的值均非常大。

28. 有關PN接面二極體的敘述，下列何者有誤？　(110年度考題)　

(A)溫度上升時，障壁電壓上升　

(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄　

(C)矽二極體的障壁電壓較鍺二極體高　

(D)溫度上升時，漏電流上升。

29. 如圖所示之電路，若二極體為理想型，已知R_L＝10kΩ，C＝100μF，試求輸出漣波峰對峰電壓？
　(112年度考題)　

(A)0.06 V　

(B)0.12 V　

(C)0.24 V　

(D)0.48 V。

30. 如圖所示，V_DS＝8V，則V_GS為多少？
　(104年度考題)

(A)＋3.5V

(B)－3.5V

(C)－4.0V

(D)＋4.0V。

31. 箝位電路又稱為下列何者？　(112年度考題)　

(A)交流恢復器　

(B)直流恢復器　

(C)剪截器　

(D)振幅限制器。

32. 如圖所示，若MOSFET之臨限電壓（Threshold Voltage）為2V，閘源極間電壓V_GS＝4V時，其汲極電流I_D(on)＝20mA，則此電路之汲源極間電壓V_DS及汲極電流I_D分別約為何？
　(108年度考題)　

(A)3.4V、18.4mA　

(B)4.3V、18.4mA　

(C)5.4V、15.3mA　

(D)4.5V、15.3mA。

33. 如圖所示，共射極電路若V_CC＝12V，V_CE＝6V，V_BE＝0.7V，R_B＝390kΩ，R_C＝2kΩ，則電晶體之β值最接近下列何者？
　(110年度考題)　

(A)104　

(B)123　

(C)133　

(D)145。

34. 如圖所示之橋式全波整流電路，次級線圈電壓V_i峰對峰值（V_p-p）為50V之交流電壓，若二極體為理想元件，則輸出電壓之平均值最接近下列何者？
　(110年度考題)　

(A)15.9V　

(B)17.7V　

(C)31.8V　

(D)35.4V。

35. 在雙載子接面電晶體（BJT）放大器中，具有最大電壓增益與電流增益乘積的是何種組態？　(104年度考題)

(A)共基極放大器

(B)共射極放大器

(C)共集極放大器

(D)共汲極放大器。

36. 下圖中的OPA皆為理想運算放大器，其電壓增益為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)36　

(B)25　

(C)－25　

(D)－30。

37. 如下圖所示，當理想運算放大器在不飽和情況下，輸出電壓V_O為何？
　(107年12月考題)　

(A)－0.5V　

(B)－1V　

(C)－2V　

(D)－4V。

38. 如圖所示運算放大器之RC相移電路，其振盪頻率與振盪條件下列何者正確？
　(108年度考題)　

(A)ω_o＝

且R₂/R≧8　

(B)ω_o＝

且R₂/R≧29　

(C)ω_o＝

且R₂/R≧8　

(D)ω_o＝

且R₂/R≧29。

39. 某電晶體電路測得電流增益為200，集極電流為10mA，試求射極電流為何？　(109年度考題)　

(A)9.9mA　

(B)9.95mA　

(C)10mA　

(D)10.05mA。

40. 下列有關各類二極體的敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)稽納二極體可作為產生參考電壓的元件

(B)發光二極體發光的波長與其偏壓的電壓值成正比

(C)一般發光二極體在使用時，是在順向偏壓下工作

(D)稽納二極體一般使用時，是在逆向偏壓下工作。

41. 圖為理想放大器，請求該電路之電壓增益為何？
　(107年12月考題)　

(A)－2010　

(B)－1020　

(C)1020　

(D)2010。

42. BJT共射極接線組態下，射極－地間的電阻常並聯一電容，此電容之目的為何？　(112年度考題)　

(A)降低射極的直流電壓　

(B)升高射極的直流電壓　

(C)提高輸入電阻值　

(D)改善電壓增益。

43. NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.25%在基極與電洞結合，其餘99.75%被集極收集，則此電晶體之β值為何？　(107年12月考題)　

(A)99　

(B)199　

(C)299　

(D)399。

44. BJT的摻雜濃度大小依序為何？　(112年度考題)　

(A)B＞C＞E　

(B)B＞E＞C　

(C)C＞E＞B　

(D)E＞B＞C。

45. 關於達靈頓（Darlington）電路之敘述，下列何者有誤？　(111年度考題)　

(A)可用NPN及PNP電晶體混合組成　

(B)輸入阻抗很高　

(C)電流增益小於1　

(D)可用兩電晶體組成。

46. 如圖所示，假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為±15V，求其遲滯電壓V_H為何？
　(107年12月考題)　

(A)3V　

(B)4V　

(C)5V　

(D)6V。

47. 有關石英晶體之敘述，下列何者有誤？　(109年度考題)　

(A)晶體的品質因數Q值非常高　

(B)溫度升高時晶體穩定性變差　

(C)晶體產生的共振頻率非常準確　

(D)晶體對時間具有非常高的穩定性。

48. 某全波整流器，其濾波電容為40 μF，負載電流為40 mA，峰值濾波電壓為100 V，若電源頻率為60 Hz，試求其濾波器的直流電壓約為何？　(111年度考題)　

(A)50 V　

(B)75 V　

(C)96 V　

(D)100 V。

49. 如圖所示，二極體為理想二極體，求電路中電流I為下列何者？
　(107年5月考題)　

(A)5mA　

(B)4mA　

(C)3mA　

(D)2mA。

50. 如圖所示之電路，理想稽納二極體V_Z＝15V，若V_i＝20V，則V_o為何？
　(108年度考題)　

(A)10V　

(B)12V　

(C)15V　

(D)20V。

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