1. 當一方波輸入至一微分器時,其輸出訊號為下列何者? (107年5月考題) 


2. 如下圖為理想運算放大器之電路,其電壓增益VO/VS為多少?
 (104年度考題)


3. 某P通道增強型MOSFET,導電參數K=0.5mA/V2,臨界電壓VT=-2V,試求VGS=-5V時,ID值為何? (109年度考題) 


4. 有一濾波器之電壓增益值為,試問此為何種濾波器? (110年度考題) 


5. 有一差動放大器之共模增益為0.2,差模增益為500,試求其共模拒斥比(CMRR)為何? (110年度考題) 


6. 有關場效電晶體,下列敘述何者有誤?(ID為汲極電流,IG為閘極電流) (110年度考題) 


7. 如圖所示,假設雙極性接面電晶體VBE=0.7,β=100,RB=200kΩ,RC=4kΩ,則集極電壓VC約為下列何者?
 (107年5月考題) 


8. 如圖所示電路,為__濾波電路,其截止頻率為__,請問空格處應填入下列哪組選項? (106年度考題) 


9. 如下圖所示之電路,流過稽納(Zener)二極體之電流約為多少?
 (104年度考題)


10. 如圖所示之橋式全波整流電路,次級線圈電壓Vi峰對峰值(Vp-p)為50V之交流電壓,若二極體為理想元件,則輸出電壓之平均值最接近下列何者?
 (110年度考題) 


11. 有一共射極放大器之電壓增益分貝值為20dB,其後串接射極隨耦器,求總電壓增益分貝值(dB)為何? (110年度考題) 


12. 如圖所示,基極電壓為0.7V,集極電壓為2V,若熱電壓VT為25mV,則rπ值為何?
 (107年12月考題) 


13. 矽、鍺半導體材料的導電性,隨溫度上升將產生何種變化? (108年度考題) 


14. 下列由理想運算放大器(OPA)所製作的應用電路中,哪一種電路中之OPA的輸入端不可看成虛短路? (106年度考題) 


15. 有一放大器將2mV信號放大至20V,其電壓增益為下列何者? (107年5月考題) 


16. 有一40W功率輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器,若放大器的電壓增益為40dB且額定輸出時,求其輸入電壓為何? (107年12月考題) 


17. 有關場效電晶體FET之敘述,下列何者正確? (108年度考題) 


18. 關於FET與BJT電晶體的比較,下列何者有誤? (107年12月考題) 


19. 如圖所示共源極放大器,若場效應電晶體參數rd=30KΩ,gm=2 mA/V,試求其電路的中頻電壓增益AV為何?
 (111年度考題) 


20. 如圖所示,直流工作點設置於VGS=-1.75V,VDS=6V,ID=2.5mA,則Rs值為何?
 (112年度考題) 


21. 有一電晶體偏壓於作用區,測得IB=0.05mA、IE=5mA,則此電晶體的α參數值為下列何者? (107年5月考題) 


22. 如圖所示為一理想運算放大器,其飽和電壓為±15V,若稽納(Zener)二極體之崩潰電壓為6V,則I值為何?
 (110年度考題) 


23. 某電晶體放大電路的輸入/輸出特性曲線如圖所示,其種類與電路組態應為下列何者?
 (107年5月考題) 


24. 如圖所示,當VDS=5 V,試求其VGS值為何?
 (111年度考題) 


25. 關於二極體的敘述,下列何者正確? (112年度考題) 


26. 如下圖所示,當理想運算放大器在不飽和情況下,輸出電壓VO為何?
 (107年12月考題) 


27. 下列何者可作為電路的方波產生器? (110年度考題) 


28. 稽納二極體(Zener Diode)利用逆壓崩潰區電壓幾乎固定的性質,來達到穩壓效果,如圖所示,該稽納二極體之崩潰電壓Vz=8V,當Vi=10V時,Vo為何?
 (109年度考題) 


29. 電晶體射極旁路電容CE之主要功用為下列何者? (107年5月考題) 


30. 有關電晶體的結構與特性,下列敘述何者有誤? (106年度考題) 


31. 如圖所示之LED驅動電路,使LED發亮的電壓為2V,電流為15mA,假設飽和電晶體之VCE(sat)電壓降可忽略不計,V BE(sat)=0.8V,試求RB、RC的適當電阻值為何?
 (106年度考題) 


32. 有一電晶體,當偏壓於作用區,測得IB=0.05 mA、IE=5 mA,則此電晶體的α值為何? (112年度考題) 


33. 有關理想運算放大器的特性,下列敘述何者有誤? (106年度考題) 


34. 若PN接面的空乏區兩側,P型半導體與N型半導體的摻雜(Doping)濃度不同,濃度較高者,該側空乏區寬度將如何變化? (108年度考題) 


35. 如圖所示電路,電晶體的β=120,VCE(sat)=0.2V,VBE(act)=VBE(sat)=0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓VZ=5.6V,當Vi=2V,Vo約為多少?
 (106年度考題) 


36. 限制輸入信號振幅使其符合小信號定義,主要目標是使電路具有下列何種特性? (107年5月考題) 


37. 有關逆向偏壓接面電容之敘述,下列何者正確? (109年度考題) 


38. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體,其參數gm=1.5m℧,rd=10kΩ,已知電路中不存在源極電阻RS,而汲極電阻RD=10kΩ,請問該電路之電壓增益AV為何? (106年度考題) 


39. 如圖所示電路,電晶體的β=120,VCE(sat)=0.2V,VBE(act)=VBE(sat)=0.7V,稽納二極體(Zener Diode)之崩潰電壓VZ=5.6V,當Vi=3V時,電流I約為多少?
 (106年度考題) 


40. 如圖所示,共射極電路若VCC=12V,VCE=6V,VBE=0.7V,RB=390kΩ,RC=2kΩ,則電晶體之β值最接近下列何者?
 (110年度考題) 


41. 某NPN電晶體的β=100,集極電流為0.8A,基極電流為12mA,則電晶體處於何種區域模式? (109年度考題) 


42. 有關微分器、積分器之敘述,下列何者正確? (109年度考題) 


43. 關於達靈頓(Darlington)電路之敘述,下列何者有誤? (111年度考題) 


44. 圖為理想放大器,請求該電路之電壓增益為何?
 (107年12月考題) 


45. 如下圖所示電路,試問下列何者電阻是利用米勒(Miller)效應來提升輸入阻抗?
 (107年5月考題) 


46. 下列何者為正弦波振盪器? (110年度考題) 


47. 關於橋式整流電路,下列敘述何者有誤? (112年度考題) 


48. 有一帶通濾波器低頻截止頻率為16 kHz,高頻截止頻率為25 kHz,則共振頻率為何? (112年度考題) 


49. 下列敘述何者有誤? (112年度考題) 


50. 關於555 IC振盪電路,下列何者有誤? (111年度考題)