台電新進雇員|☆考前最後衝刺☆ 歷屆試題隨機成卷,打破備考慣性|試題|電子學|(收錄104,106~112年歷屆試題,每次隨機抽取50題) -鼎文題庫網

1. PNP矽型電晶體的等效電路圖為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)

2. 有關BJT共射極（CE）、共集極（CC）和共基極（CB）基本組態放大電路特性之比較，下列何者正確？　(107年12月考題)　

(A)輸入阻抗：CB＞CE＞CC　

(B)輸出阻抗：CE＞CC＞CB　

(C)電壓增益：CB＞CE＞CC　

(D)功率增益：CC＞CE＞CB。

3. 有關場效電晶體（FET）之敘述，下列何者有誤？　(107年12月考題)　

(A)可分成N通道與P通道兩種　

(B)輸入阻抗較雙極性電晶體（BJT）為低　

(C)MOSFET又分成空乏型與增強型兩種　

(D)主要可分成JFET及MOSFET兩種。

4. 有關JFET特性之敘述，下列何者有誤？　(109年度考題)　

(A)V_GS＝0時，I_D＝I_DSS　

(B)N通道的夾止（pinch-off）電壓V_P是負值　

(C)在歐姆區操作時，|V_DS|＞|V_GS－V_P|　

(D)閘極電流趨近於零。

5. 有一差動放大器，其共模拒斥比CMRR＝1000，差動增益A_d＝100，兩個輸入訊號V_i1＝150μV，V_i2＝50μV，則輸出V_O為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)10.1mV　

(B)10.01mV　

(C)100.1mV　

(D)101mV。

6. 如圖所示，R_G＝10kΩ，R_S＝1kΩ，R_L＝4kΩ，I_DQ＝2mA，k＝2mA/V²，試求輸出電阻R_O？
　(112年度考題)　

(A)0.2 kΩ　

(B)0.4 kΩ　

(C)0.6 kΩ　

(D)0.7 kΩ。

7. 如圖所示之電路，若V_CC＝20V，R_L＝50Ω，則此放大器最大交流輸出功率為何？
　(104年度考題)

(A)1W

(B)2W

(C)3W

(D)4W。

8. 利用BJT作小信號的線性放大器，為避免輸出信號失真情形，必須施加適當的偏壓使工作點（Operating Point）落在何區域內？　(108年度考題)　

(A)作用區（Active Region）與飽和區（Saturation Region）交界　

(B)作用區（Active Region）內　

(C)截止區（Cut-off Region）內　

(D)飽和區（Saturation Region）內。

9. 如圖所示，若BJT之β＝50，切入電壓V_BE＝0.7V，則集射極電壓V_CE約為何？
　(108年度考題)　

(A)4.8V　

(B)5.3V　

(C)6.8V　

(D)9.3V。

10. 有一電源電路之輸出電壓V(t)＝10＋0.2sin (ωt)伏特，則其漣波因數百分比約為多少？　(106年度考題)　

(A)1.41%　

(B)2%　

(C)4.24%　

(D)5.21%。

11. 如圖所示運算放大器之RC相移電路，其振盪頻率與振盪條件下列何者正確？
　(108年度考題)　

(A)ω_o＝

且R₂/R≧8　

(B)ω_o＝

且R₂/R≧29　

(C)ω_o＝

且R₂/R≧8　

(D)ω_o＝

且R₂/R≧29。

12. 已知全波整流中，輸出電壓有效值V_rms，平均值為V_av，則為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)

。

13. 所謂半功率點是指增益衰減至中頻增益的多少倍？　(107年5月考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)

。

14. 如圖所示，假設經由小訊號分析得知Z₁＝2MΩ，則其電流增益約為何？
　(108年度考題)　

(A)1,000　

(B)1,200　

(C)3,200　

(D)4,800。

15. NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.25%在基極與電洞結合，其餘99.75%被集極收集，則此電晶體之β值為何？　(107年12月考題)　

(A)99　

(B)199　

(C)299　

(D)399。

16. 如圖所示之橋式整流電路，假設二極體均為理想二極體，當輸入交流電壓V_in(t)大於0伏特時，請問二極體的狀態，下列何者正確？
　(104年度考題)

(A)D1、D3導通，D2、D4不導通

(B)D2、D4導通，D1、D3不導通

(C)D1、D4導通，D2、D3不導通

(D)D2、D3導通，D1、D4不導通。

17. 在絕對零度（0°K）時，於本質半導體之兩端加一電壓，若本質半導體並未發生崩潰，則在本質半導體內狀態為何？　(109年度考題)　

(A)有電子流，沒有電洞流　

(B)有電子流也有電洞流　

(C)沒有電子流，有電洞流　

(D)沒有電子流也沒有電洞流。

18. 如圖所示，V_DS＝8V，則V_GS為多少？
　(104年度考題)

(A)＋3.5V

(B)－3.5V

(C)－4.0V

(D)＋4.0V。

19. 如圖所示，假設4K1＝K2，臨界電壓Vt1＝Vt2＝2 V，試求其Vo 值為何？
　(111年度考題)　

(A)1 V　

(B)2 V　

(C)4 V　

(D)6 V。

20. 下圖所示CMOS反相器電路，若不計電路延遲，且輸入信號如標示(b)之方波，則輸出之信號V_o應為下列何者？　(106年度考題)　

(A)同頻率反相之方波　

(B)16倍頻率反相之方波　

(C)同頻率同相之方波　

(D)16倍頻率同相之方波。

21. 積體電路內之串級放大器電路，大部分採用何種耦合方式？　(110年度考題)　

(A)電阻耦合　

(B)電容耦合　

(C)直接耦合　

(D)變壓器耦合。

22. 下列放大電路中，何者電流增益略小於1？　(108年度考題)　

(A)共集極放大電路　

(B)共基極放大電路　

(C)共射極放大電路　

(D)共源極放大電路。

23. 下列敘述何者有誤？　(107年5月考題)　

(A)FET具高輸入阻抗　

(B)FET的源極與汲極可以對調使用　

(C)FET增益與頻帶寬之乘積大於BJT　

(D)FET高頻響應較BJT不佳。

24. 有一差動放大器之共模拒斥比（CMRR）值為40dB，若差動增益為1000，則當輸入為1.001V、0.999V時，輸出值V_o為何？　(107年12月考題)　

(A)6V　

(B)8V　

(C)10V　

(D)12V。

25. BJT直流工作特性曲線因受爾利效應（Early effect）影響，導致Ic值在順向作用區（forward active region）時，會隨著V_CE值增加而產生何種變化？　(109年度考題)　

(A)增加　

(B)減少　

(C)不變　

(D)不一定。

26. N通道加強型MOSFET的閘－源電壓V_GS應如何才能使汲極電流I_D導通？（V_T為臨界電壓）　(104年度考題)

(A)V_GS＞0，V_GS＜V_T

(B)V_GS＜0，V_GS＞V_T

(C)V_GS＜0，V_GS＜V_T

(D)V_GS＞0，V_GS＞V_T。

27. 如圖所示為一理想運算放大器，若V_i＝－3V時，則OPA之V_O為何？
　(110年度考題)　

(A)15V　

(B)－15V　

(C)30V　

(D)－30V。

28. 如圖所示電路，為＿＿濾波電路，其截止頻率為＿＿，請問空格處應填入下列哪組選項？　(106年度考題)　

(A)

　

(B)

　

(C)

　

(D)

。

29. 如圖所示電路，若Q₁與Q₂完全相同，則V_o的週期約為多少？
　(106年度考題)　

(A)2.1 R_C　

(B)2 R_C　

(C)1.4 R_C　

(D)0.7 R_C。

30. 如圖所示之電路，輸出電壓V_o為多少？
　(104年度考題)

(A)10.8V

(B)5.4V

(C)15V

(D)7.5V。

31. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？　(107年12月考題)　

(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄　

(B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體　

(C)在純質矽（silicon）晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導體　

(D)N型半導體中的多數載子為電洞。

32. 如圖所示，已知VCC＝12 V，R1＝100 KΩ，R2＝100 KΩ，RE＝10 Ω，hie＝rπ＝1 KΩ，hfe＝β＝99，試求其輸出阻抗Ro約為何？
　(111年度考題)　

(A)5 Ω　

(B)10 Ω　

(C)990 Ω　

(D)1 KΩ。

33. 下列關於BJT電晶體射極隨耦器之特性敘述，何者有誤？　(104年度考題)

(A)輸出訊號與輸入訊號相位相同

(B)電流增益低於1

(C)電壓增益略小於1

(D)輸入阻抗甚高。

34. 有一直流電源之電動勢為30V，內阻為2Ω，滿載時所提供之電流為2.5A，則此電源之電壓調整率為何？　(106年度考題)　

(A)25%　

(B)20%　

(C)15%　

(D)10%。

35. 下列電路，何者為運算放大器之主要輸入結構？　(111年度考題)　

(A)達靈頓電路　

(B)差動電路　

(C)光耦合電路　

(D)RC耦合電路。

36. 圖為何種放大電路的小信號等效電路？
　(107年5月考題)　

(A)共射極　

(B)共基極　

(C)共集極　

(D)共源極。

37. 若有一共射極組態電晶體之α值由0.98變至0.99，則β值變化為何？　(106年度考題)　

(A)由99變為49　

(B)由88變為49　

(C)由49變為88　

(D)由49變為99。

38. 如圖所示，兩BJT之β＝80，V_BE皆為0.7V，若不需考慮V_A（Early Effect），且r_π很小可忽略的情況下，則輸入阻抗Z₁為何？
　(108年度考題)　

(A)4kΩ　

(B)81kΩ　

(C)162kΩ　

(D)324kΩ。

39. 如圖所示，若V_GS＝－2.5V，R_S＝2.5kΩ，則V_DS為何？
　(109年度考題)　

(A)8.5V　

(B)9.5V　

(C)10.5V　

(D)11.5V。

40. 家用的交流電源110V、60Hz，經半波整流，但未濾波，則此整流後電壓平均值約為多少？　(104年度考題)

(A)70V

(B)60V

(C)50V

(D)40V。

41. 如圖所示之電路，R_B＝10kΩ，R_E＝1kΩ，R_C＝5kΩ，β＝200，I_BQ＝13μA，V_T＝26 mV，試求輸入電阻R_i約為下列何者？
　(112年度考題)　

(A)2.3 kΩ　

(B)5.5 kΩ　

(C)9.5 kΩ　

(D)13.2 kΩ。

42. 在各種耦合放大電路中，下列何者之頻率響應最差？　(110年度考題)　

(A)RC耦合　

(B)電感耦合　

(C)變壓器耦合　

(D)直接耦合。

43. 已知某一信號的週期是0.04秒，其頻率為下列何者？　(107年5月考題)　

(A)25Hz　

(B)40Hz　

(C)250Hz　

(D)400Hz。

44. 有一採用共源極放大電路之場效電晶體，其參數g_m＝1.5m℧，r_d＝10kΩ，已知電路中不存在源極電阻R_S，而汲極電阻R_D＝10kΩ，請問該電路之電壓增益A_V為何？　(106年度考題)　

(A)－30　

(B)－18.75　

(C)－7.5　

(D)－5。

45. 電晶體放大電路的各種組態中，共汲極放大電路與下列何種組態的放大電路之特性最相似？　(107年12月考題)　

(A)共射極　

(B)共集極　

(C)共基極　

(D)共閘極。

46. 如圖所示矽質電晶體電路，若β＝100，RC＝2 KΩ，R1＝10 KΩ，R2＝15KΩ，VCC＝15 V，VC＝5 V時，試求其IB為何？
　(111年度考題)　

(A)25 μA　

(B)50 Μa　

(C)75 μA　

(D)100 μA。

47. 如圖所示電路，下列敘述何者正確？
　(107年5月考題)　

(A)R_E可提供正回授，增加電路穩定性　

(B)R_E可提高電壓增益　

(C)小信號分析時，R_E被電容短路　

(D)R_E的值變大，輸出阻抗變大。

48. 下列何種振盪器不需外部觸發便可自行起振？　(107年12月考題)　

(A)無穩態多諧振盪器　

(B)單穩態多諧振盪器　

(C)雙穩態多諧振盪器　

(D)舒密特觸發器。

49. 如圖所示電路，電晶體的β＝100，集極電流為2mA，V_CE＝4V，R_C兩端之電壓為4V，V_BE＝0.7V，則R_E之電阻值約為多少？　(106年度考題)　

(A)0.2kΩ　

(B)2kΩ　

(C)20kΩ　

(D)200kΩ。

50. 一般常用NPN BJT與PNP BJT之工作頻率，下列敘述何者正確？　(108年度考題)　

(A)工作頻率完全相等　

(B)無法比較　

(C)PNP BJT工作頻率高於NPN BJT　

(D)NPN BJT工作頻率高於PNP BJT。

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