單選題 每題2分

---

1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？　

---

2. 已知NPN電晶體的V_BE＝0.7V，V_CE＝2.5V，則此電晶體操作在哪個區域？　

---

3. 對一具有源極旁路電容之共源極放大器，如將其旁路電容器移走時，則下列何者正確？　

---

4. 如圖所示，假設D₁與D₂為理想二極體，請求出電壓V₂為何？
　

---

5. 如圖所示電路及電晶體之特性曲線，假設電晶體原來的工作點為Q點，則當R_B電阻值變大時，新的工作點應近似於下列何者？
　

---

6. 理想放大器的輸入阻抗與輸出阻抗分別為多少歐姆？　

---

7. 有一差動放大器之共模拒斥比（CMRR）值為40dB，若差動增益為1000，則當輸入為1.001V、0.999V時，輸出值V_o為何？　

---

8. 下列何者為電子電路中，設計正回授之目的？　

---

9. 如圖所示，電晶體Q₁與Q₂有相同特性，若V_CC＝20V，V_EE＝－10V，電阻R₁＝R₂＝R₃＝5kΩ，V₁＝V₂＝0V，輸出電壓V₀值為何？
　

---

10. 圖為理想放大器，請求該電路之電壓增益為何？
　

---

11. 如圖所示，兩個MOSFET之寬長W/L比為(W/L)₁＝4(W/L)₂，設MOSFET導通的臨界電壓V_t1＝V_t2＝2V，則V₀值為何？
　

---

12. 某場效電晶體的導電參數K＝2mA/V²，若直流工作點的汲極電流為8mA，試求互導g_m為何？　

---

13. 下列何種摻雜行為的改變，可增加BJT電晶體的電流增益？　

---

14. 有關場效電晶體（FET）之敘述，下列何者有誤？　

---

15. 如圖所示，基極電壓為0.7V，集極電壓為2V，若熱電壓V_T為25mV，則r_π值為何？
　

---

16. 下列何種振盪器不需外部觸發便可自行起振？　

---

17. N通道空乏型MOSFET的I_DSS＝8mA，V_GS(OFF)＝－4V，而在V_GS＝0V的情況下，I_D值為何？　

---

18. 電晶體放大電路的各種組態中，共汲極放大電路與下列何種組態的放大電路之特性最相似？　

---

19. 某N通道JFET，V_P＝－4V，當V_GS＝－1V時，欲使該JFET工作於飽和區，所需的V_DS值範圍為何？　

---

20. 齊納（Zener）電壓調整電路如圖所示，其中齊納二極體之V_Z＝10V，I_Z＝5mA～20mA，若V_i＝100V，請問電阻R值需為多少，才能使齊納二極體在I_L＝0～I_L(max)之間進行調節，且I_L(max)為何？
　

---

21. 在放大器頻率響應曲線中，f_L表示增益低頻截止頻率，f_H表示增益高頻截止頻率，此放大器的頻帶寬度BW為何？　

---

22. 有一低通、三級放大電路，若輸入頻率高於高截止頻率時，則每增加10倍，增益減少多少dB？　

---

23. NPN電晶體工作在飽和區時，下列敘述何者正確？　

---

24. 有關差動放大器的敘述，下列何者有誤？　

---

25. 如下圖所示，若R₁＝3MΩ，R₂＝1MΩ，R_D＝4kΩ，r_d→∞，求輸入阻抗為何？
　

---

26. 有關BJT共射極（CE）、共集極（CC）和共基極（CB）基本組態放大電路特性之比較，下列何者正確？　

---

27. 兩電壓v₁(t)＝8cos（20πt＋13°）及v₂(t)＝4sin（20πt＋45°），則兩電壓之相位差為多少？　

---

28. 如圖所示，交流電壓v(t)＝150sin（377t－30°），交流電流i(t)＝10sin（377t），則負載Z_L的特性為何？
　

---

29. 有一40W功率輸出的放大器連接至10Ω的揚聲器，若放大器的電壓增益為40dB且額定輸出時，求其輸入電壓為何？　

---

30. 關於FET與BJT電晶體的比較，下列何者有誤？　

---

31. 某N通道JFET之夾止電壓（pinch-off voltage）V_P＝－4V、I_DSS＝16mA，當其閘極電壓V_G＝－6V、源極電壓V_S＝0V、汲極電壓V_D＝5V時，則汲極電流I_D為何？　

---

32. 如圖所示，假設運算放大器飽和時之最大輸出電壓為±15V，求其遲滯電壓V_H為何？
　

---

33. 如圖所示，各級之電壓增益分別如圖中之標示，則此電路之總電壓增益為何？
　

---

34. 圖中電晶體作為開關使用，欲使燈泡亮起，下列敘述何者正確？
　

---

35. 如下圖所示，此電路之輸入電壓與輸出電壓轉換曲線為何？
　

---

36. R-L-C串聯諧振電路產生諧振時，下列敘述何者有誤？　

---

37. 若運算放大器的轉動率為0.5V/μs，其輸出訊號為峰值±5V的對稱三角波，則在不失真的情況下，此訊號頻率最高為何？　

---

38. 若量測電路中的PNP型雙極性接面電晶體，得知其射極接地，基極電壓為0.7V，集極電壓為－3V，請問電晶體操作在哪個區域？　

---

39. 如下圖所示，V_O約為何？
　

---

40. 如下圖所示，已知該電晶體截止電壓V_GS(off)＝－5V，直流閘源極電壓V_GS＝－4V時，I_D＝0.35mA，則R₁/R₂值為何？
　

---

41. 如圖所示，正常工作下輸出電壓波形為三角波時，則其輸入電壓波形下列何者正確？
　

---

42. 如下圖所示，當理想運算放大器在不飽和情況下，輸出電壓V_O為何？
　

---

43. NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.25%在基極與電洞結合，其餘99.75%被集極收集，則此電晶體之β值為何？　

---

44. 有一變壓器的匝數比為10：1，若在低壓側接上一個8Ω的揚聲器，請問在高壓側測得的阻抗為何？　

---

45. 如圖所示，R₁＝R₂＝R₃＝100kΩ，R_A＝10kΩ，若欲設計輸出電壓V_O＝V₁＋V₂＋V₃，則R_B為何？
　

---

46. 如圖所示，若電晶體保持在主動區工作，當提高R_C值而V_CC及R_B值保持不變，則下列敘述何者正確？
　

---

47. 如圖所示，若V_O＝8V，則V_i應為何？
　

---

48. 如圖所示，此曲線為下列何種場效電晶體的I_D－V_GS特性曲線？（V_T為臨界電壓）
　

---

49. 某一N通道JFET的汲極飽和電流I_DSS＝16mA，汲極電流I_D＝4mA，若截止電壓V_GS(off)為－3V，則閘源極電壓V_GS為何？　

---

50. 如圖所示，若I_D＝2mA，R_D＝5kΩ，R_S＝1kΩ，R_G＝1MΩ，則V_D與V_GS（V_GS＝V_G－V_S）分別為何？
　

---