單選題 每題2分

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1. 有一正弦波交流電壓信號V(t)＝8sin 314tV，則下列敘述何者錯誤？　

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2. 某電源供應器，若空載時輸出為20V，滿載時輸出為18V，則電路電壓調整率V.R.%為何？　

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3. 有一矽二極體，在20°C時的逆向飽和電流為3nA，當溫度升為60°C時其逆向飽和電流為　

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4. LED所發出光的顏色，與下列何者有關？　

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5. 有一交流電壓信號V(t)＝100sin 377tV，經半波整流電路後，則一週期內輸出電壓平均值應為　

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6. 在常溫下，鍺的本質濃度為2.4×10¹³原子/cm³，若摻雜的砷原子濃度為4×10¹⁸原子/cm³，試求其電洞濃度為？原子/cm³　

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7. 電晶體元件的規格資料表中h_FE參數，指的是何種電流增益值為　

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8. 若α＝0.99的電晶體，其I_E＝10.2mA，I_C＝10mA，則此電晶體操作於　

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9. 電晶體共基極組態的洩漏電流I_CBO與共射極組態的洩漏電流I_CEO的關係為　

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10. 如圖所示之電晶體放大器，V_CC＝10.7V、β＝100、V_BE＝0.7V、R_B＝200kΩ、R_E＝2kΩ，請問下列何者錯誤？
　

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11. 如圖所示為共基極式偏壓電路，請問下列何者正確？
　

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12. 就達靈頓電路的特性而言，下列何者錯誤？　

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13. 如圖所示之電晶體放大器，若r_π＝1KΩ，試求此放大器之輸入阻抗Z_i為？
　

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14. 有一放大電路的功率增益為20dBm，則輸出功率為何？　

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15. 在串級放大系統中，何種連接方式最易達成阻抗匹配？　

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16. 有一N通道JFET，其I_DSS＝9mA，V_P＝－3V，請問當直流偏壓V_GS＝－1V時，其汲極電流I_D為何？　

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17. 有關BJT與FET的比較，下列敘述何者正確？　

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18. 一增強型MOSFET臨界電壓V_T＝2V，當V_GS＝4V時，I_D＝2mA，若V_GS＝5V，則I_D為？　

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19. 在FET的三個交流小訊號參數中，g_m、r_d及μ三者之關係為　

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20. 運算放大器的內部主要結構中的輸入級為　

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21. 運算放大器之積體電路編號741的接腳定義，下列何者錯誤？　

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22. 如圖所示之電壓比較顯示電路，當Cds的電阻值為5KΩ時，則LED顯示情形為？
　

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23. 下列何者為正弦波振盪器？　

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24. 在哈特萊振盪器中，其正回授是採用　

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25. 如圖所示，已知g_m＝2mS，R_G＝1MΩ，則此放大器的R_O為
　

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26. 電子實習中，常使用負電阻電路，下列何者可正確完成電路？　

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27. 如圖中，若D屬於理想二極體，則下列何種作法對改善漣波因素（ripple factor）的效果最差：
　

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28. 對一60Hz全波橋式整流電路，如其輸出具有60Hz的漣波時，則其電路可能為　

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29. 如圖電路中，二極體D之作用為：
　

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30. 圖中的i_o/i_s＝
　

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31. 如圖為何種電路？
　

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32. OPA應用電路中，如圖屬於下列何種電路？
　

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33. 下列何項不是一理想運算放大器（OP amp.）所具之特性？　

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34. IC555若外加電源15V，則內部較低之比較電位為？（V）　

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35. PN二極體是　

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36. 一N型半導體因熱能影響而產生的新電子或新電洞數何者較多？　

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37. 一交流電流i(t)＝10sin 785t（mA）流過1kΩ電阻，則電流波形的頻率為　

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38. 下列敘述何者錯誤？　

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39. 就整流電路而言，半波整流、全波整流及橋式整流電路之比較，以下敘述何者錯誤？（V_m為輸入電壓的峰值）　

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40. 以示波器觀察頻率5kHz的交流波形，若水平時基旋鈕選擇在50μS/DIV位置，則示波器螢幕可以顯示幾個週期的波形？　

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41. 如圖所示，電路如圖(a)，輸入電壓V_in(t)＝100sin（377t）V，二極體均視為理想二極體。若輸出電壓V_out(t)波形如圖(b)所示，則其故障原因最可能為何？
　

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42. 發光二極體的發光強度與何者成正比關係？　

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43. 在未外加偏壓下，下列有關P-N接面二極體空乏區的敘述，請問何者錯誤？　

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44. 比較共基極電流增益α、共射極電流增益β與共集極電流增益γ的大小　

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45. 試求圖中電路之V_O＝？
　

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46. 如圖若V_CC＝20V，R＝1KΩ，R₁＝1KΩ，R₂＝2KΩ，R_L＝10KΩ，V_Z＝5V，OPA為理想，則V_L為多少伏特？
　

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47. 如圖運算放大器為理想，若V_i＝200mV，求輸出電壓V_o＝？
　

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48. 如圖所示之方波振盪器電路，下列敘述何者錯誤？
　

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49. 一濾波電路輸出電壓為v_o(t)＝20＋，試計算此電路之漣波百分比為　

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50. 有一濾波器其電壓增益為A_V(ω)＝，試問此為何種濾波器？　

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