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捷運公司 » 桃園捷運專業科目 » 107年 » 電子概論
單選題
每題2分
1. 電晶體放大電路中,同時具有電流增益與電壓增益的放大器是:
(A)CE
(B)CB
(C)CC
(D)以上皆非。
2. 下列何者不是振盪的要件?
(A)負回授
(B)正回授
(C)總相移為360˚
(D)回授量與增益的乘積≧1。
3. 下列何者為主動元件?
(A)電容器
(B)電晶體
(C)電阻器
(D)天線線圈。
4. 下列何者可將類比信號整形成數位信號?
(A)混波器(mixer)
(B)電壓隨耦器(voltage follower)
(C)史密特觸發器(Schmitt tR
i
gger)
(D)帶通濾波器(band-pass filter)。
5. 下列有關編號555積體電路與電阻及電容組合之電路,何者正確?
(A)放大器
(B)整流器
(C)數位邏輯閘
(D)方波產生器。
6. 放大器的設計,若要改善對信號之延遲現象,可:
(A)增加頻率響應寬度
(B)提高電源電壓
(C)提高增益
(D)穩定偏壓。
7. 通常接面場效電晶體(JEET)輸入阻抗大是因為:
(A)閘極使用順向偏壓所造成
(B)溫度效應
(C)表面效應
(D)閘極的反向偏壓漏電流(Leadage Current)。
8. 有一電壓源V(t)=30+10sin2t V,與R、L串聯,R=3Ω、L=2H。求電路所消耗之平均功率?
(A)410W
(B)128W
(C)306W
(D)345W。
9. 有一R、L、C相互並聯而成之電路,未加任何電源,L=1H,R、C皆為常數。已知t>0時,電感之電流為iL(t)=e
-2t
sin4t A,求此電路之R=?
(A)2Ω
(B)3Ω
(C)4Ω
(D)5Ω。
10. 有關A/D轉換器之特性,下列敘述何者錯誤?
(A)並聯型A/D轉換器的基本元件之一為數位編碼器(優先編碼器)
(B)通常並聯型A/D轉換器之轉換時間比計數器型A/D轉換器之轉換時間短
(C)積分器為雙斜型A/D轉換器之基本元件
(D)4位元輸出的並聯型A/D轉換器需要使用4個比較器。
11. 一個三級放大電路,各級電壓分別為10dB、20dB、30dB則總電壓增益為:
(A)30dB
(B)60dB
(C)50dB
(D)90dB。
12. 差動放大器的Ad=100,Ac=0.1,若CMRR以分貝(dB)表示時為多少?
(A)10dB
(B)1000dB
(C)30dB
(D)60dB。
13. 在下圖電路中,求端點a-b看入之戴維寧等效電壓Vth=?
(A)6V
(B)9V
(C)12V
(D)15V。
14. 關於BJT與FET的比較何者有誤?
(A)FET速度較慢
(B)BJT頻率響應較差
(C)BJT熱穩定度較差
(D)FET輸入阻抗較大。
15. 如圖所示電路中,開關已打開一段很長的時間,在t=0開關閉合前已達到穩態狀況,求開關閉合後的電感器電流t(i)為何?
(A)1-0.5e
-4t
A
(B)1-0.5e
-2t
A
(C)2-e
-4t
A
(D)2-e
-2t
A。
16. 某一差動放大器之共模增益Ac=50,差模增益Ad=150則其共模拒斥比(CMRR)為:
(A)0.3
(B)1/3
(C)30
(D)3。
17. 請求出電壓v(t)=10cos(10t+30˚)的振盪週期T,及與電流i(t)=-5sin(10t-70˚)間的相位關係為何?
(A)π/5,電壓領先電流10˚
(B)π/5,電流領先電流10˚
(C)π/10,電壓領先電流100˚
(D)π/10,電流領先電流100˚。
18. 有一交流電源供給RLC並聯電路,若R=10Ω,XL=5Ω,XC=10Ω,則電源電流與電源電壓的相位關係為何?
(A)電流相位超前電壓相位
(B)電流與電壓同相位
(C)無法判斷
(D)電流相位落後電壓相位。
19. 下列何者不是理想運算放大器之特性?
(A)A
no
=∞
(B)零電流輸出
(C)BW=∞
(D)R
i
=∞。
20. 有關MOSFET之敘述,下列何者錯誤?(VGS為閘極至源極之電壓)
(A)增強型n通道MOSFET之臨界電壓(VT)值為正
(B)空乏型n通道MOSFET其VGS可接負電壓或正電壓
(C)增強型p通道MOSFET其VGS若接正電壓則無法建立通道
(D)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在。
21. 電晶體放大器之效率為75%,若電源供給電能無限制,電晶體能承受10W之功率,則該電路最大輸出功率為:
(A)10W
(B)30W
(C)7.5W
(D)25W。
22. 二極體之逆向飽和電流通常會隨溫度之上升而?
(A)不一定
(B)變小
(C)無變化
(D)變大。
23. 根據下圖,請利用諾頓(Norton)等效電路,計算其等效電阻最接近以下何者?
(A)1Ω
(B)3Ω
(C)5Ω
(D)7Ω。
24. 電阻電容耦合串級放大器的耦合電容功用為何?
(A)阻隔前後級之直流電壓
(B)降低輸入阻抗
(C)降低熱雜訊
(D)作前後兩級之阻抗匹配。
25. 當場效電晶體(FET)作為放大器的第一級時,是利用它的什麼優點?
(A)輸出阻抗大
(B)電流增益大
(C)輸入阻抗小
(D)輸入阻抗大。
26. 如圖表示:
(A)P型MOSFET
(B)N型MOSFET
(C)P型JFET
(D)N型JFET。
27. 以下何者愈大,代表運算放大器之抗雜訊能力愈好?
(A)CMRR值
(B)輸入阻抗
(C)轉動率SR
(D)開迴路。
28. 稽納二極體最常應用於什麼電路?
(A)放大
(B)穩壓
(C)負載
(D)以上皆可。
29. 如圖所示電路,節點電壓V
C
為何?
(A)14V
(B)28V
(C)42V
(D)56V。
30. 根據下圖,i值最接近以下何者?
(A)0A
(B)1A
(C)2A
(D)3A。
31. h
12
的定義是:
(A)順向電流比
(B)順向電壓比
(C)逆向電流比
(D)逆向電壓比。
32. 下列有關對稱函數的傅立葉級數展開之敘述,何者有誤?
(A)偶對稱函數不存在正弦波成分
(B)四分之一波對稱函數僅存在偶次諧波成分
(C)半波對稱函數僅存在奇次諧波成分
(D)奇對稱函數不存在餘弦波成分。
33. 一單相變壓器,輸入電壓為230伏特,無載電流為2.1安培,鐵損為50瓦,其激磁電流為?
(A)1.594安培
(B)2.089安培
(C)1.016安培
(D)0.111安培。
34. 某電晶體之β值為99,則其
α
值應為?
(
題目修改,但不影響答案)
(A)0.985
(B)0.995
(C)0.99
(D)0.98。
35. 關於電容器,下列敘述何者正確?
(A)對AC而言視為短路
(B)對AC而言視為開路
(C)對DC而言視為短路
(D)以上皆非。
36. 某線圈的匝數為10匝與磁通量Wb完全耦合,此線圈的感應電勢為?
(A)40sin200t V
(B)40cos200t V
(C)20cos200t V
(D)0.2sin200t V。
37. 下列直流電動機,何者具有高起動轉矩?
(A)分激式電動機
(B)永磁式電動機
(C)串激式電動機
(D)差複激式電動機。
38. 欲設計一個非同步12模計數器,至少需要幾個正反器?
(A)4個
(B)6個
(C)3個
(D)5個。
39. 半導體之電中性是指?
(A)沒有電荷存在
(B)沒有自由電子
(C)沒有主要載子
(D)有等量的正電荷與負電荷。
40. 效率最高的放大器是:
(A)A類
(B)B類
(C)AB類
(D)C類。
41. 有一電容器接於一直流電壓,其儲存的電荷量為3000μC,能量為150mJ,則此電容器的電容值為多少?
(A)30μF
(B)40μF
(C)50μF
(D)60μF。
42. 下列哪一種二極體專門應用在穩定電壓方面?
(A)蕭特基二極體(Schottky barR
i
er diode)
(B)雷射二極體(laser diode)
(C)稽納二極體(Zener diode)
(D)發光二極體(light emitting diode)。
43. 有一個RL串聯低通濾波器的截止頻率為4kHz,假設電阻R=10kΩ,求電感L及24kHz時的| H(jω) |為何?
(A)0.40H,0.164
(B)2.50H,0.707
(C)0.40H,0.707
(D)2.50H,0.164。
44. 有一個5H的電感器,若通過該電感器的電流在2秒由1A增至5A,求電感器兩端的感應電壓大小?
(A)12V
(B)10V
(C)8V
(D)6V。
45. 一般矽材料二極體兩端的順向偏壓隨溫度的變化量約為?
(A)-2.5mV/˚C
(B)+1mV/˚C
(C)+2.5mV/˚C
(D)-1mV/˚C。
46. 下列何者為奈魁士準則(Nyquist cR
i
teR
i
on)特性之正確描述?
(A)提供系統絕對穩定性及穩定系統的穩定程度
(B)提供系統時間響應的資料
(C)可用來研究具有時間提前的系統
(D)可用來修改線性系統。
47. 一個8位元的D/A轉換器,其輸出電壓為0~10V,則其解析度約為?
(A)39mV
(B)49mV
(C)59mV
(D)29mV。
48. 有一電容器C=5μF,其兩端電壓Vc=30cos(2000t+25˚)V,求電容器之電抗值?
(A)-60Ω
(B)-100Ω
(C)-40Ω
(D)-80Ω。
49. 下列何者不是控制系統單位步階輸入之時域暫態響應的規格(specification)?
(A)尖峰時間(peak time)
(B)上升時間(R
i
se time)
(C)最大超越量(maximum overshoot)
(D)穩態時間(steady-state time)。
50. 所謂的超大型積體電路(VLSI),係指在一個半導體晶片上的零件數目為:
(A)10~100個
(B)10000個以上
(C)100~1000個
(D)1000~10000個。