1. 一晶片上有8000個元件,依積體電路之分類,該晶片應屬哪一類?


2. 有關材料基本性質之敘述,下列何者錯誤?


3. 在常溫下,欲將矽晶體共價鍵中的電子釋放出來,所需能量為何?


4. 將本質半導體摻雜微量砷元素後,其半導體材料之類型及電性為何?


5. 有關二極體特性之敘述,下列何者錯誤?


6. 如【圖6】所示之二極體電路VD=0.6V,求Vo為多少?


7. 如【圖7】所示之電路,二極體為理想二極體,求I為多少?


8. 如【圖8】所示之整流電路,輸入電壓110V/60Hz,電阻兩端輸出漣波電壓有效值約為多少?


9. 如【圖9】所示之穩壓電路,稽納二極體最大工作電流為15mA,在電路正常工作的條件下,求輸入電壓的範圍為多少?


10. 如【圖10】所示之濾波電路,求輸出漣波因數約為多少?


11. 有關電晶體組態的敘述,下列何者錯誤?


12. 電晶體的漏電流ICBO與ICEO的關係為何?


13. 如【圖13】所示之倍壓電路,輸入電壓Vs=10sin(200πt)V,當t=4mS時,求Vo兩端輸出電壓為何?


14. 如【圖14】所示之截波電路,已知稽納二極體非理想且崩潰電壓ZD1=6V、ZD2=4V,若輸入電壓Vi=10sin(ωt)V,則輸出電壓Vo上下限為何?


15. 如【圖15】所示之截波電路,稽納二極體為理想,崩潰電壓ZD1=8V、ZD2=5V,若輸入電壓Vi=12sin(ωt)V,則輸出電壓Vo上下限為何?


16. 如【圖16】之箝位電路,若輸入電壓Vi為2.5V峰值,頻率為1KHz之方波,則輸出電壓Vo上下限為何?


17. PNP型電晶體位於工作區,則電晶體三端(E、B、C)之電壓大小關係為何?


18. 在共射極組態下,若電晶體的β=50、IB=20uA、ICBO=5uA,在考慮漏電流的情況下,求IC電流為多少?


19. 如【圖19】所示之電晶體電路,求VE電壓約為多少?


20. 如【圖20】所示之電晶體電路,求IC電流約為多少?


21. 如【圖21】所示之電晶體電路,下列敘述何者錯誤?


22. 如【圖22】所示之電晶體電路,求電流增益Ai約為多少?


23. 如【圖23】所示之電晶體電路,已知IE=1mA,求輸入阻抗Ri約為多少?


24. 如【圖24】所示之疊接電路,求電壓增益Av約為多少?


25. 有關達寧頓電路特性的敘述,下列何者錯誤?


26. 已知放大器功率增益為50dB,若電壓增益為100倍,則放大器電流增益為多少分貝(dB)?


27. 某放大器連接至600Ω負載,若在負載兩端量測到7.75 Vrms,則放大器輸出功率為多少分貝(dBm)?


28. 有兩放大器之頻率響應分別為10~10KHz與100~20KHz,若將兩放大器串接後使用,則串接後放大器的頻率響應範圍為何?


29. 有關放大器之敘述,下列何者錯誤?


30. 某A類放大器工作電壓20V、消耗電流1A,則該放大器輸出最大交流功率為多少?


31. 下列場效電晶體FET優於接面電晶體BJT之敘述,何者錯誤?


32. 欲使場效電晶體做線性放大時,電晶體需工作在何處?


33. 如【圖33】所示之電晶體電路,已知Vp=-4V、IDSS=8mA,求ID電流為多少?


34. 如【圖34】所示之電晶體電路,已知VT=3V、K=0.5mA/V2,求gm為多少?


35. 如【圖35】所示之電晶體電路,求Vo為多少?


36. 如【圖36】所示之電晶體電路,求電壓增益Av約為多少?


37. 如【圖37】所示之電晶體電路,求輸出阻抗Ro約為多少?


38. 有關理想運算放大器之敘述,下列何者錯誤?


39. 下列條件何者符合巴克豪生準則?


40. 如【圖40】所示之振盪電路,求輸出週期To約為多少?


41. 如【圖41】所示之OPA電路,已知Vs=2V,求輸出電壓Vo為多少?


42. 如【圖42】所示之運算放大器電路,為何種形式之負回授?


43. 如【圖43】所示之運算放大器電路,已知V1=3V、V2=-2V,求輸出電壓Vo為多少?


44. 如【圖44】所示之運算放大器電路,求電壓增益Vo/Vi為多少?


45. 如【圖45】所示之OPA電路,求輸出電壓Vo為多少?


46. 如【圖46】所示之OPA電路,求電壓增益Vo/Vs為多少?


47. 如【圖47】所示之運算放大器電路,若運算放大器的飽和電壓為±12V,求上臨界電壓VUT及下臨界電壓VLT


48. 如【圖48】所示之RC相移振盪電路,求振盪頻率fo為何?


49. 如【圖49】所示之韋恩振盪電路,下列敘述何者錯誤?


50. 如【圖50】所示之振盪電路,為何種形式振盪器?