Toggle navigation
最新消息
線上論壇
考古題
常見問題
帳號申請
忘記密碼
題庫分類
公職考試
鐵路特考
高普考
初等五等
地方特考(三、四等)
一般/警察特考
司法特考
移民特考
關務特考
民航特考
調查局
海巡特考
稅務特考/國稅局約僱人員
身障特考
外交特考
機關就業
經濟部國營事業聯合招考
臺鐵公司
捷運公司
台電新進雇員
自來水公司評價人員
中油公司
中鋼公司
中華郵政
中華電信
臺灣菸酒
臺灣港務
臺鐵營運人員
農會
漁會
農田水利
環保局清潔隊員、稽查員
公路監理
台糖
臺北自來水
經濟部工業局
公幼教保人員
證券類
證券商業務員
證券商高級業務員
期貨商業務員
投信投顧業務員
企業內部控制
股務人員
票券商業務員
證券分析師
金融市場常識與職業道德
債券人員
銀行類
NEW!!! 高齡金融規劃顧問師資格測驗
金融人員基礎學科測驗(FIT)
金融科技力知識證照
理財規劃人員證照
信託業務人員證照
銀行內部控制與內部稽核證照(一般金融)
初階授信人員證照
初階外匯人員證照
銀行內部控制與內部稽核證照(消費金融)
公民銀行招考(一般金融組)
公民銀行招考(共同科目)
公民銀行招考(儲備人員)
公民銀行招考(工員)
證照類
導遊領隊人員
不動產經紀人
地政士
消防設備人員
門市服務丙級技術士
保險類
投資型保險業務員
人身保險代理人
財產保險經紀人
財會類
記帳士
會計事務技術士乙級
中小企財務人員
會計事務技術士丙級
國貿類
國貿業務技術士乙級
國貿大會考
國貿業務技術士丙級
專責報關人員
兩岸暨東協經貿商務人才
升學考試
警專正期班
四技二專
升大分科測驗
模擬考試
警專正期班第36期線上模擬考試(完整版)
警專考試能力測驗分析
軍事考試
軍事考試
鐵路特考 » 佐級(電子工程) » 歷屆題庫 » 103年 » 電子學大意
單選題
每題2.5分
1. 如圖所示為臨界電位比較器,已知其電源電壓為±15V,則使輸出改變狀態之V
in
轉折電壓為何?
(A)+5V
(B)-5V
(C)+15V
(D)-15V。
2. 下列關於理想運算放大器的輸出特性,何者錯誤?
(A)零共模增益
(B)無限大共模拒斥
(C)常用為差動輸入
(D)常用為交流耦合。
3. 一使用理想運算放大器的微分電路,當RC乘積值變大時,其輸出相對輸入之相位移為何?
(A)變大
(B)變小
(C)保持-90°不變
(D)保持-180°不變。
4. 如右圖所示之電路,其邏輯函數為下列何者?
(A)
(B)
(C)
(D)
。
5. 有一邏輯閘電路設計如左圖所示,設PMOS、NMOS的電流—電壓(I-V)特性一樣,只是偏壓極性相反,亦即臨界電壓(Threshold Voltage)絕對值相同,且在相同的偏壓下有相同的通道電流。若已知此電路的轉移特性(Voltage transfer characteristic)曲線如右圖所示,試研判在曲線A點兩電晶體MP1、MN1的工作狀態。
(A)電晶體MP1的工作狀態為截止(Cut-off)區、電晶體MN1的工作狀態為截止(Cut-off)區
(B)電晶體MP1的工作狀態為三極管(Triode)區、電晶體MN1的工作狀態為截止(Cut-off)區
(C)電晶體MP1的工作狀態為三極管(Triode)區、電晶體MN1的工作狀態為飽和(Saturation)區
(D)電晶體MP1的工作狀態為飽和(Saturation)區、電晶體MN1的工作狀態為飽和(Saturation)區。
6. 在一般MOSFET元件中,為何閘極電流幾乎為零?
(A)因為有閘絕緣層在通道上方
(B)因為有空乏區在通道上方
(C)因為閘極反偏
(D)因為元件靠電壓驅動。
7. 雙極性接面電晶體中,收集多數載子的電極稱為:
(A)源極
(B)基極
(C)集極
(D)閘極。
8. 一個理想二極體,在逆向偏壓時:
(A)電流為零
(B)電壓為零
(C)電阻為零
(D)電容為零。
9. 一般電流計可以利用並聯電阻加大電流計的量測範圍,細部電路如下圖所示。若電流計本身的電阻Rm=1kΩ,最大可容許通過的滿載電流Im
max
=100μA。已知加入的並聯電阻值分別為Ra=9.09Ω、Rb=0.909Ω、Rc=0.101Ω,今將切換開關接到B接點,試研判這樣的組態在電表正負端接點之間最大的電流量測範圍?
(A)100μA
(B)1mA
(C)10mA
(D)100mA。
10. 若P-N接面二極體之導通電壓為0.7V,導通電阻值為0Ω。則2V電壓源流出之電流值為何?
(A)1.5mA
(B)1.3mA
(C)1.1mA
(D)0.7mA。
11. 今欲設計二極體整流電路使v
O
產生負極性的電壓輸出,下列何者正確?
(A)
(B)
(C)
(D)
12. 圖示由理想二極體構成電路,若電阻R為0.5kΩ,則電流I為若干mA?
(A)6
(B)8
(C)10
(D)12。
13. 如圖所示之電路,二極體皆為理想,則有關此電路之敘述,下列何者正確?
(A)C
1
的耐壓為2V
m
(B)C
1
+C
3
的耐壓為4V
m
(C)C
2
+C
4
的耐壓為3V
m
(D)D
4
的峰值反向電壓為2V
m
。
14. 如圖所示之電路,假設二極體導通之壓降為0.7V,輸入電壓v
i
為一峰值10V之交流正弦波,試求輸出電壓之最大負值為何?
(A)-5.3V
(B)-10.7V
(C)-14.3V
(D)-20.7V。
15. 如圖所示之電路,輸入電壓v
i
為一交流弦波,有效值為100V,頻率為60Hz,二極體導通之壓降皆為0.7V,求二極體之峰值反向電壓約為何?
(A)17.4V
(B)34.7V
(C)69.4V
(D)104.1V。
16. 一般二極體在固定電流順偏導通狀況下的壓降,其溫度係數(Temperature Coefficient)為:
(A)零溫度係數
(B)正溫度係數
(C)負溫度係數
(D)正負溫度係數依導通電壓大小而定。
17. 對理想二極體之敘述,下列何者錯誤?
(A)順向時視為短路,逆向時視為開路
(B)順向電阻等於零,逆向電阻無限大
(C)順向電壓等於零,逆向電流無限大
(D)無順向電壓降,無逆向電流。
18. 雙極性接面電晶體的各種組態放大器,何者最適合作輸出端的阻抗匹配?
(A)共基極放大器(CB)
(B)共集極放大器(CC)
(C)共射極放大器(CE)
(D)共汲極放大器(CD)。
19. 分析右圖之電路,若BJT操作在順向主動區(forward active region)且轉導值g
m
為10mA/V,β=10,R
E
=1kΩ,R
C
=10kΩ,忽略元件之輸出電阻r
o
,試求v
o
/v
i
約為多少?
(A)5
(B)8
(C)12
(D)15。
20. 如圖所示共射極放大器(CE)(偏壓電路略去未繪),其電壓增益A
v
≡v
o
/v
i
大致可表為:
(A)-g
m
R
C
(B)-g
m
(R
C
+
)
(C)-R
C
/(R
E
+r
e
)
(D)-R
sig
/R
E
。
21. 若右圖電路中之BJT電晶體操作於飽和區,下列何種調整方式可讓電晶體進入順向主動區(forward active region)?
(A)減小V
CC
(B)加大V
B
(C)加大R
E
(D)加大R
C
。
22. 下列那一項為影響放大器低頻響應的主要因素?
(A)使用的電晶體型式
(B)放大器的負載電容
(C)放大器的電壓增益
(D)放大器中的耦合電容。
23. 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知工作點(Operating Point)閘源極電壓V
GS
為-2.6V,汲極電流I
D
為2.6mA,I
DSS
為8mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)V
P
為-6V,則此放大器的輸入阻抗Z
i
約為多少?
(A)470kΩ
(B)680kΩ
(C)1MΩ
(D)1.8MΩ。
24. 右圖示雙極性接面電晶體(BJT)電路,電晶體β=100,V
BE
=0.7V,當電路處最佳工作點,則電阻R
B
約為若干kΩ?
(A)115
(B)230
(C)460
(D)575。
25. 關於MOSFET電晶體之輸出阻抗,下列敘述何者錯誤?
(A)相同電流且寬長比(W/L)相同之條件下,通道長度越長輸出阻抗越大
(B)固定元件尺寸之條件下,電流越大輸出阻抗越大
(C)電晶體操作在飽和區(saturation)時之輸出阻抗較操作在三極管區(triode region)時之輸出阻抗大
(D)輸出阻抗是由於通道調變效應所造成。
26. 已知一BJT電晶體之β=100,g
m
=0.01A/V,求圖中電路之R
in
值?
(A)1kΩ
(B)10kΩ
(C)100kΩ
(D)500kΩ。
27. 如右圖電路所示,若電晶體參數β=100,
=2pF,
=6pF,則其高頻-3dB頻率約為多少kHz?
(A)110
(B)220
(C)330
(D)550。
28. 下列對於MOSFET共源極架構放大器的頻率響應特性敘述中,何者錯誤?
(A)低-3dB頻率與電晶體內部電容無關,而是與外部電容有關
(B)高-3dB頻率受到米勒效應的影響而變大
(C)當外部電容愈大,低-3dB頻率愈小
(D)在場效電晶體內部電容中,Cgd對於高-3dB頻率的影響最大。
29. 一般MOSFET單級放大器架構中,小訊號特性輸出阻抗較低的是那一種?
(A)共源極
(B)共汲極
(C)共閘極
(D)具源極電阻之共源極。
30. 如圖所示一放大器,外接電容為C
C1
、C
C2
和C
S
,MOSFET的寄生電容為Cgs和Cgd。有關此放大器電路在中頻的增益(Mid-band gain),下列敘述何者正確?
(A)主要是受外接電容的影響
(B)主要是受MOSFET寄生電容的影響
(C)受外接電容與MOSFET寄生電容的影響程度均相同
(D)均不受外接電容與MOSFET寄生電容的影響。
31. 下列為一被動式濾波器(Passive filter)。試問此電路轉移函數(Transfer function)T(s)≡V
O
/V
i
的數學形式為何?
(A)T(s)≡
=
(B)T(s)≡
=
(C)T(s)≡
=
(D)T(s)≡
=
。
32. 下列何者可產生方波?
(A)考畢子(Colpitts)振盪器
(B)無穩態多諧振盪器(Astable Multivibrator)
(C)雙穩態多諧振盪器(Bistable Multivibrator)
(D)韋恩橋式(Wien Bridge)振盪器。
33. 相較於共射極放大器(CE),下列有關共基極放大器(CB)之敘述,何者正確?
(A)輸入阻抗較大
(B)頻率響應較佳
(C)輸出電壓與輸入電壓相位差180°
(D)輸出阻抗較低。
34. 下列何者為全通(All Pass)被動濾波器的主要功用之一?
(A)放大訊號
(B)去除雜訊
(C)類比訊號轉換為數位訊號
(D)提供相位移。
35. 圖為單端輸出差動放大器(Differential Amplifier)。其中R
E
=4.3kΩ,R
C1
=R
C2
=R
E
/2,V
CC
=-V
EE
=5V,電晶體的β為100,放大器的輸入共模(Common Mode)偏壓為0V。則差動放大器的共模拒斥比(Common Mode Rejection Ratio, CMRR)約為?
(A)344
(B)258
(C)172
(D)86。
36. 兩個共集極放大器串接之電壓增益為何?
(A)約1000
(B)約100
(C)約10
(D)約1。
37. 分析右圖之電路,若MOSFET皆操作在飽和區且轉導值g
m
為1mA/V,忽略元件之輸出阻抗r
O
,試求V
O
/V
i
?
(A)5
(B)10
(C)-5
(D)-10。
38. 有一電路的轉移函數T(s)=
,則下列何者正確?
(A)半功率頻率為100rad/sec
(B)增益為100dB的頻率為1rad/sec
(C)直流增益為40dB
(D)高頻增益為100。
39. 如圖振盪電路,U
1
為理想運算放大器,假設二極體導通電壓V
D0
=0.7V。已知V=15V、R
1
=10kΩ、R
f
=20.3kΩ、R
2
=3kΩ、R
3
=1kΩ、R
4
=1kΩ、R
5
=3kΩ。在放大器U
1
正端輸入設有一回授網路,其中C
S
=16nF、R
S
=5kΩ、C
P
=16nF、R
P
=5kΩ。試求此電路輸出振盪電壓的峰對峰值(peak-to-peak value)約為多少?
(A)6V
(B)11V
(C)16V
(D)21V。
40. 若欲提高雙極性接面電晶體(BJT)差動放大器之共模拒斥比(CMRR),則差動電路中之射極端以連接下列何種元件為較佳?
(A)定電流源
(B)定電壓源
(C)定電阻
(D)定電容。